Transistori - FET, MOSFET - Unicu | Prudutti Discreti à Semiconduttore | 100

APTM10DAM05TG

partiture parte: 1270

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 100V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 278A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 125A, 10V,

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Microsemi Corporation

APTM100UM65DAG

partiture parte: 401

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 1000V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 145A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 72.5A, 10V,

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Microsemi Corporation

APT5010JVRU3

partiture parte: 1676

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 500V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 44A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 22A, 10V,

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Microsemi Corporation

APTM20SKM04G

partiture parte: 575

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 200V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 372A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 186A, 10V,

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Microsemi Corporation

APT50M75JLLU3

partiture parte: 1669

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 500V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 51A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 25.5A, 10V,

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Microsemi Corporation

APT20M22JVRU2

partiture parte: 2774

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 200V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 97A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 48.5A, 10V,

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Microsemi Corporation

APTM20UM03FAG

partiture parte: 348

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 200V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 580A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6 mOhm @ 290A, 10V,

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Microsemi Corporation

APTM100DA18TG

partiture parte: 1110

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 1000V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 43A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210 mOhm @ 21.5A, 10V,

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Microsemi Corporation

APTM100DAM90G

partiture parte: 663

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 1000V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 78A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 39A, 10V,

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Microsemi Corporation

APT50M75JLLU2

partiture parte: 2501

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 500V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 51A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 25.5A, 10V,

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Microsemi Corporation

APTM50DAM19G

partiture parte: 700

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 500V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 163A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5 mOhm @ 81.5A, 10V,

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Microsemi Corporation

APTM100SK33T1G

partiture parte: 2465

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 1000V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 23A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 396 mOhm @ 18A, 10V,

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Microsemi Corporation

APT20M22JVRU3

partiture parte: 2717

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 200V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 97A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 48.5A, 10V,

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Microsemi Corporation

APTM10UM02FAG

partiture parte: 598

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 100V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 570A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 200A, 10V,

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Microsemi Corporation

APT30N60BC6

partiture parte: 10292

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 600V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 14.5A, 10V,

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Microsemi Corporation

APT34N80B2C3G

partiture parte: 5891

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 800V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 34A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145 mOhm @ 22A, 10V,

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Microsemi Corporation

APT56F50B2

partiture parte: 4759

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 500V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 56A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 28A, 10V,

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Microsemi Corporation

APT40SM120J

partiture parte: 1532

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 1200V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 32A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 20A, 20V,

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Microsemi Corporation

APT41F100J

partiture parte: 1368

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 1000V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 42A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210 mOhm @ 33A, 10V,

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Microsemi Corporation

APT17F100B

partiture parte: 5570

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 1000V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 17A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 9A, 10V,

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Microsemi Corporation

APT53N60BC6

partiture parte: 6683

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 600V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 53A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 25.8A, 10V,

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Microsemi Corporation

APT38F80L

partiture parte: 3497

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 800V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 41A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 20A, 10V,

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Microsemi Corporation

APT50M38JLL

partiture parte: 1146

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 500V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 88A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 44A, 10V,

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Microsemi Corporation

APT30M70BVRG

partiture parte: 4637

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 300V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 48A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 500mA, 10V,

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Microsemi Corporation

APT47N60BC3G

partiture parte: 4645

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 600V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 47A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 30A, 10V,

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Microsemi Corporation

APT38N60BC6

partiture parte: 8547

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 600V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 38A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99 mOhm @ 18A, 10V,

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Microsemi Corporation

APTM10UM01FAG

partiture parte: 384

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 100V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 860A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 mOhm @ 275A, 10V,

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Microsemi Corporation

APT51M50J

partiture parte: 2614

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 500V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 51A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 37A, 10V,

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Microsemi Corporation

APT5010LLLG

partiture parte: 3721

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 500V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 46A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 23A, 10V,

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Microsemi Corporation

APT5010JLLU2

partiture parte: 2221

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 500V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 41A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 23A, 10V,

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Microsemi Corporation

APT7F120B

partiture parte: 9338

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 1200V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 7A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9 Ohm @ 3A, 10V,

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Microsemi Corporation

APT10090BLLG

partiture parte: 3787

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 1000V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 12A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950 mOhm @ 6A, 10V,

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Infineon Technologies

AUIRFR024N

partiture parte: 341

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 55V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 17A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 10A, 10V,

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Infineon Technologies

AUIRF2907Z

partiture parte: 17659

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 75V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 75A, 10V,

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Infineon Technologies

AUIRF3205

partiture parte: 25635

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 55V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 62A, 10V,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOK27S60L

partiture parte: 13908

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 600V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 27A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 13.5A, 10V,

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