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Transistori - Bipolari (BJT) - RF

15GN01MA-TL-E
ON Semiconductor

15GN01MA-TL-E

partiture parte: 176347

Tipu di transistore: NPN, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 8V, Frequenza - Transizione: 1.5GHz, Potenza - Max: 400mW,

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15GN01CA-TB-E
ON Semiconductor

15GN01CA-TB-E

partiture parte: 194654

Tipu di transistore: NPN, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 8V, Frequenza - Transizione: 1.5GHz, Potenza - Max: 200mW,

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2SC5536A-TL-H
ON Semiconductor

2SC5536A-TL-H

partiture parte: 129846

Tipu di transistore: NPN, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 12V, Frequenza - Transizione: 1.7GHz, Figura di Rumore (dB Typ @ f): 1.8dB @ 150MHz, Guadagnu: 16dB, Potenza - Max: 100mW,

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2SC5646A-TL-H
ON Semiconductor

2SC5646A-TL-H

partiture parte: 145975

Tipu di transistore: NPN, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 4V, Frequenza - Transizione: 10GHz ~ 12.5GHz, Figura di Rumore (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz, Guadagnu: 9.5dB ~ 10.5dB @ 2GHz, Potenza - Max: 100mW,

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2SC5490A-TL-H
ON Semiconductor

2SC5490A-TL-H

partiture parte: 102087

Tipu di transistore: NPN, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 10V, Frequenza - Transizione: 8GHz, Figura di Rumore (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 0.9dB @ 1.5GHz ~ 1GHz, Guadagnu: 10dB ~ 5.5dB @ 1.5GHz, Potenza - Max: 100mW,

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2SC5227A-4-TB-E
ON Semiconductor

2SC5227A-4-TB-E

partiture parte: 149544

Tipu di transistore: NPN, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 10V, Frequenza - Transizione: 7GHz, Figura di Rumore (dB Typ @ f): 1dB @ 1GHz, Guadagnu: 12dB, Potenza - Max: 200mW,

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2SC5347AE-TD-E
ON Semiconductor

2SC5347AE-TD-E

partiture parte: 107074

Tipu di transistore: NPN, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 12V, Frequenza - Transizione: 4.7GHz, Figura di Rumore (dB Typ @ f): 1.8dB @ 1GHz, Guadagnu: 8dB, Potenza - Max: 1.3W,

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10A060
Microsemi Corporation

10A060

partiture parte: 605

Tipu di transistore: NPN, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 24V, Frequenza - Transizione: 1GHz, Guadagnu: 8dB ~ 8.5dB, Potenza - Max: 21W,

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2N4957UB
Microsemi Corporation

2N4957UB

partiture parte: 2413

Tipu di transistore: PNP, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 30V, Figura di Rumore (dB Typ @ f): 3.5dB @ 450MHz, Guadagnu: 25dB, Potenza - Max: 200mW,

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2A8
Microsemi Corporation

2A8

partiture parte: 697

Tipu di transistore: NPN, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 21V, Frequenza - Transizione: 2GHz, Guadagnu: 7dB ~ 9dB, Potenza - Max: 5.3W,

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23A025
Microsemi Corporation

23A025

partiture parte: 549

Tipu di transistore: NPN, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 22V, Frequenza - Transizione: 3.7GHz, Guadagnu: 6dB ~ 6.3dB, Potenza - Max: 9W,

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2307
Microsemi Corporation

2307

partiture parte: 648

Tipu di transistore: NPN, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 42V, Frequenza - Transizione: 2.3GHz, Guadagnu: 8dB, Potenza - Max: 20.5W,

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2SC4098T106P
Rohm Semiconductor

2SC4098T106P

partiture parte: 113796

Tipu di transistore: NPN, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 25V, Frequenza - Transizione: 300MHz, Potenza - Max: 200mW,

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2SC4618TLN
Rohm Semiconductor

2SC4618TLN

partiture parte: 145036

Tipu di transistore: NPN, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 25V, Frequenza - Transizione: 300MHz, Potenza - Max: 150mW,

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2SC4713KT146S
Rohm Semiconductor

2SC4713KT146S

partiture parte: 183409

Tipu di transistore: NPN, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 6V, Frequenza - Transizione: 800MHz, Potenza - Max: 200mW,

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2SC4713KT146R
Rohm Semiconductor

2SC4713KT146R

partiture parte: 149510

Tipu di transistore: NPN, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 6V, Frequenza - Transizione: 800MHz, Potenza - Max: 200mW,

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2SC5087YTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5087YTE85LF

partiture parte: 144

Tipu di transistore: NPN, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 12V, Frequenza - Transizione: 7GHz, Figura di Rumore (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Guadagnu: 13dB, Potenza - Max: 150mW,

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2SC5084-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5084-O(TE85L,F)

partiture parte: 170

Tipu di transistore: NPN, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 12V, Frequenza - Transizione: 7GHz, Figura di Rumore (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Guadagnu: 11dB, Potenza - Max: 150mW,

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2SC4215-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4215-Y(TE85L,F)

partiture parte: 171976

Tipu di transistore: NPN, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 30V, Frequenza - Transizione: 550MHz, Figura di Rumore (dB Typ @ f): 2dB ~ 5dB @ 100MHz, Guadagnu: 17dB ~ 23dB, Potenza - Max: 100mW,

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2SC5066-O,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5066-O,LF

partiture parte: 111075

Tipu di transistore: NPN, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 12V, Frequenza - Transizione: 7GHz, Figura di Rumore (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz, Potenza - Max: 100mW,

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2SC5085-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5085-Y(TE85L,F)

partiture parte: 128600

Tipu di transistore: NPN, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 12V, Frequenza - Transizione: 7GHz, Figura di Rumore (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Guadagnu: 11dB ~ 16.5dB, Potenza - Max: 100mW,

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2SC5086-O,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5086-O,LF

partiture parte: 121034

Tipu di transistore: NPN, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 12V, Frequenza - Transizione: 7GHz, Figura di Rumore (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz, Potenza - Max: 100mW,

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2SC5065-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5065-O(TE85L,F)

partiture parte: 190

Tipu di transistore: NPN, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 12V, Frequenza - Transizione: 7GHz, Figura di Rumore (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz, Potenza - Max: 100mW,

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2SC5085-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5085-O(TE85L,F)

partiture parte: 170

Tipu di transistore: NPN, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 12V, Frequenza - Transizione: 7GHz, Figura di Rumore (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz, Potenza - Max: 100mW,

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2SC5095-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5095-O(TE85L,F)

partiture parte: 187

Tipu di transistore: NPN, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 10V, Frequenza - Transizione: 10GHz, Figura di Rumore (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz, Guadagnu: 13dB ~ 7dB, Potenza - Max: 100mW,

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2SC5086-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5086-Y,LF

partiture parte: 173074

Tipu di transistore: NPN, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 12V, Frequenza - Transizione: 7GHz, Figura di Rumore (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz, Potenza - Max: 100mW,

To wishlist
2SC5095-R(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5095-R(TE85L,F)

partiture parte: 128

Tipu di transistore: NPN, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 10V, Frequenza - Transizione: 10GHz, Figura di Rumore (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz, Guadagnu: 13dB ~ 7.5dB, Potenza - Max: 100mW,

To wishlist
2SC4915-O,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4915-O,LF

partiture parte: 124837

Tipu di transistore: NPN, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 30V, Frequenza - Transizione: 550MHz, Figura di Rumore (dB Typ @ f): 2.3dB ~ 5dB @ 100MHz, Guadagnu: 17dB ~ 23dB, Potenza - Max: 100mW,

To wishlist
2SC5084YTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5084YTE85LF

partiture parte: 152602

Tipu di transistore: NPN, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 12V, Frequenza - Transizione: 7GHz, Figura di Rumore (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Guadagnu: 11dB, Potenza - Max: 150mW,

To wishlist
2SC5087-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5087-O(TE85L,F)

partiture parte: 162523

Tipu di transistore: NPN, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 12V, Frequenza - Transizione: 7GHz, Figura di Rumore (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.1dB @ 500MHz ~ 1GHz, Potenza - Max: 150mW,

To wishlist
2N5179
Central Semiconductor Corp

2N5179

partiture parte: 11976

Tipu di transistore: NPN, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 12V, Frequenza - Transizione: 2GHz, Figura di Rumore (dB Typ @ f): 4.5dB @ 200MHz, Guadagnu: 15dB, Potenza - Max: 200mW,

To wishlist
2N918
Central Semiconductor Corp

2N918

partiture parte: 11009

Tipu di transistore: NPN, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 15V, Frequenza - Transizione: 600MHz, Figura di Rumore (dB Typ @ f): 6dB @ 60kHz, Potenza - Max: 200mW,

To wishlist
2N4427
Central Semiconductor Corp

2N4427

partiture parte: 25708

Tipu di transistore: NPN, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 20V, Frequenza - Transizione: 500MHz, Guadagnu: 10dB, Potenza - Max: 1W,

To wishlist
2N2857
Central Semiconductor Corp

2N2857

partiture parte: 10939

Tipu di transistore: NPN, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 15V, Frequenza - Transizione: 1.9GHz, Figura di Rumore (dB Typ @ f): 4.5dB @ 450MHz, Potenza - Max: 200mW,

To wishlist
2SC3357-T1-A
CEL

2SC3357-T1-A

partiture parte: 7357

Tipu di transistore: NPN, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 12V, Frequenza - Transizione: 6.5GHz, Figura di Rumore (dB Typ @ f): 1.8dB @ 1GHz, Guadagnu: 10dB, Potenza - Max: 1.2W,

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2SC5010-T1-A
CEL

2SC5010-T1-A

partiture parte: 7305

Tipu di transistore: NPN, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 6V, Frequenza - Transizione: 12GHz, Figura di Rumore (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz, Guadagnu: 8.5dB, Potenza - Max: 125mW,

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