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Diodi - Raddrizzatori - Matrici

MBRT200150
GeneSiC Semiconductor

MBRT200150

partiture parte: 1643

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 150V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 100A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 880mV @ 100A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MBR60035CTR
GeneSiC Semiconductor

MBR60035CTR

partiture parte: 971

Configurazione Diode: 1 Pair Common Anode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 35V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 300A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 750mV @ 300A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MBRT20060
GeneSiC Semiconductor

MBRT20060

partiture parte: 1363

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 60V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 200A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 800mV @ 100A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MUR30020CT
GeneSiC Semiconductor

MUR30020CT

partiture parte: 1118

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 300A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 100A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MURTA40020
GeneSiC Semiconductor

MURTA40020

partiture parte: 990

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 200A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 200A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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MUR40040CTR
GeneSiC Semiconductor

MUR40040CTR

partiture parte: 1247

Configurazione Diode: 1 Pair Common Anode, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 400A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 125A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MUR30060CTR
GeneSiC Semiconductor

MUR30060CTR

partiture parte: 1311

Configurazione Diode: 1 Pair Common Anode, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 300A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 100A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MBR400200CT
GeneSiC Semiconductor

MBR400200CT

partiture parte: 1516

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 200A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 920mV @ 200A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MBR2X050A080
GeneSiC Semiconductor

MBR2X050A080

partiture parte: 3862

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 80V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 50A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 840mV @ 50A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MURTA20020R
GeneSiC Semiconductor

MURTA20020R

partiture parte: 997

Configurazione Diode: 1 Pair Common Anode, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 100A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 100A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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MBRT200100R
GeneSiC Semiconductor

MBRT200100R

partiture parte: 1601

Configurazione Diode: 1 Pair Common Anode, Tipu di Diode: Schottky, Reverse Polarity, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 200A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 880mV @ 100A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MBRT40030R
GeneSiC Semiconductor

MBRT40030R

partiture parte: 1342

Configurazione Diode: 1 Pair Common Anode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 30V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 400A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 750mV @ 200A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MBR12035CT
GeneSiC Semiconductor

MBR12035CT

partiture parte: 1538

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 35V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 120A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 650mV @ 120A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MBR50060CT
GeneSiC Semiconductor

MBR50060CT

partiture parte: 1162

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 500A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 800mV @ 250A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MBRT50020R
GeneSiC Semiconductor

MBRT50020R

partiture parte: 1081

Configurazione Diode: 1 Pair Common Anode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 20V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 500A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 750mV @ 250A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MBR40060CT
GeneSiC Semiconductor

MBR40060CT

partiture parte: 1224

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 60V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 400A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 800mV @ 200A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MBRT12080R
GeneSiC Semiconductor

MBRT12080R

partiture parte: 1843

Configurazione Diode: 1 Pair Common Anode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 80V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 120A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 880mV @ 60A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MBR50030CTR
GeneSiC Semiconductor

MBR50030CTR

partiture parte: 1126

Configurazione Diode: 1 Pair Common Anode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 30V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 500A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 750mV @ 250A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MUR2X120A12
GeneSiC Semiconductor

MUR2X120A12

partiture parte: 2471

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 120A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 2.35V @ 120A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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MBR20060CT
GeneSiC Semiconductor

MBR20060CT

partiture parte: 1571

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 60V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 200A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 750mV @ 100A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

To wishlist
MBRT600100R
GeneSiC Semiconductor

MBRT600100R

partiture parte: 949

Configurazione Diode: 1 Pair Common Anode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 600A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 880mV @ 300A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

To wishlist
MURTA20020
GeneSiC Semiconductor

MURTA20020

partiture parte: 1000

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 100A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 100A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

To wishlist
MBRT600150R
GeneSiC Semiconductor

MBRT600150R

partiture parte: 892

Configurazione Diode: 1 Pair Common Anode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 150V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 300A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 880mV @ 300A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

To wishlist
FST16030
GeneSiC Semiconductor

FST16030

partiture parte: 1497

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 30V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 160A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 750mV @ 160A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

To wishlist
MSRTA200120(A)D
GeneSiC Semiconductor

MSRTA200120(A)D

partiture parte: 1326

Configurazione Diode: 1 Pair Series Connection, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 200A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 200A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

To wishlist
MBRT40080R
GeneSiC Semiconductor

MBRT40080R

partiture parte: 1388

Configurazione Diode: 1 Pair Common Anode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 80V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 400A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 880mV @ 200A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

To wishlist
MSRTA300140(A)D
GeneSiC Semiconductor

MSRTA300140(A)D

partiture parte: 1362

Configurazione Diode: 1 Pair Series Connection, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1400V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 300A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 300A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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LDR11666
Powerex Inc.

LDR11666

partiture parte: 41

Configurazione Diode: 1 Pair Series Connection, Tipu di Diode: Standard, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 660A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.4V @ 1978A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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UHB20FCT-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

UHB20FCT-E3/4W

partiture parte: 44467

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 300V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 10A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 10A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

To wishlist
VS-60CPQ150PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-60CPQ150PBF

partiture parte: 13698

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 150V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 30A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 830mV @ 30A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

To wishlist
V30200C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

V30200C-E3/4W

partiture parte: 26870

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 15A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 15A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

To wishlist
NRVBD640CTG-VF01
ON Semiconductor

NRVBD640CTG-VF01

partiture parte: 107735

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 40V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 700mV @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

To wishlist
F1892CCD400
Sensata-Crydom

F1892CCD400

partiture parte: 927

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 90A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.4V @ 270A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

To wishlist
MD240C16D2-BP
Micro Commercial Co

MD240C16D2-BP

partiture parte: 1195

Configurazione Diode: 1 Pair Series Connection, Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1600V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 240A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.25V @ 300A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

To wishlist
STPS10170CT
STMicroelectronics

STPS10170CT

partiture parte: 67201

Configurazione Diode: 1 Pair Common Cathode, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 170V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 920mV @ 5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

To wishlist
DSS2X101-02A
IXYS

DSS2X101-02A

partiture parte: 2894

Configurazione Diode: 2 Independent, Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 100A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 940mV @ 100A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

To wishlist