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Transistori - Bipolari (BJT) - Matrici, Pre-Biased

MUN5216DW1T1
ON Semiconductor

MUN5216DW1T1

partiture parte: 1438

Tipu di transistore: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

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NSBC143ZPDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBC143ZPDXV6T1G

partiture parte: 154023

Tipu di transistore: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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NSBC123JDXV6T5
ON Semiconductor

NSBC123JDXV6T5

partiture parte: 1465

Tipu di transistore: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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NSVB124XPDXV6T1G
ON Semiconductor

NSVB124XPDXV6T1G

partiture parte: 133175

Tipu di transistore: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 22 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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NSBA113EDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBA113EDXV6T1G

partiture parte: 168681

Tipu di transistore: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 1 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 1 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V,

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MUN5113DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5113DW1T1G

partiture parte: 163385

Tipu di transistore: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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EMC5DXV5T1
ON Semiconductor

EMC5DXV5T1

partiture parte: 3198

Tipu di transistore: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, 4.7 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, 10 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 20 @ 5mA, 10V,

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SMUN5315DW1T1G
ON Semiconductor

SMUN5315DW1T1G

partiture parte: 151022

Tipu di transistore: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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MUN5111DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5111DW1T1G

partiture parte: 182502

Tipu di transistore: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

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NSBC114YDXV6T5G
ON Semiconductor

NSBC114YDXV6T5G

partiture parte: 152242

Tipu di transistore: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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RN2906,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2906,LF

partiture parte: 138883

Tipu di transistore: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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RN2908(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2908(T5L,F,T)

partiture parte: 1489

Tipu di transistore: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 22 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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RN2901(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2901(T5L,F,T)

partiture parte: 1507

Tipu di transistore: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 4.7 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

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RN1970FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1970FE(TE85L,F)

partiture parte: 1480

Tipu di transistore: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

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RN2603(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2603(TE85L,F)

partiture parte: 181191

Tipu di transistore: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 22 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 22 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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RN4903(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN4903(T5L,F,T)

partiture parte: 1463

Tipu di transistore: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 22 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 22 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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RN2968FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2968FE(TE85L,F)

partiture parte: 1523

Tipu di transistore: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 22 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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DDA144EK-7-F
Diodes Incorporated

DDA144EK-7-F

partiture parte: 124106

Tipu di transistore: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

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DDA124EK-7-F
Diodes Incorporated

DDA124EK-7-F

partiture parte: 116873

Tipu di transistore: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 22 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 22 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

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DDA114YU-7
Diodes Incorporated

DDA114YU-7

partiture parte: 1386

Tipu di transistore: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 10mA, 5V,

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IMB4AT110
Rohm Semiconductor

IMB4AT110

partiture parte: 116363

Tipu di transistore: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

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UMF8NTR
Rohm Semiconductor

UMF8NTR

partiture parte: 111347

Tipu di transistore: 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, 500mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, 15V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V,

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FMG5AT148
Rohm Semiconductor

FMG5AT148

partiture parte: 191530

Tipu di transistore: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

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UMD6NTR
Rohm Semiconductor

UMD6NTR

partiture parte: 125967

Tipu di transistore: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

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XP0621000L
Panasonic Electronic Components

XP0621000L

partiture parte: 1473

Tipu di transistore: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

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DMG264020R
Panasonic Electronic Components

DMG264020R

partiture parte: 139566

Tipu di transistore: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 22 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 22 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

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XN0111M00L
Panasonic Electronic Components

XN0111M00L

partiture parte: 1478

Tipu di transistore: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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XP0421M00L
Panasonic Electronic Components

XP0421M00L

partiture parte: 1422

Tipu di transistore: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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NP0G3A000A
Panasonic Electronic Components

NP0G3A000A

partiture parte: 1454

Tipu di transistore: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 80mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

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PBLS6004D,115
Nexperia USA Inc.

PBLS6004D,115

partiture parte: 100158

Tipu di transistore: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, 700mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, 60V, Resistenza - Base (R1): 22 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 22 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V / 150 @ 500mA, 5V,

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PIMN31,115
Nexperia USA Inc.

PIMN31,115

partiture parte: 149516

Tipu di transistore: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 500mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 1 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V,

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PEMH9,115
Nexperia USA Inc.

PEMH9,115

partiture parte: 174446

Tipu di transistore: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V,

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PUMD17,115
Nexperia USA Inc.

PUMD17,115

partiture parte: 141367

Tipu di transistore: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 22 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V,

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PUMB2,115
Nexperia USA Inc.

PUMB2,115

partiture parte: 142176

Tipu di transistore: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V,

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PBLS4001V,115
NXP USA Inc.

PBLS4001V,115

partiture parte: 1384

Tipu di transistore: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, 500mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, 40V, Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 2.2 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V,

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PBLS4002V,115
NXP USA Inc.

PBLS4002V,115

partiture parte: 1498

Tipu di transistore: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, 500mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, 40V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 4.7 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V,

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