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Transistori - Bipolari (BJT) - Matrici, Pre-Biased

BCR148SH6433XTMA1
Infineon Technologies

BCR148SH6433XTMA1

partiture parte: 109383

Tipu di transistore: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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BCR48PNH6327XTSA1
Infineon Technologies

BCR48PNH6327XTSA1

partiture parte: 103039

Tipu di transistore: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 70mA, 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, 2.2 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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BCR08PNH6327XTSA1
Infineon Technologies

BCR08PNH6327XTSA1

partiture parte: 177735

Tipu di transistore: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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BCR119SH6433XTMA1
Infineon Technologies

BCR119SH6433XTMA1

partiture parte: 157288

Tipu di transistore: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

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BCR148SH6327XTSA1
Infineon Technologies

BCR148SH6327XTSA1

partiture parte: 188263

Tipu di transistore: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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BCR116SH6327XTSA1
Infineon Technologies

BCR116SH6327XTSA1

partiture parte: 104028

Tipu di transistore: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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BCR129SH6327XTSA1
Infineon Technologies

BCR129SH6327XTSA1

partiture parte: 114428

Tipu di transistore: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

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BCR08PNH6727XTSA1
Infineon Technologies

BCR08PNH6727XTSA1

partiture parte: 125922

Tipu di transistore: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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BCR183SH6327XTSA1
Infineon Technologies

BCR183SH6327XTSA1

partiture parte: 158859

Tipu di transistore: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

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BCR22PNH6433XTMA1
Infineon Technologies

BCR22PNH6433XTMA1

partiture parte: 123945

Tipu di transistore: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 22 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 22 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

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BCR183SH6433XTMA1
Infineon Technologies

BCR183SH6433XTMA1

partiture parte: 1324

Tipu di transistore: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

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BCR198SH6827XTSA1
Infineon Technologies

BCR198SH6827XTSA1

partiture parte: 1343

Tipu di transistore: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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BCR141SH6327XTSA1
Infineon Technologies

BCR141SH6327XTSA1

partiture parte: 183216

Tipu di transistore: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 22 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 22 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

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PBLS1502Y,115
Nexperia USA Inc.

PBLS1502Y,115

partiture parte: 161247

Tipu di transistore: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, 500mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, 15V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 4.7 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V,

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PBLS2021D,115
Nexperia USA Inc.

PBLS2021D,115

partiture parte: 183829

Tipu di transistore: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, 1.8A, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, 20V, Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 2.2 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V / 200 @ 1A, 2V,

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PQMD2Z
Nexperia USA Inc.

PQMD2Z

partiture parte: 106888

Tipu di transistore: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 22 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 22 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V,

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PEMD13,115
Nexperia USA Inc.

PEMD13,115

partiture parte: 131970

Tipu di transistore: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

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PUMB18,115
Nexperia USA Inc.

PUMB18,115

partiture parte: 168362

Tipu di transistore: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

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RN2607(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2607(TE85L,F)

partiture parte: 114

Tipu di transistore: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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RN1507(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1507(TE85L,F)

partiture parte: 173834

Tipu di transistore: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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RN1901,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1901,LF(CT

partiture parte: 146118

Tipu di transistore: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 1 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

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RN4608(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN4608(TE85L,F)

partiture parte: 136

Tipu di transistore: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 22 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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RN1961(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1961(TE85L,F)

partiture parte: 158

Tipu di transistore: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 4.7 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

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FMA5AT148
Rohm Semiconductor

FMA5AT148

partiture parte: 154673

Tipu di transistore: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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FMA2AT148
Rohm Semiconductor

FMA2AT148

partiture parte: 118374

Tipu di transistore: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

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EMB51T2R
Rohm Semiconductor

EMB51T2R

partiture parte: 153857

Tipu di transistore: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 30mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 22 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 22 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

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EMD59T2R
Rohm Semiconductor

EMD59T2R

partiture parte: 105571

Tipu di transistore: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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EMG1T2R
Rohm Semiconductor

EMG1T2R

partiture parte: 157219

Tipu di transistore: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 22 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 22 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

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UMG6NTR
Rohm Semiconductor

UMG6NTR

partiture parte: 150689

Tipu di transistore: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

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NSVBC124EDXV6T1G
ON Semiconductor

NSVBC124EDXV6T1G

partiture parte: 106381

Tipu di transistore: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 22 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 22 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

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SMUN5235DW1T1G
ON Semiconductor

SMUN5235DW1T1G

partiture parte: 184838

Tipu di transistore: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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NSVMUN531335DW1T3G
ON Semiconductor

NSVMUN531335DW1T3G

partiture parte: 197856

Tipu di transistore: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, 2.2 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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NSVMUN5334DW1T1G
ON Semiconductor

NSVMUN5334DW1T1G

partiture parte: 194293

Tipu di transistore: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 22 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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DMA964020R
Panasonic Electronic Components

DMA964020R

partiture parte: 123316

Tipu di transistore: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 22 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 22 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

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DMC2610E0R
Panasonic Electronic Components

DMC2610E0R

partiture parte: 191114

Tipu di transistore: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 22 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

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DMC564030R
Panasonic Electronic Components

DMC564030R

partiture parte: 157335

Tipu di transistore: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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