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Diodi - Zener - Single

1N5221B A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N5221B A0G

partiture parte: 163

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 2.4V, Tulleranza: ±5%, Potenza - Max: 500mW, Impedenza (Max) (Zzt): 30 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 100µA @ 1V, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 200mA,

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1SMA5956 R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

1SMA5956 R3G

partiture parte: 135

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 200V, Tulleranza: ±5%, Potenza - Max: 1.5W, Impedenza (Max) (Zzt): 1200 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 500nA @ 152V,

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1SMA200Z M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

1SMA200Z M2G

partiture parte: 148

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 200V, Tulleranza: ±5%, Potenza - Max: 1.25W, Impedenza (Max) (Zzt): 1500 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 1µA @ 152V,

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1SMA5949 R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

1SMA5949 R3G

partiture parte: 142

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 100V, Tulleranza: ±5%, Potenza - Max: 1.5W, Impedenza (Max) (Zzt): 250 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 500nA @ 76V,

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1N5223B A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N5223B A0G

partiture parte: 124

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 2.7V, Tulleranza: ±5%, Potenza - Max: 500mW, Impedenza (Max) (Zzt): 30 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 75µA @ 1V, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 200mA,

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1SMB5939HR5G
Taiwan Semiconductor Corporation

1SMB5939HR5G

partiture parte: 194

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 39V, Tulleranza: ±5%, Potenza - Max: 3W, Impedenza (Max) (Zzt): 45 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 1µA @ 29.7V,

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1SMA4759 R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

1SMA4759 R3G

partiture parte: 196

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 62V, Tulleranza: ±5%, Potenza - Max: 1.25W, Impedenza (Max) (Zzt): 125 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 1µA @ 47.1V,

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1SMA4754 R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

1SMA4754 R3G

partiture parte: 151

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 39V, Tulleranza: ±5%, Potenza - Max: 1.25W, Impedenza (Max) (Zzt): 60 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 1µA @ 29.7V,

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1N4757G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4757G A0G

partiture parte: 192

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 51V, Tulleranza: ±5%, Potenza - Max: 1W, Impedenza (Max) (Zzt): 95 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 5µA @ 38.8V, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 200mA,

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1N4733G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4733G A0G

partiture parte: 163

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 5.1V, Tulleranza: ±5%, Potenza - Max: 1W, Impedenza (Max) (Zzt): 7 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 10µA @ 1V, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 200mA,

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1SMA4741HR3G
Taiwan Semiconductor Corporation

1SMA4741HR3G

partiture parte: 123

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 11V, Tulleranza: ±5%, Potenza - Max: 1.25W, Impedenza (Max) (Zzt): 8 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 1µA @ 8.4V,

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1N4739G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4739G A0G

partiture parte: 195

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 9.1V, Tulleranza: ±5%, Potenza - Max: 1W, Impedenza (Max) (Zzt): 5 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 10µA @ 7V, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 200mA,

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1SMB5953 R5G
Taiwan Semiconductor Corporation

1SMB5953 R5G

partiture parte: 131

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 150V, Tulleranza: ±5%, Potenza - Max: 3W, Impedenza (Max) (Zzt): 600 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 1µA @ 114V,

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1N4753G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4753G B0G

partiture parte: 106

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 36V, Tulleranza: ±5%, Potenza - Max: 1W, Impedenza (Max) (Zzt): 50 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 5µA @ 27.4V, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 200mA,

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1SMA180Z R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

1SMA180Z R3G

partiture parte: 127

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 180V, Tulleranza: ±5%, Potenza - Max: 1.25W, Impedenza (Max) (Zzt): 1200 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 1µA @ 136.8V,

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1N4745AHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4745AHB0G

partiture parte: 165

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 16V, Tulleranza: ±5%, Potenza - Max: 1W, Impedenza (Max) (Zzt): 22 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 5µA @ 12.2V,

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1N4748AHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4748AHA0G

partiture parte: 192

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 22V, Tulleranza: ±5%, Potenza - Max: 1W, Impedenza (Max) (Zzt): 23 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 5µA @ 16.7V,

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1M150Z A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1M150Z A0G

partiture parte: 164

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 150V, Tulleranza: ±5%, Potenza - Max: 1W, Impedenza (Max) (Zzt): 1000 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 5µA @ 114V,

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1M180ZHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1M180ZHB0G

partiture parte: 121

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 180V, Tulleranza: ±5%, Potenza - Max: 1W, Impedenza (Max) (Zzt): 1200 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 5µA @ 136.8V,

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1N4740A A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4740A A0G

partiture parte: 186

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 10V, Tulleranza: ±5%, Potenza - Max: 1W, Impedenza (Max) (Zzt): 7 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 10µA @ 7.6V,

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1N4763A R1G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4763A R1G

partiture parte: 214

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 91V, Tulleranza: ±5%, Potenza - Max: 1W, Impedenza (Max) (Zzt): 250 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 5µA @ 69.2V,

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1M160Z B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1M160Z B0G

partiture parte: 206

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 160V, Tulleranza: ±5%, Potenza - Max: 1W, Impedenza (Max) (Zzt): 1100 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 5µA @ 121.6V,

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1N4743AHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4743AHA0G

partiture parte: 119

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 13V, Tulleranza: ±5%, Potenza - Max: 1W, Impedenza (Max) (Zzt): 80 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 5µA @ 35.8V,

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1N4750AHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4750AHB0G

partiture parte: 187

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 27V, Tulleranza: ±5%, Potenza - Max: 1W, Impedenza (Max) (Zzt): 35 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 5µA @ 20.6V,

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1N4754AHR1G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4754AHR1G

partiture parte: 200

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 39V, Tulleranza: ±5%, Potenza - Max: 1W, Impedenza (Max) (Zzt): 60 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 5µA @ 29.7V,

To wishlist
1N4748AHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4748AHB0G

partiture parte: 200

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 22V, Tulleranza: ±5%, Potenza - Max: 1W, Impedenza (Max) (Zzt): 23 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 5µA @ 16.7V,

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1N4750AHR1G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4750AHR1G

partiture parte: 182

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 27V, Tulleranza: ±5%, Potenza - Max: 1W, Impedenza (Max) (Zzt): 35 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 5µA @ 20.6V,

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1M160ZHR1G
Taiwan Semiconductor Corporation

1M160ZHR1G

partiture parte: 205

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 160V, Tulleranza: ±5%, Potenza - Max: 1W, Impedenza (Max) (Zzt): 1100 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 5µA @ 121.6V,

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1N4756AHR1G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4756AHR1G

partiture parte: 210

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 47V, Tulleranza: ±5%, Potenza - Max: 1W, Impedenza (Max) (Zzt): 80 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 5µA @ 35.8V,

To wishlist
1N4762AHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4762AHB0G

partiture parte: 138

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 82V, Tulleranza: ±5%, Potenza - Max: 1W, Impedenza (Max) (Zzt): 200 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 5µA @ 62.2V,

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1N4745AHR1G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4745AHR1G

partiture parte: 137

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 16V, Tulleranza: ±5%, Potenza - Max: 1W, Impedenza (Max) (Zzt): 23 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 5µA @ 12.2V,

To wishlist
1M160Z A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1M160Z A0G

partiture parte: 123

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 160V, Tulleranza: ±5%, Potenza - Max: 1W, Impedenza (Max) (Zzt): 1100 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 5µA @ 121.6V,

To wishlist
1M200ZHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1M200ZHA0G

partiture parte: 123

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 200V, Tulleranza: ±5%, Potenza - Max: 1W, Impedenza (Max) (Zzt): 1500 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 5µA @ 152V,

To wishlist
1N4742AHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4742AHB0G

partiture parte: 196

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 12V, Tulleranza: ±5%, Potenza - Max: 1W, Impedenza (Max) (Zzt): 40 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 5µA @ 22.8V,

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1N4745A TR
Central Semiconductor Corp

1N4745A TR

partiture parte: 142357

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 16V, Tulleranza: ±5%, Potenza - Max: 1W, Impedenza (Max) (Zzt): 16 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 5µA @ 12.2V, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 200mA,

To wishlist
1N6020B TR
Central Semiconductor Corp

1N6020B TR

partiture parte: 185876

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 68V, Tulleranza: ±5%, Potenza - Max: 500mW, Impedenza (Max) (Zzt): 240 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 100µA @ 52V, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.5V @ 100mA,

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