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Diodi - Raddrizzatori - Unicu

1N4586GP-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4586GP-E3/54

partiture parte: 168864

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1000V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 1A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 2µs,

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1N4595R
GeneSiC Semiconductor

1N4595R

partiture parte: 2917

Tipu di Diode: Standard, Reverse Polarity, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 150A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.5V @ 150A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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1N6098
GeneSiC Semiconductor

1N6098

partiture parte: 4336

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 40V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 50A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 700mV @ 50A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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1N3889
GeneSiC Semiconductor

1N3889

partiture parte: 12061

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 50V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 12A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.4V @ 12A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 200ns,

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1N3893R
GeneSiC Semiconductor

1N3893R

partiture parte: 9557

Tipu di Diode: Standard, Reverse Polarity, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 12A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.4V @ 12A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 200ns,

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1N1188R
GeneSiC Semiconductor

1N1188R

partiture parte: 14337

Tipu di Diode: Standard, Reverse Polarity, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 35A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 35A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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1N2131AR
GeneSiC Semiconductor

1N2131AR

partiture parte: 7092

Tipu di Diode: Standard, Reverse Polarity, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 60A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 60A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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1N1200A
GeneSiC Semiconductor

1N1200A

partiture parte: 15967

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 12A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 12A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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1N1190AR
GeneSiC Semiconductor

1N1190AR

partiture parte: 10679

Tipu di Diode: Standard, Reverse Polarity, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 40A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 40A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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1N1190A
GeneSiC Semiconductor

1N1190A

partiture parte: 11089

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 40A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 40A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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1N2138AR
GeneSiC Semiconductor

1N2138AR

partiture parte: 7743

Tipu di Diode: Standard, Reverse Polarity, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 60A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 60A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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1N5553US
Microsemi Corporation

1N5553US

partiture parte: 5530

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 800V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 9A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 2µs,

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1N4150-1
Microsemi Corporation

1N4150-1

partiture parte: 35775

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 50V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 200mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 200mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 4ns,

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1N5553
Microsemi Corporation

1N5553

partiture parte: 6439

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 800V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 9A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 2µs,

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1N6640US
Microsemi Corporation

1N6640US

partiture parte: 6262

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 75V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 300mA (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 200mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 4ns,

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1N6622
Microsemi Corporation

1N6622

partiture parte: 5407

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.4V @ 1.2A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 45ns,

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1N5804US
Microsemi Corporation

1N5804US

partiture parte: 6351

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 875mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 25ns,

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1N5552
Microsemi Corporation

1N5552

partiture parte: 6290

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 9A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 2µs,

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1N6080
Microsemi Corporation

1N6080

partiture parte: 1677

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.5V @ 37.7A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 30ns,

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1N3595US
Microsemi Corporation

1N3595US

partiture parte: 5411

Tipu di Diode: Standard, Current - Mediu Rettificatu (Io): 4A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 200mA, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 3µs,

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1N5616US
Microsemi Corporation

1N5616US

partiture parte: 8604

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 3A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 2µs,

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1N3611
Microsemi Corporation

1N3611

partiture parte: 7627

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 1A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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1N5619US
Microsemi Corporation

1N5619US

partiture parte: 6582

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.6V @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 250ns,

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1N914UR
Microsemi Corporation

1N914UR

partiture parte: 24811

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 75V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 200mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 50mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 20ns,

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1N5619
Microsemi Corporation

1N5619

partiture parte: 9843

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.6V @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 250ns,

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1N5416US
Microsemi Corporation

1N5416US

partiture parte: 5319

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.5V @ 9A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 150ns,

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1N5807
Microsemi Corporation

1N5807

partiture parte: 6580

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 50V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 875mV @ 4A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 30ns,

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1N5554
Microsemi Corporation

1N5554

partiture parte: 6400

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1000V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 9A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 2µs,

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1N5711-1
Microsemi Corporation

1N5711-1

partiture parte: 7979

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 70V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 33mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 15mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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1N5620
Microsemi Corporation

1N5620

partiture parte: 10754

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 800V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 3A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 2µs,

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1N5550
Microsemi Corporation

1N5550

partiture parte: 7965

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 9A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 2µs,

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1N5822US
Microsemi Corporation

1N5822US

partiture parte: 643

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 40V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 500mV @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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1C5819.T
SMC Diode Solutions

1C5819.T

partiture parte: 90011

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 20V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 450mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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1C5822.T
SMC Diode Solutions

1C5822.T

partiture parte: 90043

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 40V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 700mV @ 9.4A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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1N3647
Semtech Corporation

1N3647

partiture parte: 7939

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 3000V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 600mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 5V @ 250mA, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 2.5µs,

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1N5819HW-13
Diodes Incorporated

1N5819HW-13

partiture parte: 2626

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 40V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 750mV @ 3A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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