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Diodi - Raddrizzatori - Unicu

10TQ035STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

10TQ035STRR

partiture parte: 171

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 35V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 10A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 570mV @ 10A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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10TQ035STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

10TQ035STRL

partiture parte: 82

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 35V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 10A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 570mV @ 10A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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10ETS12STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETS12STRL

partiture parte: 173

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 10A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 10A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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10ETS12STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETS12STRR

partiture parte: 98

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 10A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 10A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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10ETS08STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETS08STRL

partiture parte: 157

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 800V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 10A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 10A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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10ETS08STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETS08STRR

partiture parte: 94

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 800V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 10A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 10A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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10ETF10STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF10STRR

partiture parte: 76

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1000V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 10A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.33V @ 10A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 310ns,

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10ETF10STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF10STRL

partiture parte: 99

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1000V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 10A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.33V @ 10A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 310ns,

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10ETF10S
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF10S

partiture parte: 161

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1000V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 10A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.33V @ 10A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 310ns,

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10ETF10FP
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF10FP

partiture parte: 131

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1000V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 10A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.33V @ 10A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 310ns,

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10ETF06STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF06STRL

partiture parte: 5088

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 10A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 10A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 145ns,

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10ETF06FP
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF06FP

partiture parte: 145

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 10A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 10A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 145ns,

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10ETF04FP
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF04FP

partiture parte: 152

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 10A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 10A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 145ns,

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10ETF02STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF02STRL

partiture parte: 153

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 10A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 10A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 145ns,

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10ETF02FP
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF02FP

partiture parte: 112

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 10A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 10A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 145ns,

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18TQ040
Vishay Semiconductor Diodes Division

18TQ040

partiture parte: 160

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 40V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 18A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 600mV @ 18A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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10TQ035
Vishay Semiconductor Diodes Division

10TQ035

partiture parte: 71

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 35V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 10A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 760mV @ 10A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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10TQ040
Vishay Semiconductor Diodes Division

10TQ040

partiture parte: 130

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 40V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 10A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 760mV @ 10A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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183NQ100R
Vishay Semiconductor Diodes Division

183NQ100R

partiture parte: 112

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 180A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 950mV @ 180A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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183NQ080
Vishay Semiconductor Diodes Division

183NQ080

partiture parte: 135

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 80V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 180A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 950mV @ 180A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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182NQ030
Vishay Semiconductor Diodes Division

182NQ030

partiture parte: 74

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 30V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 180A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 510mV @ 180A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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181NQ045
Vishay Semiconductor Diodes Division

181NQ045

partiture parte: 104

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 45V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 180A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 660mV @ 180A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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181NQ045R
Vishay Semiconductor Diodes Division

181NQ045R

partiture parte: 95

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 45V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 180A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 660mV @ 180A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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181NQ035
Vishay Semiconductor Diodes Division

181NQ035

partiture parte: 137

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 35V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 180A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 660mV @ 180A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

To wishlist
180NQ045
Vishay Semiconductor Diodes Division

180NQ045

partiture parte: 156

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 45V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 180A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 600mV @ 180A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

To wishlist
180NQ045R
Vishay Semiconductor Diodes Division

180NQ045R

partiture parte: 137

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 45V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 180A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 600mV @ 180A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

To wishlist
180NQ035
Vishay Semiconductor Diodes Division

180NQ035

partiture parte: 5037

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 35V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 180A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 600mV @ 180A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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123NQ100R
Vishay Semiconductor Diodes Division

123NQ100R

partiture parte: 91

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 120A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 910mV @ 120A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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123NQ080
Vishay Semiconductor Diodes Division

123NQ080

partiture parte: 5020

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 80V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 120A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 910mV @ 120A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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122NQ030R
Vishay Semiconductor Diodes Division

122NQ030R

partiture parte: 69

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 30V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 120A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 490mV @ 120A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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121NQ045R
Vishay Semiconductor Diodes Division

121NQ045R

partiture parte: 130

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 45V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 120A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 650mV @ 120A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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121NQ040
Vishay Semiconductor Diodes Division

121NQ040

partiture parte: 5051

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 40V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 120A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 650mV @ 120A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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121NQ045
Vishay Semiconductor Diodes Division

121NQ045

partiture parte: 135

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 45V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 120A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 650mV @ 120A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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121NQ035
Vishay Semiconductor Diodes Division

121NQ035

partiture parte: 74

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 35V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 120A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 650mV @ 120A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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120NQ045R
Vishay Semiconductor Diodes Division

120NQ045R

partiture parte: 120

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 45V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 120A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 570mV @ 120A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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1N6631US
Microsemi Corporation

1N6631US

partiture parte: 4317

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.4A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.4V @ 1.4A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 60ns,

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