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Diodi - Raddrizzatori - Unicu

8ETU04
Vishay Semiconductor Diodes Division

8ETU04

partiture parte: 150

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 8A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 8A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 60ns,

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8TQ100STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

8TQ100STRL

partiture parte: 128

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 8A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 720mV @ 8A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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8TQ080STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

8TQ080STRR

partiture parte: 5547

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 80V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 8A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 720mV @ 8A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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8TQ080STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

8TQ080STRL

partiture parte: 144

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 80V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 8A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 720mV @ 8A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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8EWS10STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWS10STRL

partiture parte: 184

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1000V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 8A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 8A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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8EWS12STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWS12STRL

partiture parte: 175

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 8A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 8A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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8EWS10S
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWS10S

partiture parte: 175

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1000V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 8A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 8A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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8EWS08STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWS08STRL

partiture parte: 126

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 800V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 8A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 8A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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8EWS08STR
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWS08STR

partiture parte: 197

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 800V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 8A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 8A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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8EWF10STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF10STRL

partiture parte: 5071

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1000V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 8A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 8A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 270ns,

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8EWF12STR
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF12STR

partiture parte: 126

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 8A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 8A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 270ns,

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8EWF06STR
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF06STR

partiture parte: 142

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 8A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 8A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 140ns,

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8EWF06STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF06STRR

partiture parte: 182

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 8A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 8A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 140ns,

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8EWF04STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF04STRR

partiture parte: 133

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 8A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 8A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 140ns,

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8EWF04STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF04STRL

partiture parte: 164

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 8A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 8A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 140ns,

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8EWF02STR
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF02STR

partiture parte: 174

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 8A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 8A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 140ns,

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8EWF02STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF02STRL

partiture parte: 100

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 8A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 8A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 140ns,

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8AF4NPP
Vishay Semiconductor Diodes Division

8AF4NPP

partiture parte: 131

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 50A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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8AF1RPP
Vishay Semiconductor Diodes Division

8AF1RPP

partiture parte: 115

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 50A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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8AF05RPP
Vishay Semiconductor Diodes Division

8AF05RPP

partiture parte: 5075

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 50V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 50A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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8AF05NPP
Vishay Semiconductor Diodes Division

8AF05NPP

partiture parte: 119

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 50V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 50A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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80EPS12
Vishay Semiconductor Diodes Division

80EPS12

partiture parte: 112

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 80A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.17V @ 80A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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80EPS08
Vishay Semiconductor Diodes Division

80EPS08

partiture parte: 133

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 800V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 80A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.17V @ 80A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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80EPF12
Vishay Semiconductor Diodes Division

80EPF12

partiture parte: 126

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 80A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.35V @ 80A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 480ns,

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80EPF10
Vishay Semiconductor Diodes Division

80EPF10

partiture parte: 66

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1000V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 80A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.35V @ 80A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 480ns,

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80EPF06
Vishay Semiconductor Diodes Division

80EPF06

partiture parte: 72

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 80A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.25V @ 80A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 190ns,

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80EPF02
Vishay Semiconductor Diodes Division

80EPF02

partiture parte: 115

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 80A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.25V @ 80A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 190ns,

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80EPF04
Vishay Semiconductor Diodes Division

80EPF04

partiture parte: 115

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 80A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.25V @ 80A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 190ns,

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8EWF10S
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF10S

partiture parte: 68

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1000V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 8A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 8A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 270ns,

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8EWF12S
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF12S

partiture parte: 20

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 8A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 8A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 270ns,

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8TQ100S
Vishay Semiconductor Diodes Division

8TQ100S

partiture parte: 10015

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 8A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 720mV @ 8A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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8TQ080S
Vishay Semiconductor Diodes Division

8TQ080S

partiture parte: 9992

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 80V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 8A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 720mV @ 8A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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8TQ060
Vishay Semiconductor Diodes Division

8TQ060

partiture parte: 10041

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 60V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 8A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 720mV @ 8A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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8TQ080
Vishay Semiconductor Diodes Division

8TQ080

partiture parte: 5059

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 80V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 8A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 720mV @ 8A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

To wishlist
8EWS08S
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWS08S

partiture parte: 10060

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 800V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 8A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 8A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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8EWF06S
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF06S

partiture parte: 10034

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 8A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 8A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 140ns,

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