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Memoria

S34ML02G100TFV003
Cypress Semiconductor Corp

S34ML02G100TFV003

partiture parte: 4091

Tipu di Memoria: Non-Volatile, Formatu di Memoria: FLASH, Tecnulugia: FLASH - NAND, Dimensione di memoria: 2Gb (256M x 8), Scrive Cycle Time - Parolla, Pagina: 25ns,

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S25FL132K0XBHV023
Cypress Semiconductor Corp

S25FL132K0XBHV023

partiture parte: 3612

Tipu di Memoria: Non-Volatile, Formatu di Memoria: FLASH, Tecnulugia: FLASH - NOR, Dimensione di memoria: 32Mb (4M x 8), Frequenza di u Clock: 108MHz, Scrive Cycle Time - Parolla, Pagina: 3ms,

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S34ML02G200BHV003
Cypress Semiconductor Corp

S34ML02G200BHV003

partiture parte: 6676

Tipu di Memoria: Non-Volatile, Formatu di Memoria: FLASH, Tecnulugia: FLASH - NAND, Dimensione di memoria: 2Gb (256M x 8), Scrive Cycle Time - Parolla, Pagina: 25ns,

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S29PL064J60BFW123
Cypress Semiconductor Corp

S29PL064J60BFW123

partiture parte: 3994

Tipu di Memoria: Non-Volatile, Formatu di Memoria: FLASH, Tecnulugia: FLASH - NOR, Dimensione di memoria: 64Mb (4M x 16), Scrive Cycle Time - Parolla, Pagina: 60ns,

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S29GL01GT12DHN010
Cypress Semiconductor Corp

S29GL01GT12DHN010

partiture parte: 4319

Tipu di Memoria: Non-Volatile, Formatu di Memoria: FLASH, Tecnulugia: FLASH - NOR, Dimensione di memoria: 1Gb (128M x 8), Scrive Cycle Time - Parolla, Pagina: 60ns,

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S29PL032J60BFW120
Cypress Semiconductor Corp

S29PL032J60BFW120

partiture parte: 4758

Tipu di Memoria: Non-Volatile, Formatu di Memoria: FLASH, Tecnulugia: FLASH - NOR, Dimensione di memoria: 32Mb (2M x 16), Scrive Cycle Time - Parolla, Pagina: 60ns,

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S70FS01GSDSBHM210
Cypress Semiconductor Corp

S70FS01GSDSBHM210

partiture parte: 4229

Tipu di Memoria: Non-Volatile, Formatu di Memoria: FLASH, Tecnulugia: FLASH - NOR, Dimensione di memoria: 1Gb (128M x 8), Frequenza di u Clock: 80MHz,

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S25FL164K0XMFIS13
Cypress Semiconductor Corp

S25FL164K0XMFIS13

partiture parte: 3737

Tipu di Memoria: Non-Volatile, Formatu di Memoria: FLASH, Tecnulugia: FLASH - NOR, Dimensione di memoria: 64Mb (8M x 8), Frequenza di u Clock: 108MHz, Scrive Cycle Time - Parolla, Pagina: 3ms,

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S25FL032P0XMFV011
Cypress Semiconductor Corp

S25FL032P0XMFV011

partiture parte: 5437

Tipu di Memoria: Non-Volatile, Formatu di Memoria: FLASH, Tecnulugia: FLASH - NOR, Dimensione di memoria: 32Mb (4M x 8), Frequenza di u Clock: 104MHz, Scrive Cycle Time - Parolla, Pagina: 5µs, 3ms,

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S70GL02GP11FFIR20
Cypress Semiconductor Corp

S70GL02GP11FFIR20

partiture parte: 5476

Tipu di Memoria: Non-Volatile, Formatu di Memoria: FLASH, Tecnulugia: FLASH - NOR, Dimensione di memoria: 2Gb (256M x 8, 128M x 16),

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S34ML01G200GHI003
Cypress Semiconductor Corp

S34ML01G200GHI003

partiture parte: 4065

Tipu di Memoria: Non-Volatile, Formatu di Memoria: FLASH, Tecnulugia: FLASH - NAND, Dimensione di memoria: 1Gb (128M x 8), Scrive Cycle Time - Parolla, Pagina: 25ns,

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S25FL164K0XBHV033
Cypress Semiconductor Corp

S25FL164K0XBHV033

partiture parte: 3707

Tipu di Memoria: Non-Volatile, Formatu di Memoria: FLASH, Tecnulugia: FLASH - NOR, Dimensione di memoria: 64Mb (8M x 8), Frequenza di u Clock: 108MHz, Scrive Cycle Time - Parolla, Pagina: 3ms,

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CG8406AAT
Cypress Semiconductor Corp

CG8406AAT

partiture parte: 7682

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S25FL132K0XNFV013
Cypress Semiconductor Corp

S25FL132K0XNFV013

partiture parte: 3638

Tipu di Memoria: Non-Volatile, Formatu di Memoria: FLASH, Tecnulugia: FLASH - NOR, Dimensione di memoria: 32Mb (4M x 8), Frequenza di u Clock: 108MHz, Scrive Cycle Time - Parolla, Pagina: 3ms,

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S25FL132K0XMFV043
Cypress Semiconductor Corp

S25FL132K0XMFV043

partiture parte: 3688

Tipu di Memoria: Non-Volatile, Formatu di Memoria: FLASH, Tecnulugia: FLASH - NOR, Dimensione di memoria: 32Mb (4M x 8), Frequenza di u Clock: 108MHz, Scrive Cycle Time - Parolla, Pagina: 3ms,

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CG7803AA
Cypress Semiconductor Corp

CG7803AA

partiture parte: 7828

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S25FL116K0XBHIS23
Cypress Semiconductor Corp

S25FL116K0XBHIS23

partiture parte: 3276

Tipu di Memoria: Non-Volatile, Formatu di Memoria: FLASH, Tecnulugia: FLASH - NOR, Dimensione di memoria: 16Mb (2M x 8), Frequenza di u Clock: 108MHz, Scrive Cycle Time - Parolla, Pagina: 3ms,

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S29AS008J70BFI043
Cypress Semiconductor Corp

S29AS008J70BFI043

partiture parte: 7436

Tipu di Memoria: Non-Volatile, Formatu di Memoria: FLASH, Tecnulugia: FLASH - NOR, Dimensione di memoria: 8Mb (1M x 8, 512K x 16), Scrive Cycle Time - Parolla, Pagina: 70ns,

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S34ML04G200TFB003
Cypress Semiconductor Corp

S34ML04G200TFB003

partiture parte: 4185

Tipu di Memoria: Non-Volatile, Formatu di Memoria: FLASH, Tecnulugia: FLASH - NAND, Dimensione di memoria: 2Gb (256M x 8), Scrive Cycle Time - Parolla, Pagina: 25ns,

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S40410081B1B2W003
Cypress Semiconductor Corp

S40410081B1B2W003

partiture parte: 6851

Tipu di Memoria: Non-Volatile, Formatu di Memoria: FLASH, Tecnulugia: FLASH - NAND, Dimensione di memoria: 8Gb (1G x 8), Frequenza di u Clock: 200MHz,

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S29PL127J60BFI000
Cypress Semiconductor Corp

S29PL127J60BFI000

partiture parte: 7518

Tipu di Memoria: Non-Volatile, Formatu di Memoria: FLASH, Tecnulugia: FLASH - NOR, Dimensione di memoria: 128Mb (8M x 16), Scrive Cycle Time - Parolla, Pagina: 60ns,

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S34MS01G200TFA003
Cypress Semiconductor Corp

S34MS01G200TFA003

partiture parte: 6711

Tipu di Memoria: Non-Volatile, Formatu di Memoria: FLASH, Tecnulugia: FLASH - NAND, Dimensione di memoria: 1Gb (128M x 8), Scrive Cycle Time - Parolla, Pagina: 45ns,

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S25FL129P0XBHIZ03
Cypress Semiconductor Corp

S25FL129P0XBHIZ03

partiture parte: 3515

Tipu di Memoria: Non-Volatile, Formatu di Memoria: FLASH, Tecnulugia: FLASH - NOR, Dimensione di memoria: 128Mb (16M x 8), Frequenza di u Clock: 104MHz, Scrive Cycle Time - Parolla, Pagina: 5µs, 3ms,

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S34ML16G202BHI003
Cypress Semiconductor Corp

S34ML16G202BHI003

partiture parte: 4203

Tipu di Memoria: Non-Volatile, Formatu di Memoria: FLASH, Tecnulugia: FLASH - NAND, Dimensione di memoria: 16Gb (2G x 8), Scrive Cycle Time - Parolla, Pagina: 25ns,

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CY7C1051DV33-10ZSXI
Cypress Semiconductor Corp

CY7C1051DV33-10ZSXI

partiture parte: 4924

Tipu di Memoria: Volatile, Formatu di Memoria: SRAM, Tecnulugia: SRAM - Asynchronous, Dimensione di memoria: 8Mb (512K x 16), Scrive Cycle Time - Parolla, Pagina: 10ns,

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S29GL01GP11TAIR10
Cypress Semiconductor Corp

S29GL01GP11TAIR10

partiture parte: 4758

Tipu di Memoria: Non-Volatile, Formatu di Memoria: FLASH, Tecnulugia: FLASH - NOR, Dimensione di memoria: 1Gb (128M x 8), Scrive Cycle Time - Parolla, Pagina: 110ns,

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S70FS01GSAGBHM210
Cypress Semiconductor Corp

S70FS01GSAGBHM210

partiture parte: 6366

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CY14B101LA-ZS45XIT
Cypress Semiconductor Corp

CY14B101LA-ZS45XIT

partiture parte: 5005

Tipu di Memoria: Non-Volatile, Formatu di Memoria: NVSRAM, Tecnulugia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Dimensione di memoria: 1Mb (128K x 8), Scrive Cycle Time - Parolla, Pagina: 45ns,

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S25FL116K0XMFIQ13
Cypress Semiconductor Corp

S25FL116K0XMFIQ13

partiture parte: 3406

Tipu di Memoria: Non-Volatile, Formatu di Memoria: FLASH, Tecnulugia: FLASH - NOR, Dimensione di memoria: 16Mb (2M x 8), Frequenza di u Clock: 108MHz, Scrive Cycle Time - Parolla, Pagina: 3ms,

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S34MS02G200BHI000
Cypress Semiconductor Corp

S34MS02G200BHI000

partiture parte: 10853

Tipu di Memoria: Non-Volatile, Formatu di Memoria: FLASH, Tecnulugia: FLASH - NAND, Dimensione di memoria: 2Gb (256M x 8), Scrive Cycle Time - Parolla, Pagina: 45ns,

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S25FL116K0XWEI009
Cypress Semiconductor Corp

S25FL116K0XWEI009

partiture parte: 3028

Tipu di Memoria: Non-Volatile, Formatu di Memoria: FLASH, Tecnulugia: FLASH - NOR, Dimensione di memoria: 16Mb (2M x 8), Frequenza di u Clock: 108MHz, Scrive Cycle Time - Parolla, Pagina: 3ms,

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S29AS008J70WEI049
Cypress Semiconductor Corp

S29AS008J70WEI049

partiture parte: 3225

Tipu di Memoria: Non-Volatile, Formatu di Memoria: FLASH, Tecnulugia: FLASH - NOR, Dimensione di memoria: 8Mb (1M x 8, 512K x 16), Scrive Cycle Time - Parolla, Pagina: 70ns,

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S29PL127J60BAI000
Cypress Semiconductor Corp

S29PL127J60BAI000

partiture parte: 4846

Tipu di Memoria: Non-Volatile, Formatu di Memoria: FLASH, Tecnulugia: FLASH - NOR, Dimensione di memoria: 128Mb (8M x 16), Scrive Cycle Time - Parolla, Pagina: 60ns,

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S29AS008J70BHI030
Cypress Semiconductor Corp

S29AS008J70BHI030

partiture parte: 4619

Tipu di Memoria: Non-Volatile, Formatu di Memoria: FLASH, Tecnulugia: FLASH - NOR, Dimensione di memoria: 8Mb (1M x 8, 512K x 16), Scrive Cycle Time - Parolla, Pagina: 70ns,

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S25FL129P0XBHV300
Cypress Semiconductor Corp

S25FL129P0XBHV300

partiture parte: 7500

Tipu di Memoria: Non-Volatile, Formatu di Memoria: FLASH, Tecnulugia: FLASH - NOR, Dimensione di memoria: 128Mb (16M x 8), Frequenza di u Clock: 104MHz, Scrive Cycle Time - Parolla, Pagina: 5µs, 3ms,

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S25FL164K0XMFV000
Cypress Semiconductor Corp

S25FL164K0XMFV000

partiture parte: 4620

Tipu di Memoria: Non-Volatile, Formatu di Memoria: FLASH, Tecnulugia: FLASH - NOR, Dimensione di memoria: 64Mb (8M x 8), Frequenza di u Clock: 108MHz, Scrive Cycle Time - Parolla, Pagina: 3ms,

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