Transistori - FET, MOSFET - Unicu | Prudutti Discreti à Semiconduttore | 40

DMN3110S-7

partiture parte: 173400

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 30V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 2.5A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73 mOhm @ 3.1mA, 10V,

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Diodes Incorporated

DMN1054UCB4-7

partiture parte: 125297

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 8V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 2.7A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 1A, 4.5V,

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Diodes Incorporated

ZXMN2A01E6TA

partiture parte: 174722

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 20V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 2.5A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 4A, 4.5V,

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Diodes Incorporated

DMP6110SFDF-7

partiture parte: 125687

Tipu FET: P-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 60V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 4.2A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 4.5A, 10V,

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Diodes Incorporated

DMN53D0LW-7

partiture parte: 181488

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 50V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 360mA (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 270mA, 10V,

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Diodes Incorporated

DMN10H170SFG-13

partiture parte: 103511

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 100V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 2.9A (Ta), 8.5A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 122 mOhm @ 3.3A, 10V,

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Diodes Incorporated

DMN10H170SFDE-7

partiture parte: 195132

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 100V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 2.9A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 5A, 10V,

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Diodes Incorporated

DMN6013LFGQ-13

partiture parte: 136532

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 60V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 10.3A (Ta), 45A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 10A, 10V,

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Diodes Incorporated

DMP2035UFCL-7

partiture parte: 157838

Tipu FET: P-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 20V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 6.6A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 8A, 4.5V,

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Diodes Incorporated

DMN2013UFDE-7

partiture parte: 105872

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 20V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 10.5A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 8.5A, 4.5V,

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Diodes Incorporated

DMN61D9UWQ-7

partiture parte: 9995

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 60V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 400mA (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 50mA, 5V,

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Diodes Incorporated

DMN3042LFDF-7

partiture parte: 199263

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 30V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 7A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 4A, 10V,

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Diodes Incorporated

DMN3115UDM-7

partiture parte: 165079

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 30V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 3.2A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 6A, 4.5V,

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Diodes Incorporated

DI9400T

partiture parte: 1448

Tipu FET: P-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 30V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 3.4A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 1A, 10V,

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Diodes Incorporated

DMN6140LQ-7

partiture parte: 196295

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 60V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 1.6A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 1.8A, 10V,

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Diodes Incorporated

DMP1245UFCL-7

partiture parte: 141543

Tipu FET: P-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 12V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 6.6A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 4A, 4.5V,

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Diodes Incorporated

DMG6968UQ-7

partiture parte: 172708

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 20V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 6.5A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 6.5A, 4.5V,

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Diodes Incorporated

DMP21D0UFD-7

partiture parte: 162281

Tipu FET: P-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 20V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 820mA (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 495 mOhm @ 800mA, 4.5V,

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Diodes Incorporated

ZXMN3A04KTC

partiture parte: 1448

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 30V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 12A, 10V,

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Diodes Incorporated

DMN67D8LW-7

partiture parte: 158207

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 60V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 240mA (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

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Diodes Incorporated

DMN1019USN-7

partiture parte: 163598

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 12V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 9.3A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 9.7A, 4.5V,

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Diodes Incorporated

DMP2035UFDF-7

partiture parte: 103231

Tipu FET: P-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 20V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 8.1A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 6.4A, 4.5V,

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Diodes Incorporated

DMN3009SFG-13

partiture parte: 116225

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 30V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 16A (Ta), 45A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 20A, 10V,

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Diodes Incorporated

ZXMP6A17GQTA

partiture parte: 164284

Tipu FET: P-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 60V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 3A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 2.2A, 10V,

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Diodes Incorporated

DMN55D0UTQ-7

partiture parte: 106166

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 50V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 160mA (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 100mA, 4V,

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Diodes Incorporated

DMG1013TQ-7

partiture parte: 104017

Tipu FET: P-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 20V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 460mA (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 350mA, 4.5V,

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Diodes Incorporated

DMN2011UFDE-7

partiture parte: 141417

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 20V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 11.7A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 7A, 4.5V,

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Diodes Incorporated

ZXMN2B03E6TA

partiture parte: 156010

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 20V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 4.3A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 4.3A, 4.5V,

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Diodes Incorporated

DMP2012SN-7

partiture parte: 9937

Tipu FET: P-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 20V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 700mA (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 400mA, 4.5V,

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Diodes Incorporated

DMG2301U-7

partiture parte: 135955

Tipu FET: P-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 20V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 2.5A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 2.8A, 4.5V,

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Diodes Incorporated

DMN2100UDM-7

partiture parte: 197324

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 20V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 3.3A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 6A, 4.5V,

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Diodes Incorporated

DMP2040UFDF-7

partiture parte: 141471

Tipu FET: P-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 20V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 13A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 8.9A, 4.5V,

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Diodes Incorporated

DMG3407SSN-7

partiture parte: 135683

Tipu FET: P-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 30V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 4A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 4.1A, 10V,

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Diodes Incorporated

DMN53D0L-7

partiture parte: 170335

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 50V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 500mA (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V,

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Diodes Incorporated

DMN1045UFR4-7

partiture parte: 180659

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 12V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 3.2A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 3.2A, 4.5V,

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Diodes Incorporated

DMG4468LFG-7

partiture parte: 112053

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 30V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 7.62A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 11.6A, 10V,

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