Transistori - FET, MOSFET - Unicu | Prudutti Discreti à Semiconduttore | 1

HTNFET-D

partiture parte: 199

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 55V, Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 100mA, 5V,

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Honeywell Aerospace

HTNFET-T

partiture parte: 199

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 55V, Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 100mA, 5V,

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Honeywell Aerospace

HTNFET-TC

partiture parte: 211

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 55V, Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 100mA, 5V,

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Honeywell Aerospace

HTNFET-DC

partiture parte: 199

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 55V, Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 100mA, 5V,

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