Transistori - FET, MOSFET - Unicu | Prudutti Discreti à Semiconduttore | 100

IRFB3207PBF

partiture parte: 23404

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 75V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 170A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 75A, 10V,

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Infineon Technologies

SPA08N80C3XKSA1

partiture parte: 4529

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 800V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 8A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650 mOhm @ 5.1A, 10V,

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Infineon Technologies

IPAN60R800CEXKSA1

partiture parte: 76358

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 600V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 8.4A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 2A, 10V,

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Infineon Technologies

IRFB4227PBF

partiture parte: 24892

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 200V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 65A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 46A, 10V,

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Infineon Technologies

IRL1404ZPBF

partiture parte: 30424

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 40V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1 mOhm @ 75A, 10V,

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Infineon Technologies

SPU07N60C3BKMA1

partiture parte: 5322

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 650V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 7.3A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 4.6A, 10V,

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Infineon Technologies

IRFB4110GPBF

partiture parte: 17787

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 100V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 75A, 10V,

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Infineon Technologies

IRFB7430PBF

partiture parte: 19479

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 40V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 195A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3 mOhm @ 100A, 10V,

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Infineon Technologies

IRF9540NLPBF

partiture parte: 33756

Tipu FET: P-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 100V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 23A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117 mOhm @ 14A, 10V,

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Infineon Technologies

IPB080N03LGATMA1

partiture parte: 4332

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 30V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 30A, 10V,

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Infineon Technologies

IRFP4127PBF

partiture parte: 12080

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 200V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 44A, 10V,

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Infineon Technologies

IRFP3077PBF

partiture parte: 16495

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 75V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 75A, 10V,

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Infineon Technologies

IRLI3705NPBF

partiture parte: 32621

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 55V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 52A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 28A, 10V,

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Infineon Technologies

IRF3205LPBF

partiture parte: 51271

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 55V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 110A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 62A, 10V,

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Infineon Technologies

IPAW60R180P7SXKSA1

partiture parte: 37593

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 650V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 18A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 5.6A, 10V,

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Infineon Technologies

IPB60R165CPATMA1

partiture parte: 4317

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 600V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 21A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165 mOhm @ 12A, 10V,

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Infineon Technologies

IRFB3306GPBF

partiture parte: 39640

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 60V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 75A, 10V,

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Infineon Technologies

IPA057N08N3GXKSA1

partiture parte: 36985

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 80V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7 mOhm @ 60A, 10V,

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Infineon Technologies

IRFS3207TRLPBF

partiture parte: 42357

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 75V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 170A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 75A, 10V,

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Infineon Technologies

IPP023NE7N3GXKSA1

partiture parte: 4724

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 75V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3 mOhm @ 100A, 10V,

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Infineon Technologies

IRFS4227TRLPBF

partiture parte: 42737

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 200V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 62A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 46A, 10V,

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Infineon Technologies

IPB65R065C7ATMA2

partiture parte: 4310

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 650V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 33A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 17.1A, 10V,

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Infineon Technologies

IRF3710PBF

partiture parte: 42913

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 100V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 57A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 28A, 10V,

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Infineon Technologies

IPA60R380C6XKSA1

partiture parte: 4319

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 600V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 10.6A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 3.8A, 10V,

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Infineon Technologies

IPP80N06S209AKSA2

partiture parte: 49152

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 55V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1 mOhm @ 50A, 10V,

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Infineon Technologies

IPB60R125C6ATMA1

partiture parte: 4310

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 600V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 14.5A, 10V,

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Infineon Technologies

IRFS7430TRLPBF

partiture parte: 45483

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 40V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 195A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 mOhm @ 100A, 10V,

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Infineon Technologies

IPP50R280CEXKSA1

partiture parte: 52765

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 500V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 13A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 13V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 4.2A, 13V,

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Infineon Technologies

IRFB3307ZPBF

partiture parte: 30439

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 75V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 75A, 10V,

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Infineon Technologies

IPB034N06L3GATMA1

partiture parte: 4353

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 60V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 90A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4 mOhm @ 90A, 10V,

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Infineon Technologies

IPB100N06S205ATMA4

partiture parte: 50899

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 55V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 80A, 10V,

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Infineon Technologies

IPP200N15N3GXKSA1

partiture parte: 25201

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 150V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 50A, 10V,

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Infineon Technologies

IRF6218PBF

partiture parte: 25256

Tipu FET: P-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 150V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 27A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 16A, 10V,

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Infineon Technologies

IRF3710ZLPBF

partiture parte: 45273

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 100V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 59A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 35A, 10V,

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Infineon Technologies

IPA80R650CEXKSA2

partiture parte: 36318

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 800V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 8A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650 mOhm @ 5.1A, 10V,

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Infineon Technologies

IRLB4030PBF

partiture parte: 17613

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 100V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 180A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3 mOhm @ 110A, 10V,

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