Menu
CorsaCorsa
Rfqs / ordine
0Rfqs / ordine

Transistori - FET, MOSFET - Unicu

  • Casa
  •  
  • Transistori - FET, MOSFET - Unicu
IPW65R280C6FKSA1
Infineon Technologies

IPW65R280C6FKSA1

partiture parte: 30026

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 650V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 13.8A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 4.4A, 10V,

Wishlist
IPP65R660CFDXKSA1
Infineon Technologies

IPP65R660CFDXKSA1

partiture parte: 71639

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 650V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 6A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 660 mOhm @ 2.1A, 10V,

Wishlist
SN7002NH6327XTSA1
Infineon Technologies

SN7002NH6327XTSA1

partiture parte: 1468

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 60V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 200mA (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

Wishlist
IPD122N10N3GBTMA1
Infineon Technologies

IPD122N10N3GBTMA1

partiture parte: 1414

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 100V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 59A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2 mOhm @ 46A, 10V,

Wishlist
IPB65R600C6ATMA1
Infineon Technologies

IPB65R600C6ATMA1

partiture parte: 96627

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 650V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 7.3A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 2.1A, 10V,

Wishlist
IPL60R210P6AUMA1
Infineon Technologies

IPL60R210P6AUMA1

partiture parte: 57470

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 600V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 19.2A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210 mOhm @ 7.6A, 10V,

Wishlist
IPB039N04LGATMA1
Infineon Technologies

IPB039N04LGATMA1

partiture parte: 1437

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 40V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9 mOhm @ 80A, 10V,

Wishlist
IPN50R1K4CEATMA1
Infineon Technologies

IPN50R1K4CEATMA1

partiture parte: 181536

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 500V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 4.8A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 13V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 900mA, 13V,

Wishlist
IPW65R190C6FKSA1
Infineon Technologies

IPW65R190C6FKSA1

partiture parte: 24551

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 650V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 20.2A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 7.3A, 10V,

Wishlist
IPP90N04S402AKSA1
Infineon Technologies

IPP90N04S402AKSA1

partiture parte: 1192

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 40V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 90A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 90A, 10V,

Wishlist
IPW65R310CFDFKSA1
Infineon Technologies

IPW65R310CFDFKSA1

partiture parte: 32469

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 650V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 11.4A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310 mOhm @ 4.4A, 10V,

Wishlist
IPN50R3K0CEATMA1
Infineon Technologies

IPN50R3K0CEATMA1

partiture parte: 109700

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 500V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 2.6A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 13V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 400mA, 13V,

Wishlist
IRFH7107TR2PBF
Infineon Technologies

IRFH7107TR2PBF

partiture parte: 1447

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 75V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 14A (Ta), 75A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 45A, 10V,

Wishlist
IPN70R600P7SATMA1
Infineon Technologies

IPN70R600P7SATMA1

partiture parte: 130801

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 700V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 8.5A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 1.8A, 10V,

Wishlist
IRFR4620TRLPBF
Infineon Technologies

IRFR4620TRLPBF

partiture parte: 102980

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 200V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 24A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 15A, 10V,

Wishlist
IPD530N15N3GBTMA1
Infineon Technologies

IPD530N15N3GBTMA1

partiture parte: 1479

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 150V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 21A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53 mOhm @ 18A, 10V,

Wishlist
IRLML6244TRPBF
Infineon Technologies

IRLML6244TRPBF

partiture parte: 104946

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 20V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 6.3A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 6.3A, 4.5V,

Wishlist
IPB072N15N3GE8187ATMA1
Infineon Technologies

IPB072N15N3GE8187ATMA1

partiture parte: 1460

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 150V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2 mOhm @ 100A, 10V,

Wishlist
IPB65R660CFDATMA1
Infineon Technologies

IPB65R660CFDATMA1

partiture parte: 6165

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 650V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 6A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 660 mOhm @ 2.1A, 10V,

Wishlist
IPN80R750P7ATMA1
Infineon Technologies

IPN80R750P7ATMA1

partiture parte: 9916

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 800V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 7A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 2.7A, 10V,

Wishlist
IPD038N04NGBTMA1
Infineon Technologies

IPD038N04NGBTMA1

partiture parte: 1444

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 40V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 90A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8 mOhm @ 90A, 10V,

Wishlist
IPB230N06L3GATMA1
Infineon Technologies

IPB230N06L3GATMA1

partiture parte: 1420

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 60V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 30A, 10V,

Wishlist
IRL2910PBF
Infineon Technologies

IRL2910PBF

partiture parte: 30729

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 100V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 55A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 29A, 10V,

Wishlist
IPI65R600C6XKSA1
Infineon Technologies

IPI65R600C6XKSA1

partiture parte: 76220

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 650V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 7.3A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 2.1A, 10V,

Wishlist
IPN70R2K0P7SATMA1
Infineon Technologies

IPN70R2K0P7SATMA1

partiture parte: 9932

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 700V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 3A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V,

Wishlist
IPP120N04S402AKSA1
Infineon Technologies

IPP120N04S402AKSA1

partiture parte: 1208

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 40V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1 mOhm @ 100A, 10V,

Wishlist
IPP65R280C6XKSA1
Infineon Technologies

IPP65R280C6XKSA1

partiture parte: 48437

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 650V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 13.8A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 4.4A, 10V,

Wishlist
IPI65R110CFDXKSA1
Infineon Technologies

IPI65R110CFDXKSA1

partiture parte: 19795

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 650V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 31.2A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 12.7A, 10V,

Wishlist
IPL60R085P7AUMA1
Infineon Technologies

IPL60R085P7AUMA1

partiture parte: 9982

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 650V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 39A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 11.8A, 10V,

Wishlist
IPN80R2K4P7ATMA1
Infineon Technologies

IPN80R2K4P7ATMA1

partiture parte: 9955

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 800V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 2.5A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 Ohm @ 800mA, 10V,

Wishlist
IPB60R950C6ATMA1
Infineon Technologies

IPB60R950C6ATMA1

partiture parte: 1419

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 600V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 4.4A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950 mOhm @ 1.5A, 10V,

Wishlist
IPB009N03LGATMA1
Infineon Technologies

IPB009N03LGATMA1

partiture parte: 9903

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 30V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 180A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95 mOhm @ 100A, 10V,

Wishlist
IPD90R1K2C3BTMA1
Infineon Technologies

IPD90R1K2C3BTMA1

partiture parte: 1460

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 900V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 5.1A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 2.8A, 10V,

Wishlist
IRFI4410ZGPBF
Infineon Technologies

IRFI4410ZGPBF

partiture parte: 1390

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 100V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 43A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3 mOhm @ 26A, 10V,

Wishlist
IPB65R380C6ATMA1
Infineon Technologies

IPB65R380C6ATMA1

partiture parte: 70807

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 650V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 10.6A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 3.2A, 10V,

Wishlist
IPD65R380E6BTMA1
Infineon Technologies

IPD65R380E6BTMA1

partiture parte: 93019

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 650V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 10.6A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 3.2A, 10V,

Wishlist