Diodi - Raddrizzatori - Matrici | Prudutti Discreti à Semiconduttore | 1

SS275TI12205

partiture parte: 747

Configurazione Diode: 3 Independent, Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 5A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io),

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IXYS-RF

SS150TC60110

partiture parte: 709

Configurazione Diode: 3 Common Cathode, Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 10A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 5A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io),

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IXYS-RF

SS150TA60110

partiture parte: 733

Configurazione Diode: 3 Common Anode, Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 10A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 5A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io),

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IXYS-RF

SS275TA12205

partiture parte: 711

Configurazione Diode: 3 Common Anode, Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 5A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io),

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IXYS-RF

SS275TC12205

partiture parte: 751

Configurazione Diode: 3 Common Cathode, Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1200V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 5A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io),

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IXYS-RF

SS150TI60110

partiture parte: 671

Configurazione Diode: 3 Independent, Tipu di Diode: Silicon Carbide Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io) (per Diode): 10A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 5A, Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io),

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