Transistori - FET, MOSFET - Unicu | Prudutti Discreti à Semiconduttore | 1

LSIC1MO120E0080

partiture parte: 1259

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: SiCFET (Silicon Carbide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 1200V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 39A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 20A, 20V,

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Littelfuse Inc.

LSIC1MO120E0160

partiture parte: 1034

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: SiCFET (Silicon Carbide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 1200V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 22A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 10A, 20V,

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Littelfuse Inc.

LSIC1MO120E0120

partiture parte: 1693

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: SiCFET (Silicon Carbide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 1200V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 27A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 14A, 20V,

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