Transistori - FET, MOSFET - Unicu

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Transistori - FET, MOSFET - Unicu

Nexperia USA Inc.

PMZB550UNEYL

partiture parte: 180213

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 30V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 590mA (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670 mOhm @ 590mA, 4.5V,

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Nexperia USA Inc.

PSMN041-80YLX

partiture parte: 126580

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 80V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 25A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41 mOhm @ 5A, 10V,

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Nexperia USA Inc.

PMV50UPE,215

partiture parte: 147116

Tipu FET: P-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 20V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 3.2A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66 mOhm @ 3.2A, 4.5V,

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Nexperia USA Inc.

NX3008PBK,215

partiture parte: 139409

Tipu FET: P-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 30V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 230mA (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1 Ohm @ 200mA, 4.5V,

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Nexperia USA Inc.

PMZ290UNE2YL

partiture parte: 130425

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 20V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 1.2A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320 mOhm @ 1.2A, 4.5V,

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PSMN4R0-30YL,115

Nexperia USA Inc.

PSMN4R0-30YL,115

partiture parte: 133524

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 30V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 15A, 10V,

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Nexperia USA Inc.

PMV48XPAR

partiture parte: 125231

Tipu FET: P-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 20V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 3.5A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 2.4A, 4.5V,

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PSMN020-100YS,115

Nexperia USA Inc.

PSMN020-100YS,115

partiture parte: 189766

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 100V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 43A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5 mOhm @ 15A, 10V,

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Nexperia USA Inc.

PMPB33XP,115

partiture parte: 189292

Tipu FET: P-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 20V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 5.5A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 5.5A, 4.5V,

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PSMN2R8-40PS,127

Nexperia USA Inc.

PSMN2R8-40PS,127

partiture parte: 38801

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 40V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 10A, 10V,

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Nexperia USA Inc.

PMV33UPE,215

partiture parte: 199109

Tipu FET: P-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 20V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 4.4A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 3A, 4.5V,

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Nexperia USA Inc.

PMZB290UNE,315

partiture parte: 111836

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 20V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 1A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 500mA, 4.5V,

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PSMN4R3-100PS,127

Nexperia USA Inc.

PSMN4R3-100PS,127

partiture parte: 23900

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 100V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3 mOhm @ 25A, 10V,

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Nexperia USA Inc.

PMV30XPEAR

partiture parte: 108272

Tipu FET: P-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 20V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 4.5A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 3A, 4.5V,

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PSMN5R0-80PS,127

Nexperia USA Inc.

PSMN5R0-80PS,127

partiture parte: 38384

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 80V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 15A, 10V,

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PSMN3R3-40YS,115

Nexperia USA Inc.

PSMN3R3-40YS,115

partiture parte: 164155

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 40V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 25A, 10V,

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Nexperia USA Inc.

PML260SN,118

partiture parte: 143183

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 200V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 8.8A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 294 mOhm @ 2.6A, 10V,

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Nexperia USA Inc.

PMPB10XNEZ

partiture parte: 181421

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 20V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 9A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 9A, 4.5V,

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Nexperia USA Inc.

PMPB23XNEZ

partiture parte: 124658

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 20V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 7A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7A, 4.5V,

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Nexperia USA Inc.

PHP23NQ11T,127

partiture parte: 71793

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 110V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 23A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 13A, 10V,

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PSMN034-100PS,127

Nexperia USA Inc.

PSMN034-100PS,127

partiture parte: 62612

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 100V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 32A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34.5 mOhm @ 15A, 10V,

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Nexperia USA Inc.

PMZ600UNEYL

partiture parte: 177703

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 20V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 600mA (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620 mOhm @ 600mA, 4.5V,

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PSMN1R2-25YLC,115

Nexperia USA Inc.

PSMN1R2-25YLC,115

partiture parte: 134456

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 25V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3 mOhm @ 25A, 10V,

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Nexperia USA Inc.

PMCM4401VPEZ

partiture parte: 102564

Tipu FET: P-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 12V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 3.9A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 3A, 4.5V,

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Nexperia USA Inc.

PMCM4401UNEZ

partiture parte: 162770

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 20V, Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V,

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PSMN4R6-60PS,127

Nexperia USA Inc.

PSMN4R6-60PS,127

partiture parte: 39675

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 60V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6 mOhm @ 25A, 10V,

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PSMN3R8-100BS,118

Nexperia USA Inc.

PSMN3R8-100BS,118

partiture parte: 41338

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 100V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9 mOhm @ 25A, 10V,

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Nexperia USA Inc.

PSMN021-100YLX

partiture parte: 167405

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 100V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 49A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5 mOhm @ 15A, 10V,

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Nexperia USA Inc.

PMV50XPR

partiture parte: 136553

Tipu FET: P-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 20V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 3.6A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 3.6A, 4.5V,

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Nexperia USA Inc.

PSMN1R4-30YLDX

partiture parte: 160382

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 30V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.42 mOhm @ 25A, 10V,

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Nexperia USA Inc.

PMZ600UNELYL

partiture parte: 129738

Tipu FET: N-Channel, Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 20V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 600mA (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620 mOhm @ 600mA, 4.5V,

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Nexperia USA Inc.

PMZ370UNEYL

partiture parte: 109327

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 30V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 900mA (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490 mOhm @ 500mA, 4.5V,

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Nexperia USA Inc.

PMCM6501UNEZ

partiture parte: 195673

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 20V, Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V,

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Nexperia USA Inc.

PMZB350UPE,315

partiture parte: 138063

Tipu FET: P-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 20V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 1A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 300mA, 4.5V,

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Nexperia USA Inc.

PMCM4401UPEZ

partiture parte: 142773

Tipu FET: P-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 20V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 4A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95 mOhm @ 3A, 4.5V,

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Nexperia USA Inc.

PMXB43UNEZ

partiture parte: 21530

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 20V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 3.2A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54 mOhm @ 3.2A, 4.5V,

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