Transistori - Bipolari (BJT) - Singuli, Pre-Pregiu | Prudutti Discreti à Semiconduttore | 5

PDTC124TK,115

partiture parte: 1921

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 22 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

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PDTA124EE,115

partiture parte: 1920

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 22 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 22 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V,

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PDTC124EK,115

partiture parte: 2035

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 22 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 22 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V,

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PDTC124TS,126

partiture parte: 1989

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 22 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

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PDTA144TE,115

partiture parte: 3251

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

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PDTB123TS,126

partiture parte: 3227

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 500mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V,

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PDTC143EK,115

partiture parte: 1932

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 4.7 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

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PDTA143EK,115

partiture parte: 2057

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 4.7 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

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PDTA144VK,115

partiture parte: 1942

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 5mA, 5V,

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PDTD123TS,126

partiture parte: 1954

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 500mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V,

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PDTA143XK,115

partiture parte: 1913

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

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PDTC143EEF,115

partiture parte: 1982

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 4.7 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

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PDTC123ES,126

partiture parte: 1997

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 2.2 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V,

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PDTB113ES,126

partiture parte: 1965

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 500mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 1 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 1 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V,

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PDTC124ES,126

partiture parte: 1970

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 22 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 22 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V,

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PDTA114TE,115

partiture parte: 1980

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V,

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PDTA143XE,115

partiture parte: 1941

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

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PBRP123ES,126

partiture parte: 1949

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 800mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 2.2 kOhms,

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PDTA123YS,126

partiture parte: 2027

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 5V,

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PDTA144EK,115

partiture parte: 1993

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V,

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PDTC123JE,115

partiture parte: 1946

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

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PDTB123YK,115

partiture parte: 1943

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 500mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V,

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PDTB123EK,115

partiture parte: 1946

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 500mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 2.2 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V,

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PDTC114TK,115

partiture parte: 2044

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V,

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PDTA143XS,126

partiture parte: 1934

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

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NXP USA Inc.

PDTA323TK,115

partiture parte: 1932

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 500mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 15V, Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V,

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PBRN123YK,115

partiture parte: 1929

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 600mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 40V, Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 300mA, 5V,

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PDTA123JE,115

partiture parte: 3222

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

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NXP USA Inc.

PDTA143TK,115

partiture parte: 1989

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V,

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NXP USA Inc.

PDTC114YK,115

partiture parte: 1920

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V,

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PDTD123YS,126

partiture parte: 2006

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 500mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V,

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NXP USA Inc.

PDTD123TK,115

partiture parte: 1928

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 500mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V,

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NXP USA Inc.

PDTD123YK,115

partiture parte: 1992

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 500mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V,

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NXP USA Inc.

PDTC123YS,126

partiture parte: 1995

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 5V,

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PDTA144WS,126

partiture parte: 1954

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 22 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V,

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NXP USA Inc.

PDTC124XE,115

partiture parte: 2012

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 22 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V,

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