Diodi - RF | Prudutti Discreti à Semiconduttore | 2

BAP51LX,315

partiture parte: 185406

Tipu di Diode: PIN - Single, Tensione - Peak Reverse (Max): 60V, Attuale - Max: 100mA, Capacità @ Vr, F: 0.3pF @ 5V, 1MHz, Resistenza @ Sì, F: 1.5 Ohm @ 100mA, 100MHz, Dissipazione di Potenza (Max): 140mW,

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NXP USA Inc.

BYM357X,127

partiture parte: 6984

Tipu di Diode: Standard - Single, Tensione - Peak Reverse (Max): 1500V, 600V, Attuale - Max: 7A,

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NXP USA Inc.

BYM358X,127

partiture parte: 6985

Tipu di Diode: Standard - Single, Tensione - Peak Reverse (Max): 1500V, 600V, Attuale - Max: 7A,

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NXP USA Inc.

BA277,135

partiture parte: 6983

Tipu di Diode: Standard - Single, Tensione - Peak Reverse (Max): 35V, Attuale - Max: 100mA, Capacità @ Vr, F: 1.2pF @ 6V, 1MHz, Dissipazione di Potenza (Max): 715mW,

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NXP USA Inc.

BA277,335

partiture parte: 6973

Tipu di Diode: Standard - Single, Tensione - Peak Reverse (Max): 35V, Attuale - Max: 100mA, Capacità @ Vr, F: 1.2pF @ 6V, 1MHz, Dissipazione di Potenza (Max): 715mW,

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NXP USA Inc.

BYM359X-1500,127

partiture parte: 6943

Tipu di Diode: Standard - 1 Pair Series Connection, Tensione - Peak Reverse (Max): 1500V, Attuale - Max: 10A,

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NXP USA Inc.

BA792,115

partiture parte: 6964

Tipu di Diode: Standard - Single, Tensione - Peak Reverse (Max): 35V, Attuale - Max: 100mA, Capacità @ Vr, F: 1.1pF @ 3V, 1MHz, Resistenza @ Sì, F: 700 mOhm @ 3mA, 200MHz,

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NXP USA Inc.

BAP51L,315

partiture parte: 6720

Tipu di Diode: PIN - Single, Tensione - Peak Reverse (Max): 60V, Attuale - Max: 100mA, Capacità @ Vr, F: 0.3pF @ 5V, 1MHz, Resistenza @ Sì, F: 1.5 Ohm @ 100mA, 100MHz, Dissipazione di Potenza (Max): 500mW,

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NXP USA Inc.

BAP1321-03,115

partiture parte: 4685

Tipu di Diode: PIN - Single, Tensione - Peak Reverse (Max): 60V, Attuale - Max: 100mA, Capacità @ Vr, F: 0.32pF @ 20V, 1MHz, Resistenza @ Sì, F: 1.3 Ohm @ 100mA, 100MHz, Dissipazione di Potenza (Max): 500mW,

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NXP USA Inc.

BAP63-05W,115

partiture parte: 6761

Tipu di Diode: PIN - 1 Pair Common Cathode, Tensione - Peak Reverse (Max): 50V, Attuale - Max: 100mA, Capacità @ Vr, F: 0.35pF @ 20V, 1MHz, Resistenza @ Sì, F: 1.5 Ohm @ 100mA, 100MHz, Dissipazione di Potenza (Max): 240mW,

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NXP USA Inc.

BAP63LX,315

partiture parte: 6729

Tipu di Diode: PIN - Single, Tensione - Peak Reverse (Max): 50V, Attuale - Max: 100mA, Capacità @ Vr, F: 0.3pF @ 20V, 1MHz, Resistenza @ Sì, F: 1.5 Ohm @ 100mA, 100MHz, Dissipazione di Potenza (Max): 135mW,

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NXP USA Inc.

BAP1321-04,215

partiture parte: 6720

Tipu di Diode: PIN - 1 Pair Series Connection, Tensione - Peak Reverse (Max): 60V, Attuale - Max: 100mA, Capacità @ Vr, F: 0.325pF @ 20V, 1MHz, Resistenza @ Sì, F: 1.3 Ohm @ 100mA, 100MHz, Dissipazione di Potenza (Max): 250mW,

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NXP USA Inc.

BAP63-03,115

partiture parte: 4761

Tipu di Diode: PIN - Single, Tensione - Peak Reverse (Max): 50V, Attuale - Max: 100mA, Capacità @ Vr, F: 0.32pF @ 20V, 1MHz, Resistenza @ Sì, F: 1.5 Ohm @ 100mA, 100MHz, Dissipazione di Potenza (Max): 500mW,

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NXP USA Inc.

BAP1321LX,315

partiture parte: 6807

Tipu di Diode: PIN - Single, Tensione - Peak Reverse (Max): 60V, Attuale - Max: 100mA, Capacità @ Vr, F: 0.28pF @ 20V, 1MHz, Resistenza @ Sì, F: 1.3 Ohm @ 100mA, 100MHz, Dissipazione di Potenza (Max): 130mW,

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NXP USA Inc.

BA278,115

partiture parte: 4751

Tipu di Diode: Standard - Single, Tensione - Peak Reverse (Max): 35V, Attuale - Max: 100mA, Capacità @ Vr, F: 1.2pF @ 6V, 1MHz, Resistenza @ Sì, F: 700 mOhm @ 2mA, 100MHz, Dissipazione di Potenza (Max): 715mW,

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NXP USA Inc.

BAP1321-02,115

partiture parte: 6778

Tipu di Diode: PIN - Single, Tensione - Peak Reverse (Max): 60V, Attuale - Max: 100mA, Capacità @ Vr, F: 0.32pF @ 20V, 1MHz, Resistenza @ Sì, F: 1.3 Ohm @ 100mA, 100MHz, Dissipazione di Potenza (Max): 715mW,

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NXP USA Inc.

BAP64LX,315

partiture parte: 114435

Tipu di Diode: PIN - Single, Tensione - Peak Reverse (Max): 60V, Attuale - Max: 100mA, Capacità @ Vr, F: 0.3pF @ 20V, 1MHz, Resistenza @ Sì, F: 1.5 Ohm @ 100mA, 100MHz, Dissipazione di Potenza (Max): 150mW,

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NXP USA Inc.

BAP50LX,315

partiture parte: 165433

Tipu di Diode: PIN - Single, Tensione - Peak Reverse (Max): 50V, Attuale - Max: 50mA, Capacità @ Vr, F: 0.35pF @ 5V, 1MHz, Resistenza @ Sì, F: 3 Ohm @ 10mA, 100MHz, Dissipazione di Potenza (Max): 150mW,

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NXP USA Inc.

BAP50-03,135

partiture parte: 107131

Tipu di Diode: PIN - Single, Tensione - Peak Reverse (Max): 50V, Attuale - Max: 50mA, Capacità @ Vr, F: 0.35pF @ 5V, 1MHz, Resistenza @ Sì, F: 5 Ohm @ 10mA, 100MHz, Dissipazione di Potenza (Max): 500mW,

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NXP USA Inc.

BA591,115

partiture parte: 164818

Tipu di Diode: Standard - Single, Tensione - Peak Reverse (Max): 35V, Attuale - Max: 100mA, Capacità @ Vr, F: 0.9pF @ 3V, 1MHz, Resistenza @ Sì, F: 500 mOhm @ 10mA, 100MHz, Dissipazione di Potenza (Max): 500mW,

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NXP USA Inc.

BAP64-04,215

partiture parte: 107181

Tipu di Diode: PIN - 1 Pair Series Connection, Tensione - Peak Reverse (Max): 175V, Attuale - Max: 100mA, Capacità @ Vr, F: 0.35pF @ 20V, 1MHz, Resistenza @ Sì, F: 1.35 Ohm @ 100mA, 100MHz, Dissipazione di Potenza (Max): 250mW,

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NXP USA Inc.

BAP64Q,125

partiture parte: 126317

Tipu di Diode: PIN - 2 Pair CA + CC, Tensione - Peak Reverse (Max): 100V, Attuale - Max: 100mA, Capacità @ Vr, F: 0.35pF @ 20V, 1MHz, Resistenza @ Sì, F: 1.35 Ohm @ 100mA, 100MHz, Dissipazione di Potenza (Max): 125mW,

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NXP USA Inc.

BAP70Q,125

partiture parte: 109969

Tipu di Diode: PIN - 2 Pair CA + CC, Tensione - Peak Reverse (Max): 50V, Attuale - Max: 100mA, Capacità @ Vr, F: 0.3pF @ 20V, 1MHz, Resistenza @ Sì, F: 1.9 Ohm @ 100mA, 100MHz, Dissipazione di Potenza (Max): 125mW,

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NXP USA Inc.

BAP64-04W,115

partiture parte: 153408

Tipu di Diode: PIN - 1 Pair Series Connection, Tensione - Peak Reverse (Max): 100V, Attuale - Max: 100mA, Capacità @ Vr, F: 0.35pF @ 20V, 1MHz, Resistenza @ Sì, F: 1.35 Ohm @ 100mA, 100MHz, Dissipazione di Potenza (Max): 240mW,

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NXP USA Inc.

BAT18,215

partiture parte: 174736

Tipu di Diode: Standard - Single, Tensione - Peak Reverse (Max): 35V, Attuale - Max: 100mA, Capacità @ Vr, F: 1pF @ 20V, 1MHz, Resistenza @ Sì, F: 700 mOhm @ 5mA, 200MHz,

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NXP USA Inc.

BAP64-02,115

partiture parte: 114603

Tipu di Diode: PIN - Single, Tensione - Peak Reverse (Max): 175V, Attuale - Max: 100mA, Capacità @ Vr, F: 0.35pF @ 20V, 1MHz, Resistenza @ Sì, F: 1.35 Ohm @ 100mA, 100MHz, Dissipazione di Potenza (Max): 715mW,

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NXP USA Inc.

BAP51-03,115

partiture parte: 150550

Tipu di Diode: PIN - Single, Tensione - Peak Reverse (Max): 50V, Attuale - Max: 50mA, Capacità @ Vr, F: 0.35pF @ 5V, 1MHz, Resistenza @ Sì, F: 2.5 Ohm @ 10mA, 100MHz, Dissipazione di Potenza (Max): 500mW,

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NXP USA Inc.

BA891,115

partiture parte: 107761

Tipu di Diode: Standard - Single, Tensione - Peak Reverse (Max): 35V, Attuale - Max: 100mA, Capacità @ Vr, F: 0.9pF @ 3V, 1MHz, Resistenza @ Sì, F: 500 mOhm @ 10mA, 100MHz, Dissipazione di Potenza (Max): 715mW,

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