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Transistors - Unijunction Programmable

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2N6028RLRMG
ON Semiconductor

2N6028RLRMG

partiture parte: 2509

Tensione: 40V, Dissipazione di Potenza (Max): 300mW, Voltage - Output: 11V, Tensione - Offset (Vt): 600mV, Current - Porta à Anode Leakage (Igao): 10nA, Current - Valle (Iv): 25µA,

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2N6028RLRPG
ON Semiconductor

2N6028RLRPG

partiture parte: 2537

Tensione: 40V, Dissipazione di Potenza (Max): 300mW, Voltage - Output: 11V, Tensione - Offset (Vt): 600mV, Current - Porta à Anode Leakage (Igao): 10nA, Current - Valle (Iv): 25µA,

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2N6027RL1G
ON Semiconductor

2N6027RL1G

partiture parte: 2538

Tensione: 40V, Dissipazione di Potenza (Max): 300mW, Voltage - Output: 11V, Tensione - Offset (Vt): 1.6V, Current - Porta à Anode Leakage (Igao): 10nA, Current - Valle (Iv): 50µA,

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2N6028RLRP
ON Semiconductor

2N6028RLRP

partiture parte: 2531

Tensione: 40V, Dissipazione di Potenza (Max): 300mW, Voltage - Output: 11V, Tensione - Offset (Vt): 600mV, Current - Porta à Anode Leakage (Igao): 10nA, Current - Valle (Iv): 25µA,

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2N6027RL1
ON Semiconductor

2N6027RL1

partiture parte: 2482

Tensione: 40V, Dissipazione di Potenza (Max): 300mW, Voltage - Output: 11V, Tensione - Offset (Vt): 1.6V, Current - Porta à Anode Leakage (Igao): 10nA, Current - Valle (Iv): 50µA,

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2N6028G
ON Semiconductor

2N6028G

partiture parte: 2534

Tensione: 40V, Dissipazione di Potenza (Max): 300mW, Voltage - Output: 11V, Tensione - Offset (Vt): 600mV, Current - Porta à Anode Leakage (Igao): 10nA, Current - Valle (Iv): 25µA,

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2N6027G
ON Semiconductor

2N6027G

partiture parte: 2493

Tensione: 40V, Dissipazione di Potenza (Max): 300mW, Voltage - Output: 11V, Tensione - Offset (Vt): 1.6V, Current - Porta à Anode Leakage (Igao): 10nA, Current - Valle (Iv): 50µA,

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2N6028RLRAG
ON Semiconductor

2N6028RLRAG

partiture parte: 2505

Tensione: 40V, Dissipazione di Potenza (Max): 300mW, Voltage - Output: 11V, Tensione - Offset (Vt): 600mV, Current - Porta à Anode Leakage (Igao): 10nA, Current - Valle (Iv): 25µA,

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2N6027RLRAG
ON Semiconductor

2N6027RLRAG

partiture parte: 2518

Tensione: 40V, Dissipazione di Potenza (Max): 300mW, Voltage - Output: 11V, Tensione - Offset (Vt): 1.6V, Current - Porta à Anode Leakage (Igao): 10nA, Current - Valle (Iv): 50µA,

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2N6028RLRA
ON Semiconductor

2N6028RLRA

partiture parte: 2522

Tensione: 40V, Dissipazione di Potenza (Max): 300mW, Voltage - Output: 11V, Tensione - Offset (Vt): 600mV, Current - Porta à Anode Leakage (Igao): 10nA, Current - Valle (Iv): 25µA,

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2N6027RLRA
ON Semiconductor

2N6027RLRA

partiture parte: 2457

Tensione: 40V, Dissipazione di Potenza (Max): 300mW, Voltage - Output: 11V, Tensione - Offset (Vt): 1.6V, Current - Porta à Anode Leakage (Igao): 10nA, Current - Valle (Iv): 50µA,

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