Transistori - FET, MOSFET - Unicu

RSQ025P03TR

RSQ025P03TR

partiture parte: 153318

Tipu FET: P-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 30V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 2.5A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 2.5A, 10V,

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RW1C015UNT2R

RW1C015UNT2R

partiture parte: 135294

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 20V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 1.5A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

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RCD075N19TL

RCD075N19TL

partiture parte: 155691

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 190V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 7.5A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 336 mOhm @ 3.8A, 10V,

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RQ5E070BNTCL

RQ5E070BNTCL

partiture parte: 165597

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 30V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 7A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.1 mOhm @ 7A, 10V,

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RQ1C065UNTR

RQ1C065UNTR

partiture parte: 134911

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 20V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 6.5A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 6.5A, 4.5V,

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RW1A013ZPT2R

RW1A013ZPT2R

partiture parte: 128530

Tipu FET: P-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 12V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 1.5A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260 mOhm @ 1.3A, 4.5V,

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RHK003N06T146

RHK003N06T146

partiture parte: 161506

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 60V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 300mA (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 300mA, 10V,

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RTQ035P02TR

RTQ035P02TR

partiture parte: 199653

Tipu FET: P-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 20V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 3.5A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 3.5A, 4.5V,

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RCD051N20TL

RCD051N20TL

partiture parte: 139235

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 200V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 5A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 760 mOhm @ 2.5A, 10V,

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RF4E070BNTR

RF4E070BNTR

partiture parte: 188723

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 30V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 7A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.6 mOhm @ 7A, 10V,

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RSD175N10TL

RSD175N10TL

partiture parte: 166757

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 100V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 17.5A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 8.8A, 10V,

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QS5U12TR

QS5U12TR

partiture parte: 158355

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 30V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 2A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2A, 4.5V,

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RSD045P05TL

RSD045P05TL

partiture parte: 182937

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RSQ020N03TR

RSQ020N03TR

partiture parte: 104364

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 30V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 2A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134 mOhm @ 2A, 10V,

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RQ6E035ATTCR

RQ6E035ATTCR

partiture parte: 110584

Tipu FET: P-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 30V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 3.5A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 3.5A, 10V,

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RSS065N03TB

RSS065N03TB

partiture parte: 158522

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 30V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 6.5A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 6.5A, 10V,

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RUE002N05TL

RUE002N05TL

partiture parte: 133604

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 50V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 200mA (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2 Ohm @ 200mA, 4.5V,

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RW1C026ZPT2CR

RW1C026ZPT2CR

partiture parte: 152183

Tipu FET: P-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 20V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 2.5A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 2.5A, 4.5V,

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RQ6C050BCTCR

RQ6C050BCTCR

partiture parte: 168054

Tipu FET: P-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 20V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 5A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 5A, 4.5V,

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RZL025P01TR

RZL025P01TR

partiture parte: 189891

Tipu FET: P-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 12V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 2.5A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61 mOhm @ 2.5A, 4.5V,

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RTF020P02TL

RTF020P02TL

partiture parte: 174074

Tipu FET: P-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 20V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 2A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 2A, 4.5V,

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RCD041N25TL

RCD041N25TL

partiture parte: 193051

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 250V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 4A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1300 mOhm @ 2A, 10V,

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RQ1A070APTR

RQ1A070APTR

partiture parte: 151697

Tipu FET: P-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 12V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 7A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 7A, 4.5V,

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RRQ030P03TR

RRQ030P03TR

partiture parte: 113344

Tipu FET: P-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 30V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 3A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 3A, 10V,

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RZL035P01TR

RZL035P01TR

partiture parte: 100339

Tipu FET: P-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 12V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 3.5A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 3.5A, 4.5V,

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RZR040P01TL

RZR040P01TL

partiture parte: 163770

Tipu FET: P-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 12V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 4A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4A, 4.5V,

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RSR020P03TL

RSR020P03TL

partiture parte: 117713

Tipu FET: P-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 30V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 2A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 2A, 10V,

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RQ1C075UNTR

RQ1C075UNTR

partiture parte: 124672

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 20V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 7.5A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 7.5A, 4.5V,

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RQ1E100XNTR

RQ1E100XNTR

partiture parte: 176127

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 30V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 10A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 10A, 10V,

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RT1A040ZPTR

RT1A040ZPTR

partiture parte: 139590

Tipu FET: P-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 12V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 4A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4A, 4.5V,

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US5U29TR

US5U29TR

partiture parte: 115566

Tipu FET: P-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 20V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 1A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390 mOhm @ 1A, 4.5V,

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QS5U21TR

QS5U21TR

partiture parte: 106016

Tipu FET: P-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 20V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 1.5A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

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