Memoria | Circuiti Integrati (IC) | 22

BR24G02FVM-3GTTR

partiture parte: 103563

Tipu di Memoria: Non-Volatile, Formatu di Memoria: EEPROM, Tecnulugia: EEPROM, Dimensione di memoria: 2Kb (256 x 8), Frequenza di u Clock: 400kHz, Scrive Cycle Time - Parolla, Pagina: 5ms,

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Rohm Semiconductor

BR24G01FJ-3GTE2

partiture parte: 190320

Tipu di Memoria: Non-Volatile, Formatu di Memoria: EEPROM, Tecnulugia: EEPROM, Dimensione di memoria: 1Kb (128 x 8), Frequenza di u Clock: 400kHz, Scrive Cycle Time - Parolla, Pagina: 5ms,

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Rohm Semiconductor

BR24G02FJ-3GTE2

partiture parte: 164829

Tipu di Memoria: Non-Volatile, Formatu di Memoria: EEPROM, Tecnulugia: EEPROM, Dimensione di memoria: 2Kb (256 x 8), Frequenza di u Clock: 400kHz, Scrive Cycle Time - Parolla, Pagina: 5ms,

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Rohm Semiconductor

BR24G02FVJ-3GTE2

partiture parte: 144108

Tipu di Memoria: Non-Volatile, Formatu di Memoria: EEPROM, Tecnulugia: EEPROM, Dimensione di memoria: 2Kb (256 x 8), Frequenza di u Clock: 400kHz, Scrive Cycle Time - Parolla, Pagina: 5ms,

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Rohm Semiconductor

BR93G56F-3GTE2

partiture parte: 10786

Tipu di Memoria: Non-Volatile, Formatu di Memoria: EEPROM, Tecnulugia: EEPROM, Dimensione di memoria: 2Kb (256 x 8, 128 x 16), Frequenza di u Clock: 3MHz, Scrive Cycle Time - Parolla, Pagina: 5ms,

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BR93G46F-3BGTE2

partiture parte: 52

Tipu di Memoria: Non-Volatile, Formatu di Memoria: EEPROM, Tecnulugia: EEPROM, Dimensione di memoria: 1Kb (64 x 16), Frequenza di u Clock: 3MHz, Scrive Cycle Time - Parolla, Pagina: 5ms,

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Rohm Semiconductor

BR24G04FVM-3AGTTR

partiture parte: 125423

Tipu di Memoria: Non-Volatile, Formatu di Memoria: EEPROM, Tecnulugia: EEPROM, Dimensione di memoria: 4Kb (512 x 8), Frequenza di u Clock: 1MHz, Scrive Cycle Time - Parolla, Pagina: 5ms,

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BR93G46NUX-3ATTR

partiture parte: 121

Tipu di Memoria: Non-Volatile, Formatu di Memoria: EEPROM, Tecnulugia: EEPROM, Dimensione di memoria: 1Kb (64 x 16), Frequenza di u Clock: 3MHz, Scrive Cycle Time - Parolla, Pagina: 5ms,

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BR24G08NUX-3TTR

partiture parte: 171646

Tipu di Memoria: Non-Volatile, Formatu di Memoria: EEPROM, Tecnulugia: EEPROM, Dimensione di memoria: 8Kb (1K x 8), Frequenza di u Clock: 400kHz, Scrive Cycle Time - Parolla, Pagina: 5ms,

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BR24G04NUX-3ATTR

partiture parte: 121681

Tipu di Memoria: Non-Volatile, Formatu di Memoria: EEPROM, Tecnulugia: EEPROM, Dimensione di memoria: 4Kb (512 x 8), Frequenza di u Clock: 1MHz, Scrive Cycle Time - Parolla, Pagina: 5ms,

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BR24T02FV-WE2

partiture parte: 177059

Tipu di Memoria: Non-Volatile, Formatu di Memoria: EEPROM, Tecnulugia: EEPROM, Dimensione di memoria: 2Kb (256 x 8), Frequenza di u Clock: 400kHz, Scrive Cycle Time - Parolla, Pagina: 5ms,

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Rohm Semiconductor

BR24G04F-3AGTE2

partiture parte: 192640

Tipu di Memoria: Non-Volatile, Formatu di Memoria: EEPROM, Tecnulugia: EEPROM, Dimensione di memoria: 4Kb (512 x 8), Frequenza di u Clock: 1MHz, Scrive Cycle Time - Parolla, Pagina: 5ms,

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BR24G01F-3AGTE2

partiture parte: 117987

Tipu di Memoria: Non-Volatile, Formatu di Memoria: EEPROM, Tecnulugia: EEPROM, Dimensione di memoria: 1Kb (128 x 8), Frequenza di u Clock: 1MHz, Scrive Cycle Time - Parolla, Pagina: 5ms,

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Rohm Semiconductor

BR24G02FVM-3AGTTR

partiture parte: 191525

Tipu di Memoria: Non-Volatile, Formatu di Memoria: EEPROM, Tecnulugia: EEPROM, Dimensione di memoria: 2Kb (256 x 8), Frequenza di u Clock: 1MHz, Scrive Cycle Time - Parolla, Pagina: 5ms,

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Rohm Semiconductor

BR24G01FVT-3AGE2

partiture parte: 102116

Tipu di Memoria: Non-Volatile, Formatu di Memoria: EEPROM, Tecnulugia: EEPROM, Dimensione di memoria: 1Kb (128 x 8), Frequenza di u Clock: 1MHz, Scrive Cycle Time - Parolla, Pagina: 5ms,

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BR24G16FV-3GTE2

partiture parte: 199942

Tipu di Memoria: Non-Volatile, Formatu di Memoria: EEPROM, Tecnulugia: EEPROM, Dimensione di memoria: 16Kb (2K x 8), Frequenza di u Clock: 400kHz, Scrive Cycle Time - Parolla, Pagina: 5ms,

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BR24G08F-3GTE2

partiture parte: 198537

Tipu di Memoria: Non-Volatile, Formatu di Memoria: EEPROM, Tecnulugia: EEPROM, Dimensione di memoria: 8Kb (1K x 8), Frequenza di u Clock: 400kHz, Scrive Cycle Time - Parolla, Pagina: 5ms,

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BRCF016GWZ-3E2

partiture parte: 9914

Tipu di Memoria: Non-Volatile, Formatu di Memoria: EEPROM, Tecnulugia: EEPROM, Dimensione di memoria: 16Kb (2K x 8), Frequenza di u Clock: 1MHz, Scrive Cycle Time - Parolla, Pagina: 5ms,

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Rohm Semiconductor

BR24G02NUX-3ATTR

partiture parte: 157144

Tipu di Memoria: Non-Volatile, Formatu di Memoria: EEPROM, Tecnulugia: EEPROM, Dimensione di memoria: 2Kb (256 x 8), Frequenza di u Clock: 1MHz, Scrive Cycle Time - Parolla, Pagina: 5ms,

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BR24G01NUX-3ATTR

partiture parte: 179444

Tipu di Memoria: Non-Volatile, Formatu di Memoria: EEPROM, Tecnulugia: EEPROM, Dimensione di memoria: 1Kb (128 x 8), Frequenza di u Clock: 1MHz, Scrive Cycle Time - Parolla, Pagina: 5ms,

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Rohm Semiconductor

BR24G02NUX-3TTR

partiture parte: 151261

Tipu di Memoria: Non-Volatile, Formatu di Memoria: EEPROM, Tecnulugia: EEPROM, Dimensione di memoria: 2Kb (256 x 8), Frequenza di u Clock: 400kHz, Scrive Cycle Time - Parolla, Pagina: 5ms,

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Rohm Semiconductor

BR24G04F-3GTE2

partiture parte: 178809

Tipu di Memoria: Non-Volatile, Formatu di Memoria: EEPROM, Tecnulugia: EEPROM, Dimensione di memoria: 4Kb (512 x 8), Frequenza di u Clock: 400kHz, Scrive Cycle Time - Parolla, Pagina: 5ms,

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BR24G16FVT-3GE2

partiture parte: 129852

Tipu di Memoria: Non-Volatile, Formatu di Memoria: EEPROM, Tecnulugia: EEPROM, Dimensione di memoria: 16Kb (2K x 8), Frequenza di u Clock: 400kHz, Scrive Cycle Time - Parolla, Pagina: 5ms,

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Rohm Semiconductor

BR24G02FVT-3AGE2

partiture parte: 189915

Tipu di Memoria: Non-Volatile, Formatu di Memoria: EEPROM, Tecnulugia: EEPROM, Dimensione di memoria: 2Kb (256 x 8), Frequenza di u Clock: 1MHz, Scrive Cycle Time - Parolla, Pagina: 5ms,

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Rohm Semiconductor

BR24G08FV-3GTE2

partiture parte: 145932

Tipu di Memoria: Non-Volatile, Formatu di Memoria: EEPROM, Tecnulugia: EEPROM, Dimensione di memoria: 8Kb (1K x 8), Frequenza di u Clock: 400kHz, Scrive Cycle Time - Parolla, Pagina: 5ms,

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Rohm Semiconductor

BR24G08FVT-3GE2

partiture parte: 168008

Tipu di Memoria: Non-Volatile, Formatu di Memoria: EEPROM, Tecnulugia: EEPROM, Dimensione di memoria: 8Kb (1K x 8), Frequenza di u Clock: 400kHz, Scrive Cycle Time - Parolla, Pagina: 5ms,

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BR24T02FV-WGE2

partiture parte: 73

Tipu di Memoria: Non-Volatile, Formatu di Memoria: EEPROM, Tecnulugia: EEPROM, Dimensione di memoria: 2Kb (256 x 8), Frequenza di u Clock: 400kHz, Scrive Cycle Time - Parolla, Pagina: 5ms,

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BR24G04FV-3GTE2

partiture parte: 194009

Tipu di Memoria: Non-Volatile, Formatu di Memoria: EEPROM, Tecnulugia: EEPROM, Dimensione di memoria: 4Kb (512 x 8), Frequenza di u Clock: 400kHz, Scrive Cycle Time - Parolla, Pagina: 5ms,

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BR24G01F-3GTE2

partiture parte: 135976

Tipu di Memoria: Non-Volatile, Formatu di Memoria: EEPROM, Tecnulugia: EEPROM, Dimensione di memoria: 1Kb (128 x 8), Frequenza di u Clock: 400kHz, Scrive Cycle Time - Parolla, Pagina: 5ms,

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BR24G01FVT-3GE2

partiture parte: 159146

Tipu di Memoria: Non-Volatile, Formatu di Memoria: EEPROM, Tecnulugia: EEPROM, Dimensione di memoria: 1Kb (128 x 8), Frequenza di u Clock: 400kHz, Scrive Cycle Time - Parolla, Pagina: 5ms,

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BR24G01FVM-3GTTR

partiture parte: 138288

Tipu di Memoria: Non-Volatile, Formatu di Memoria: EEPROM, Tecnulugia: EEPROM, Dimensione di memoria: 1Kb (128 x 8), Frequenza di u Clock: 400kHz, Scrive Cycle Time - Parolla, Pagina: 5ms,

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Rohm Semiconductor

BR24G02FV-3GTE2

partiture parte: 114618

Tipu di Memoria: Non-Volatile, Formatu di Memoria: EEPROM, Tecnulugia: EEPROM, Dimensione di memoria: 2Kb (256 x 8), Frequenza di u Clock: 400kHz, Scrive Cycle Time - Parolla, Pagina: 5ms,

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BR24G01NUX-3TTR

partiture parte: 106614

Tipu di Memoria: Non-Volatile, Formatu di Memoria: EEPROM, Tecnulugia: EEPROM, Dimensione di memoria: 1Kb (128 x 8), Frequenza di u Clock: 400kHz, Scrive Cycle Time - Parolla, Pagina: 5ms,

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Rohm Semiconductor

BR24G02FVT-3GE2

partiture parte: 104066

Tipu di Memoria: Non-Volatile, Formatu di Memoria: EEPROM, Tecnulugia: EEPROM, Dimensione di memoria: 2Kb (256 x 8), Frequenza di u Clock: 400kHz, Scrive Cycle Time - Parolla, Pagina: 5ms,

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MSM5117400F-60J3FAR1

partiture parte: 4252

Tipu di Memoria: Volatile, Formatu di Memoria: DRAM, Tecnulugia: DRAM, Dimensione di memoria: 16Mb (4M x 4), Scrive Cycle Time - Parolla, Pagina: 110ns,

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MSM5117400F-60T3DR1

partiture parte: 4261

Tipu di Memoria: Volatile, Formatu di Memoria: DRAM, Tecnulugia: DRAM, Dimensione di memoria: 16Mb (4M x 4), Scrive Cycle Time - Parolla, Pagina: 110ns,

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