Transistori - FET, MOSFET - Unicu

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Transistori - FET, MOSFET - Unicu

Vishay Siliconix

IRL510SPBF

partiture parte: 98875

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 100V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 5.6A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540 mOhm @ 3.4A, 5V,

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Vishay Siliconix

SIHB12N50E-GE3

partiture parte: 27872

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 500V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 10.5A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 6A, 10V,

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SIS402DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIS402DN-T1-GE3

partiture parte: 80914

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 30V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 35A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 19A, 10V,

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SI4160DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4160DY-T1-GE3

partiture parte: 124223

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 30V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 25.4A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9 mOhm @ 15A, 10V,

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Vishay Siliconix

IRFR110TRLPBF

partiture parte: 118950

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 100V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 4.3A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540 mOhm @ 2.6A, 10V,

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Vishay Siliconix

IRFR210TRLPBF

partiture parte: 67208

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 200V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 2.6A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 1.6A, 10V,

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SIR402DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIR402DP-T1-GE3

partiture parte: 80883

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 30V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 35A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 20A, 10V,

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Vishay Siliconix

SI1031X-T1-GE3

partiture parte: 175616

Tipu FET: P-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 20V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 155mA (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 150mA, 4.5V,

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Vishay Siliconix

IRL540STRLPBF

partiture parte: 42208

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 100V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 28A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77 mOhm @ 17A, 5V,

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Vishay Siliconix

SIHG17N60D-GE3

partiture parte: 28402

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 600V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 17A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340 mOhm @ 8A, 10V,

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Vishay Siliconix

IRF730ASPBF

partiture parte: 66

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 400V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 5.5A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 3.3A, 10V,

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IRFR9020TRLPBF

partiture parte: 79488

Tipu FET: P-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 50V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 9.9A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 5.7A, 10V,

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Vishay Siliconix

IRFR210TRPBF

partiture parte: 191304

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 200V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 2.6A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 1.6A, 10V,

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SIR800DP-T1-RE3

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SIR800DP-T1-RE3

partiture parte: 154

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 20V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3 mOhm @ 15A, 10V,

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SI7634BDP-T1-E3

Vishay Siliconix

SI7634BDP-T1-E3

partiture parte: 128249

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 30V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 40A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4 mOhm @ 15A, 10V,

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Vishay Siliconix

IRFU220PBF

partiture parte: 48180

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 200V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 4.8A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 2.9A, 10V,

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Vishay Siliconix

IRFBF20STRLPBF

partiture parte: 52759

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 900V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 1.7A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 1A, 10V,

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Vishay Siliconix

IRLIZ24GPBF

partiture parte: 135

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 60V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 14A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 8.4A, 5V,

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Vishay Siliconix

IRFD224

partiture parte: 70768

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 250V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 630mA (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 380mA, 10V,

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Vishay Siliconix

IRF9Z34STRRPBF

partiture parte: 43986

Tipu FET: P-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 60V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 18A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 11A, 10V,

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SIHFS11N50A-GE3

Vishay Siliconix

SIHFS11N50A-GE3

partiture parte: 131

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 500V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 11A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520 mOhm @ 6.6A, 10V,

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Vishay Siliconix

IRFZ24STRRPBF

partiture parte: 52678

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 60V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 17A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 10A, 10V,

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SI7658ADP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7658ADP-T1-GE3

partiture parte: 47683

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 30V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2 mOhm @ 20A, 10V,

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Vishay Siliconix

IRLZ14PBF

partiture parte: 73294

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 60V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 10A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 6A, 5V,

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Vishay Siliconix

IRFD420PBF

partiture parte: 35740

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 500V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 370mA (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 220mA, 10V,

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SI4835DDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4835DDY-T1-GE3

partiture parte: 180820

Tipu FET: P-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 30V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 13A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 10A, 10V,

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Vishay Siliconix

IRF614PBF

partiture parte: 96706

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 250V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 2.7A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 1.6A, 10V,

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Vishay Siliconix

IRF820LPBF

partiture parte: 77845

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 500V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 2.5A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1.5A, 10V,

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Vishay Siliconix

IRLR120TRRPBF

partiture parte: 99710

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 100V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 7.7A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 4.6A, 5V,

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Vishay Siliconix

SIHP17N60D-E3

partiture parte: 39978

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 600V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 17A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340 mOhm @ 8A, 10V,

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Vishay Siliconix

IRF634STRRPBF

partiture parte: 60256

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 250V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 8.1A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 5.1A, 10V,

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Vishay Siliconix

IRF710STRLPBF

partiture parte: 78230

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 400V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 2A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6 Ohm @ 1.2A, 10V,

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Vishay Siliconix

IRF740STRRPBF

partiture parte: 42265

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 400V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 10A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 6A, 10V,

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IRF840LCSTRRPBF

Vishay Siliconix

IRF840LCSTRRPBF

partiture parte: 41990

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 500V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 8A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850 mOhm @ 4.8A, 10V,

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Vishay Siliconix

IRFBF30

partiture parte: 15025

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 900V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 3.6A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7 Ohm @ 2.2A, 10V,

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Vishay Siliconix

IRLI520GPBF

partiture parte: 70768

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 100V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 7.2A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 4.3A, 5V,

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