Diodi - Zener - Single | Prudutti Discreti à Semiconduttore | 100

BZG05B6V8-E3-TR

partiture parte: 6901

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 6.8V, Tulleranza: ±2.06%, Potenza - Max: 1.25W, Impedenza (Max) (Zzt): 3.5 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 1µA @ 4V, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 200mA,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B6V8-E3-TR3

partiture parte: 6834

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 6.8V, Tulleranza: ±2.06%, Potenza - Max: 1.25W, Impedenza (Max) (Zzt): 3.5 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 1µA @ 4V, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 200mA,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B6V2-HE3-TR

partiture parte: 6887

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 6.2V, Tulleranza: ±1.94%, Potenza - Max: 1.25W, Impedenza (Max) (Zzt): 4 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 1µA @ 3V, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 200mA,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B6V2-E3-TR3

partiture parte: 6928

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 6.2V, Tulleranza: ±1.94%, Potenza - Max: 1.25W, Impedenza (Max) (Zzt): 4 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 1µA @ 3V, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 200mA,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B68-HE3-TR3

partiture parte: 6848

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 68V, Tulleranza: ±2%, Potenza - Max: 1.25W, Impedenza (Max) (Zzt): 130 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 500nA @ 51V, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 200mA,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B68-E3-TR3

partiture parte: 6906

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 68V, Tulleranza: ±2%, Potenza - Max: 1.25W, Impedenza (Max) (Zzt): 130 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 500nA @ 51V, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 200mA,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B68-HE3-TR

partiture parte: 6923

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 68V, Tulleranza: ±2%, Potenza - Max: 1.25W, Impedenza (Max) (Zzt): 130 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 500nA @ 51V, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 200mA,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B68-E3-TR

partiture parte: 6920

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 68V, Tulleranza: ±2%, Potenza - Max: 1.25W, Impedenza (Max) (Zzt): 130 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 500nA @ 51V, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 200mA,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B62-HE3-TR3

partiture parte: 5441

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 62V, Tulleranza: ±2%, Potenza - Max: 1.25W, Impedenza (Max) (Zzt): 125 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 500nA @ 47V, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 200mA,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B62-HE3-TR

partiture parte: 6919

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 62V, Tulleranza: ±2%, Potenza - Max: 1.25W, Impedenza (Max) (Zzt): 125 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 500nA @ 47V, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 200mA,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B62-E3-TR3

partiture parte: 6851

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 62V, Tulleranza: ±2%, Potenza - Max: 1.25W, Impedenza (Max) (Zzt): 125 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 500nA @ 47V, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 200mA,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B5V6-HE3-TR3

partiture parte: 3726

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 5.6V, Tulleranza: ±1.96%, Potenza - Max: 1.25W, Impedenza (Max) (Zzt): 7 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 1µA @ 2V, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 200mA,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B62-E3-TR

partiture parte: 6877

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 62V, Tulleranza: ±2%, Potenza - Max: 1.25W, Impedenza (Max) (Zzt): 125 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 500nA @ 47V, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 200mA,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B5V6-HE3-TR

partiture parte: 6880

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 5.6V, Tulleranza: ±1.96%, Potenza - Max: 1.25W, Impedenza (Max) (Zzt): 7 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 1µA @ 2V, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 200mA,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B5V6-E3-TR3

partiture parte: 6885

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 5.6V, Tulleranza: ±1.96%, Potenza - Max: 1.25W, Impedenza (Max) (Zzt): 7 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 1µA @ 2V, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 200mA,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B5V1-HE3-TR3

partiture parte: 6909

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 5.1V, Tulleranza: ±1.96%, Potenza - Max: 1.25W, Impedenza (Max) (Zzt): 10 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 1µA @ 1.5V, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 200mA,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B5V6-E3-TR

partiture parte: 6864

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 5.6V, Tulleranza: ±1.96%, Potenza - Max: 1.25W, Impedenza (Max) (Zzt): 7 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 1µA @ 2V, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 200mA,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B5V1-E3-TR3

partiture parte: 6878

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 5.1V, Tulleranza: ±1.96%, Potenza - Max: 1.25W, Impedenza (Max) (Zzt): 10 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 1µA @ 1.5V, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 200mA,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B5V1-HE3-TR

partiture parte: 3721

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 5.1V, Tulleranza: ±1.96%, Potenza - Max: 1.25W, Impedenza (Max) (Zzt): 10 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 1µA @ 1.5V, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 200mA,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B56-HE3-TR3

partiture parte: 3743

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 56V, Tulleranza: ±2%, Potenza - Max: 1.25W, Impedenza (Max) (Zzt): 120 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 500nA @ 43V, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 200mA,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B5V1-E3-TR

partiture parte: 6918

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 5.1V, Tulleranza: ±1.96%, Potenza - Max: 1.25W, Impedenza (Max) (Zzt): 10 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 1µA @ 1.5V, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 200mA,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B56-E3-TR3

partiture parte: 6833

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 56V, Tulleranza: ±2%, Potenza - Max: 1.25W, Impedenza (Max) (Zzt): 120 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 500nA @ 43V, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 200mA,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B56-HE3-TR

partiture parte: 6883

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 56V, Tulleranza: ±2%, Potenza - Max: 1.25W, Impedenza (Max) (Zzt): 120 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 500nA @ 43V, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 200mA,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B56-E3-TR

partiture parte: 6851

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 56V, Tulleranza: ±2%, Potenza - Max: 1.25W, Impedenza (Max) (Zzt): 120 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 500nA @ 43V, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 200mA,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B51-HE3-TR

partiture parte: 6907

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 51V, Tulleranza: ±2%, Potenza - Max: 1.25W, Impedenza (Max) (Zzt): 115 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 500nA @ 39V, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 200mA,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B51-E3-TR

partiture parte: 6907

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 51V, Tulleranza: ±2%, Potenza - Max: 1.25W, Impedenza (Max) (Zzt): 115 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 500nA @ 39V, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 200mA,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B4V7-HE3-TR

partiture parte: 6870

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 4.7V, Tulleranza: ±1.91%, Potenza - Max: 1.25W, Impedenza (Max) (Zzt): 13 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 3µA @ 1V, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 200mA,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B4V7-E3-TR

partiture parte: 6884

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 4.7V, Tulleranza: ±1.91%, Potenza - Max: 1.25W, Impedenza (Max) (Zzt): 13 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 3µA @ 1V, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 200mA,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B4V3-HE3-TR

partiture parte: 6837

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 4.3V, Tulleranza: ±2.09%, Potenza - Max: 1.25W, Impedenza (Max) (Zzt): 13 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 3µA @ 1V, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 200mA,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B4V3-E3-TR3

partiture parte: 6851

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 4.3V, Tulleranza: ±2.09%, Potenza - Max: 1.25W, Impedenza (Max) (Zzt): 13 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 3µA @ 1V, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 200mA,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B4V3-E3-TR

partiture parte: 6857

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 4.3V, Tulleranza: ±2.09%, Potenza - Max: 1.25W, Impedenza (Max) (Zzt): 13 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 3µA @ 1V, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 200mA,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B47-HE3-TR

partiture parte: 6832

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 47V, Tulleranza: ±2%, Potenza - Max: 1.25W, Impedenza (Max) (Zzt): 90 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 500nA @ 36V, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 200mA,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B47-HE3-TR3

partiture parte: 3736

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 47V, Tulleranza: ±2%, Potenza - Max: 1.25W, Impedenza (Max) (Zzt): 90 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 500nA @ 36V, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 200mA,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B47-E3-TR3

partiture parte: 6827

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 47V, Tulleranza: ±2%, Potenza - Max: 1.25W, Impedenza (Max) (Zzt): 90 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 500nA @ 36V, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 200mA,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B47-E3-TR

partiture parte: 6837

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 47V, Tulleranza: ±2%, Potenza - Max: 1.25W, Impedenza (Max) (Zzt): 90 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 500nA @ 36V, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 200mA,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B43-HE3-TR3

partiture parte: 6830

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 43V, Tulleranza: ±2%, Potenza - Max: 1.25W, Impedenza (Max) (Zzt): 50 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 500nA @ 33V, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 200mA,

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