Diodi - Raddrizzatori - Unicu | Prudutti Discreti à Semiconduttore | 100

125NQ015R

partiture parte: 10066

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 15V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 120A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 390mV @ 120A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

125NQ015

partiture parte: 10023

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 15V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 120A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 390mV @ 120A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

123NQ100

partiture parte: 10053

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 120A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 910mV @ 120A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

122NQ030

partiture parte: 10007

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 30V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 120A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 490mV @ 120A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

10MQ100NTR

partiture parte: 9999

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2.1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 780mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

10MQ060NTR

partiture parte: 10046

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 60V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2.1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 710mV @ 1.5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

10MQ100N

partiture parte: 10040

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2.1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 780mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

10MQ060N

partiture parte: 10029

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 60V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2.1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 710mV @ 1.5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

10MQ040N

partiture parte: 10065

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 40V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2.1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 540mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETS08S

partiture parte: 10028

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 800V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 10A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 10A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF06S

partiture parte: 10065

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 10A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 10A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 145ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETS08

partiture parte: 9998

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 800V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 10A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 10A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF06

partiture parte: 10064

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 10A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 10A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 145ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

10BQ100TR

partiture parte: 10063

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 780mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF02S

partiture parte: 10053

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 10A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 10A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 145ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

10BQ040

partiture parte: 9982

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 40V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 530mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

10BQ015

partiture parte: 9993

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 15V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 350mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

10BQ015TR

partiture parte: 10010

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 15V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 350mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5822/54

partiture parte: 4999

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 40V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 525mV @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5407-E3/54

partiture parte: 149424

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 800V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 3A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5818/54

partiture parte: 10003

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 30V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 550mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5402-E3/54

partiture parte: 121104

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 3A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5405-E3/54

partiture parte: 102195

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 500V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 3A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5402/54

partiture parte: 9941

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 3A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

1N2059

partiture parte: 9980

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 300V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 250A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.25V @ 250A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

1N3291RA

partiture parte: 9917

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 100A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.5V @ 100A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

19TQ015

partiture parte: 4997

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 15V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 19A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 360mV @ 19A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4004/54

partiture parte: 9921

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 1A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4006/54

partiture parte: 9952

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 800V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 1A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4001/54

partiture parte: 9956

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 50V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 1A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4002/54

partiture parte: 9955

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 1A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

10BQ100

partiture parte: 9888

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 780mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4007/54

partiture parte: 9893

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1000V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 1A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4005/54

partiture parte: 9964

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 1A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

1N6481-E3/96

partiture parte: 185547

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 1A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

1N6484-E3/96

partiture parte: 187847

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1000V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 1A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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