Diodi - Raddrizzatori - Unicu

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Diodi - Raddrizzatori - Unicu

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS4PK-M3/86A

partiture parte: 186584

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 800V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2.4A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 962mV @ 2A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 1.8µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PM-M3/86A

partiture parte: 187999

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1000V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.8A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.9V @ 4A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 120ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

AS4PDHM3_A/I

partiture parte: 135245

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2.4A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 4A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 1.8µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

AS4PD-M3/87A

partiture parte: 127822

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2.4A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 962mV @ 2A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 1.8µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PGHM3_A/I

partiture parte: 174356

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.8A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.6V @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 140ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PGHM3_A/H

partiture parte: 177979

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2.1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 1.2µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PJ-M3/86A

partiture parte: 109158

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.8A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.6V @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 140ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

AU3PG-M3/86A

partiture parte: 184562

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.7A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.9V @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 75ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PMHM3_A/H

partiture parte: 177979

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1000V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2.1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 1.2µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PDHM3_A/I

partiture parte: 186864

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2.1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 1.2µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

AS4PK-M3/87A

partiture parte: 148380

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 800V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2.4A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 962mV @ 2A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 1.8µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

AS4PGHM3_A/H

partiture parte: 128798

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2.4A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 4A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 1.8µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PJ-M3/87A

partiture parte: 155636

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.6V @ 4A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 140ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PGHM3_A/I

partiture parte: 186827

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2.1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 1.2µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

AU3PGHM3_A/H

partiture parte: 121577

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.7A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.9V @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 75ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

AU2PJ-M3/87A

partiture parte: 122155

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.6A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.9V @ 2A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 75ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PJ-M3/87A

partiture parte: 128015

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2.1A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 920mV @ 1.5A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 1.2µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

AU2PDHM3_A/H

partiture parte: 166052

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.6A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.9V @ 2A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 75ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PD-M3/87A

partiture parte: 159290

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2.1A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 920mV @ 1.5A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 1.2µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

AU3PJHM3_A/H

partiture parte: 121580

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.7A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.9V @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 75ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PK-M3/86A

partiture parte: 165935

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 800V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.6A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.9V @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 120ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

AU2PG-M3/87A

partiture parte: 182163

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.6A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.9V @ 2A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 75ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

AU2PGHM3_A/I

partiture parte: 174379

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.6A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.9V @ 2A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 75ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

AS4PMHM3_A/I

partiture parte: 135168

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1000V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2.4A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 4A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 1.8µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

AU3PD-M3/86A

partiture parte: 184511

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.7A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.9V @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 75ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PKHM3_A/I

partiture parte: 186833

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 800V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2.1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 1.2µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PKHM3_A/I

partiture parte: 128841

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 800V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.8A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.9V @ 4A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 120ns,

Wishlist

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS4PKHM3_A/I

partiture parte: 135251

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 800V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2.4A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 4A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 1.8µs,

Wishlist

Vishay Semiconductor Diodes Division

AU3PDHM3_A/H

partiture parte: 121540

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.7A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.9V @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 75ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PM-M3/86A

partiture parte: 102068

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1000V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2.1A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 920mV @ 1.5A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 1.2µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PK-M3/86A

partiture parte: 187986

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 800V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.8A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.9V @ 4A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 120ns,

Wishlist

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PMHM3_A/H

partiture parte: 122741

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1000V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.8A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.9V @ 4A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 120ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PDHM3_A/H

partiture parte: 166073

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.8A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.6V @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 140ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PJHM3_A/H

partiture parte: 122789

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.6V @ 4A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 140ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PJ-M3/87A

partiture parte: 142597

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.8A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.6V @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 140ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

AU2PG-M3/86A

partiture parte: 147505

Tipu di Diode: Avalanche, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.6A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.9V @ 2A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 75ns,

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