Diodi - Raddrizzatori - Unicu | Prudutti Discreti à Semiconduttore | 100

VIT2060G-M3/4W

partiture parte: 138736

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 60V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 10A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 900mV @ 10A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

SS1P3-M3/84A

partiture parte: 193765

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 30V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 450mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

S1PJ-M3/85A

partiture parte: 100120

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 1A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 1.8µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

S5M-M3/57T

partiture parte: 123217

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1000V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.15V @ 5A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 2.5µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VF30100S-M3/4W

partiture parte: 107855

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 30A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 910mV @ 30A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

SS3P5-M3/84A

partiture parte: 181295

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 50V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 780mV @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VFT2080S-M3/4W

partiture parte: 152821

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 80V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 20A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 920mV @ 20A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

S5B-M3/57T

partiture parte: 151529

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.15V @ 5A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 2.5µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

UF5400-E3/73

partiture parte: 117642

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 50V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 50ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRS360-M3/9AT

partiture parte: 158724

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 60V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 740mV @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

CS2M-E3/H

partiture parte: 140

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1000V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.2V @ 2A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 2.1µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

S3G-M3/57T

partiture parte: 196236

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.15V @ 2.5A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 2.5µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

V20150S-E3/4W

partiture parte: 109177

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 150V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 20A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.43V @ 20A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

SS22-M3/52T

partiture parte: 174384

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 20V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 500mV @ 2A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

SS33-M3/57T

partiture parte: 183313

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 30V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 500mV @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

SS3P6HM3/85A

partiture parte: 176160

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 60V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 780mV @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

CS2G-E3/I

partiture parte: 116001

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.6A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.15V @ 2A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 2.1µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

SB560A-E3/54

partiture parte: 168374

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 60V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 700mV @ 5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

MSS2P2-M3/89A

partiture parte: 179575

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 20V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 600mV @ 2A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

V35PWM12HM3/I

partiture parte: 127748

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 120V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 35A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.05V @ 35A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

V35PWM15-M3/I

partiture parte: 132835

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 150V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 35A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.4V @ 35A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

GPP10M-E3/54

partiture parte: 166791

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1000V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 1A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRF10100-M3/4W

partiture parte: 136926

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 10A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 800mV @ 10A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

S1PGHM3/84A

partiture parte: 133922

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 1A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 1.8µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

SS24-M3/5BT

partiture parte: 111461

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 40V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 500mV @ 2A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

S3M-E3/9AT

partiture parte: 165840

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1000V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.15V @ 2.5A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 2.5µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

GPP20G-E3/54

partiture parte: 159287

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 2A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

S2A-M3/5BT

partiture parte: 145700

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 50V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.15V @ 1.5A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 2µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

SSB43LHE3_A/I

partiture parte: 138

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 30V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 4A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 490mV @ 4A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

UG4A-E3/73

partiture parte: 124753

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 50V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 4A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 950mV @ 4A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 30ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

V20PWM60-M3/I

partiture parte: 187987

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 60V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 20A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 700mV @ 20A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

V30DM120HM3/I

partiture parte: 112605

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 120V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 30A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.06V @ 30A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

S2BHE3_A/H

partiture parte: 111000

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.15V @ 1.5A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 2µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

UF1007-M3/54

partiture parte: 181161

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1000V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 75ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

RS3G-M3/57T

partiture parte: 122801

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 2.5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 150ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

V35PWM12-M3/I

partiture parte: 127734

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 120V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 35A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.05V @ 35A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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