Diodi - Raddrizzatori - Unicu | Prudutti Discreti à Semiconduttore | 100

VSSAF515HM3/I

partiture parte: 149

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 150V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

SS2H10HE3_A/I

partiture parte: 74

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 790mV @ 2A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-2EJH01-M3/6A

partiture parte: 190720

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 930mV @ 2A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 25ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VT760-M3/4W

partiture parte: 187980

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 60V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 7.5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 800mV @ 7.5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

V35PW45HM3/I

partiture parte: 127826

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 45V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 35A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 620mV @ 35A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VF20150SG-E3/4W

partiture parte: 114578

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 150V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 20A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.6V @ 20A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

SL22-M3/5BT

partiture parte: 115980

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 20V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 500mV @ 2A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

SS2P2-M3/85A

partiture parte: 193084

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 20V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 550mV @ 2A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

SS24HE3_A/I

partiture parte: 186225

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 40V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 500mV @ 2A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-3ECH02-M3/9AT

partiture parte: 196329

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 900mV @ 3A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

UG1D-E3/54

partiture parte: 180982

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 950mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 25ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VSSAF5L45-M3/6B

partiture parte: 160883

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 45V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 560mV @ 5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VSSAF3M6HM3/H

partiture parte: 111

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 60V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 620mV @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

UF4007-M3/54

partiture parte: 145293

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 1000V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 75ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

S5K-E3/9AT

partiture parte: 156999

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 800V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.15V @ 5A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 2.5µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VF30120SG-E3/4W

partiture parte: 86503

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 120V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 30A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.28V @ 30A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

S5J-M3/9AT

partiture parte: 121009

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.15V @ 5A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 2.5µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

SB260S-E3/54

partiture parte: 112915

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 60V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 680mV @ 2A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

SS35-M3/57T

partiture parte: 189098

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 50V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 750mV @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

RS2B-M3/5BT

partiture parte: 105816

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 1.5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 150ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

UF1006-E3/54

partiture parte: 193931

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 800V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.7V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 75ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VI20150SG-M3/4W

partiture parte: 126308

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 150V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 20A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.6V @ 20A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VI20120SG-E3/4W

partiture parte: 103198

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 120V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 20A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.33V @ 20A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

MUR460-M3/54

partiture parte: 174959

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 4A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.28V @ 4A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 75ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

SS29-E3/5BT

partiture parte: 147738

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 90V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 750mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

SB320-E3/73

partiture parte: 189884

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 20V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 490mV @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

SL42-M3/9AT

partiture parte: 106939

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 20V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 4A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 420mV @ 4A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

SSC54-E3/9AT

partiture parte: 114127

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 40V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 490mV @ 5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-2EJH02HM3/6B

partiture parte: 173669

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 930mV @ 2A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 25ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

V30120S-E3/4W

partiture parte: 73689

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 120V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 30A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 30A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

UF4003-M3/73

partiture parte: 175038

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 50ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

SS2P5HM3/84A

partiture parte: 101352

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 50V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 700mV @ 2A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

UG1A-M3/54

partiture parte: 166210

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 50V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 950mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 25ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

RS3BHE3_A/H

partiture parte: 192995

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 2.5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 150ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

GPP10B-E3/73

partiture parte: 150203

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 1A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

SS36-M3/9AT

partiture parte: 129630

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 60V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 750mV @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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