Diodi - Raddrizzatori - Unicu | Prudutti Discreti à Semiconduttore | 100

V10P20-M3/86A

partiture parte: 92650

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2.4A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.34V @ 10A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

V12PM12HM3_A/H

partiture parte: 193867

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 120V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 4.1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 830mV @ 12A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

V15P12-M3/H

partiture parte: 111

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 120V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 15A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 810mV @ 15A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

V8P10HM3_A/H

partiture parte: 132074

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 8A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 680mV @ 8A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

V10PM10-M3/H

partiture parte: 147

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 10A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 750mV @ 10A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

V10P45HM3_A/I

partiture parte: 90

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 45V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 10A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 570mV @ 10A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

V15P45HM3_A/I

partiture parte: 99

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 45V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 15A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 580mV @ 15A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

V15P15-M3/I

partiture parte: 158

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 150V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 15A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.08V @ 15A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-4ESH02-M3/86A

partiture parte: 197554

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 4A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 930mV @ 4A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 20ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

SS5P9-M3/87A

partiture parte: 101174

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 90V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 880mV @ 5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

V8P12-M3/87A

partiture parte: 151897

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 120V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 8A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 840mV @ 8A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

V12P45HM3_A/H

partiture parte: 162

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 45V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 12A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 580mV @ 12A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

S4PKHM3_A/H

partiture parte: 194865

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 800V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 4A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 4A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 2.5µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

SS5P5HM3_A/I

partiture parte: 180126

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 50V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 690mV @ 5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6ESU06-M3/87A

partiture parte: 160846

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 6A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.3V @ 6A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 58ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

SS12P4S-M3/86A

partiture parte: 152154

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 30V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 12A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 600mV @ 12A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

SS5P4HM3_A/H

partiture parte: 199365

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 40V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 520mV @ 5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

V8P12HM3_A/I

partiture parte: 164307

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 120V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 8A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 840mV @ 8A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

SS10PH9HM3_A/I

partiture parte: 85

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 90V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 10A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 880mV @ 10A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

SS5P4-M3/87A

partiture parte: 105841

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 40V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 520mV @ 5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

V8PM12-M3/87A

partiture parte: 158269

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 120V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3.6A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 620mV @ 4A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

SS15P3S-M3/87A

partiture parte: 184120

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 30V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 15A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 570mV @ 15A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

V15PM12HM3/I

partiture parte: 171

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 120V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 15A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 840mV @ 15A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

SS3P5LHM3_A/I

partiture parte: 183280

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 50V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 600mV @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

SS10PH45-M3/87A

partiture parte: 121493

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 45V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 10A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 720mV @ 10A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

SS5P9HM3_A/H

partiture parte: 125

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 90V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 880mV @ 5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

V12P8HM3_A/I

partiture parte: 166

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 80V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 12A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 660mV @ 12A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

S4PB-M3/87A

partiture parte: 113911

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 4A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 4A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 2.5µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

SS10P6HM3_A/H

partiture parte: 176141

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 60V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 7A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 670mV @ 7A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

SS15P3S-M3/86A

partiture parte: 163661

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 30V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 15A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 570mV @ 15A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

S4PD-M3/87A

partiture parte: 130181

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 4A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.1V @ 4A, Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 2.5µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

V15P10HM3/I

partiture parte: 100

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 15A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 710mV @ 15A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6ESH06HM3/87A

partiture parte: 146227

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 600V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 6A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.8V @ 6A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 40ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

SS10P3-M3/86A

partiture parte: 197697

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 30V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 10A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 560mV @ 10A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

V10P45HM3_A/H

partiture parte: 110

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 45V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 10A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 570mV @ 10A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

V12PM12HM3_A/I

partiture parte: 193816

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 120V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 4.1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 830mV @ 12A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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