| Tippu | Descrizzione |
| Statutu di a Parte | Obsolete |
|---|---|
| Tipu FET | - |
| Tecnulugia | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss) | 650V |
| Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C | 8A (Tc) (158°C) |
| Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 170 mOhm @ 8A |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Carica di Porta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | - |
| Capacità di Ingressu (Ciss) (Max) @ Vds | 720pF @ 35V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di Potenza (Max) | 200W (Tc) |
| Temperatura Operativa | -55°C ~ 225°C (TJ) |
| Tipu di Montaggio | Surface Mount |
| Package di Dispositivi di Fornitore | TO-276 |
| Pacchettu / Case | TO-276AA |
| Status Rohs | ROHS cumpiacente |
|---|---|
| Livellu di Sensibilità Umidità (MSL) | Inapplichevule |
| Statutu di vita | Obsolet / fine di a vita |
| Stock Categuria | Stock dispunibule |
