| Tippu | Descrizzione |
| Statutu di a Parte | Active |
|---|---|
| Tipu FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Funzione FET | Silicon Carbide (SiC) |
| Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C | 113A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 80A, 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 4mA (Typ) |
| Carica di Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 197nC @ 20V |
| Capacità di Ingressu (Ciss) (Max) @ Vds | 3800pF @ 1000V |
| Potenza - Max | 500W |
| Temperatura Operativa | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipu di Montaggio | Chassis Mount |
| Pacchettu / Case | SP3 |
| Package di Dispositivi di Fornitore | SP3 |
| Status Rohs | ROHS cumpiacente |
|---|---|
| Livellu di Sensibilità Umidità (MSL) | Inapplichevule |
| Statutu di vita | Obsolet / fine di a vita |
| Stock Categuria | Stock dispunibule |
