Tippu | Descrizzione |
Statutu di a Parte | Active |
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Tipu FET | 2 N-Channel (Dual) |
Funzione FET | Silicon Carbide (SiC) |
Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C | 180A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.6V @ 50mA |
Carica di Porta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Capacità di Ingressu (Ciss) (Max) @ Vds | 900pF @ 10V |
Potenza - Max | 880W |
Temperatura Operativa | 175°C (TJ) |
Tipu di Montaggio | Surface Mount |
Pacchettu / Case | Module |
Package di Dispositivi di Fornitore | Module |
Status Rohs | ROHS cumpiacente |
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Livellu di Sensibilità Umidità (MSL) | Inapplichevule |
Statutu di vita | Obsolet / fine di a vita |
Stock Categuria | Stock dispunibule |