Tippu | Descrizzione |
Statutu di a Parte | Active |
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Tipu FET | P-Channel |
Tecnulugia | MOSFET (Metal Oxide) |
Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss) | 20V |
Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C | 200mA (Ta) |
Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 Ohm @ 100mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Carica di Porta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±10V |
Capacità di Ingressu (Ciss) (Max) @ Vds | 175pF @ 15V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di Potenza (Max) | 350mW (Ta) |
Temperatura Operativa | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipu di Montaggio | Surface Mount |
Package di Dispositivi di Fornitore | X2-DFN1006-3 |
Pacchettu / Case | 3-XFDFN |
Status Rohs | ROHS cumpiacente |
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Livellu di Sensibilità Umidità (MSL) | Inapplichevule |
Statutu di vita | Obsolet / fine di a vita |
Stock Categuria | Stock dispunibule |