Tippu | Descrizzione |
Statutu di a Parte | Active |
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Tipu FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
Funzione FET | GaNFET (Gallium Nitride) |
Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss) | 60V |
Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C | 9.5A, 38A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.5 mOhm @ 20A, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 2mA |
Carica di Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 2.7nC @ 5V |
Capacità di Ingressu (Ciss) (Max) @ Vds | 300pF @ 30V |
Potenza - Max | - |
Temperatura Operativa | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipu di Montaggio | Surface Mount |
Pacchettu / Case | Die |
Package di Dispositivi di Fornitore | Die |
Status Rohs | ROHS cumpiacente |
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Livellu di Sensibilità Umidità (MSL) | Inapplichevule |
Statutu di vita | Obsolet / fine di a vita |
Stock Categuria | Stock dispunibule |