| Tippu | Descrizzione |
| Statutu di a Parte | Active |
|---|---|
| Tipu FET | N-Channel |
| Tecnulugia | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss) | 1200V |
| Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C | 40A (Tc) |
| Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 117 mOhm @ 10A, 18V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 4.4mA |
| Carica di Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 106nC @ 18V |
| Vgs (Max) | +22V, -6V |
| Capacità di Ingressu (Ciss) (Max) @ Vds | 2080pF @ 800V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di Potenza (Max) | 262W (Tc) |
| Temperatura Operativa | 175°C (TJ) |
| Tipu di Montaggio | Through Hole |
| Package di Dispositivi di Fornitore | TO-247 |
| Pacchettu / Case | TO-247-3 |
| Status Rohs | ROHS cumpiacente |
|---|---|
| Livellu di Sensibilità Umidità (MSL) | Inapplichevule |
| Statutu di vita | Obsolet / fine di a vita |
| Stock Categuria | Stock dispunibule |
