Tippu | Descrizzione |
Statutu di a Parte | Active |
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Tipu FET | N-Channel |
Tecnulugia | SiCFET (Silicon Carbide) |
Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss) | 650V |
Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C | 39A (Tc) |
Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 78 mOhm @ 13A, 18V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.6V @ 6.67mA |
Carica di Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 58nC @ 18V |
Vgs (Max) | +22V, -4V |
Capacità di Ingressu (Ciss) (Max) @ Vds | 852pF @ 500V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di Potenza (Max) | 165W (Tc) |
Temperatura Operativa | 175°C (TJ) |
Tipu di Montaggio | Through Hole |
Package di Dispositivi di Fornitore | TO-247N |
Pacchettu / Case | TO-247-3 |
Status Rohs | ROHS cumpiacente |
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Livellu di Sensibilità Umidità (MSL) | Inapplichevule |
Statutu di vita | Obsolet / fine di a vita |
Stock Categuria | Stock dispunibule |