Tippu | Descrizzione |
Statutu di a Parte | Obsolete |
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Tipu FET | N-Channel |
Tecnulugia | GaNFET (Gallium Nitride) |
Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss) | 650V |
Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C | 20A (Tc) |
Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130 mOhm @ 13A, 8V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.6V @ 300µA |
Carica di Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 8V |
Vgs (Max) | ±18V |
Capacità di Ingressu (Ciss) (Max) @ Vds | 760pF @ 400V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di Potenza (Max) | 96W (Tc) |
Temperatura Operativa | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipu di Montaggio | Surface Mount |
Package di Dispositivi di Fornitore | 4-PQFN (8x8) |
Pacchettu / Case | 4-PowerDFN |
Status Rohs | ROHS cumpiacente |
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Livellu di Sensibilità Umidità (MSL) | Inapplichevule |
Statutu di vita | Obsolet / fine di a vita |
Stock Categuria | Stock dispunibule |