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Diodi - RF

BA779-HG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BA779-HG3-08

partiture parte: 161486

Tipu di Diode: PIN - Single, Tensione - Peak Reverse (Max): 30V, Attuale - Max: 50mA, Capacità @ Vr, F: 0.5pF @ 0V, 100MHz, Resistenza @ Sì, F: 50 Ohm @ 1.5mA, 100MHz,

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BA783-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BA783-HE3-18

partiture parte: 4718

Tipu di Diode: PIN - Single, Tensione - Peak Reverse (Max): 35V, Attuale - Max: 100mA, Capacità @ Vr, F: 1.2pF @ 3V, 1MHz, Resistenza @ Sì, F: 1.2 Ohm @ 3mA, 1GHz,

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BA983-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BA983-GS08

partiture parte: 6957

Tipu di Diode: Standard - Single, Tensione - Peak Reverse (Max): 35V, Attuale - Max: 100mA, Capacità @ Vr, F: 1.2pF @ 3V, 100MHz, Resistenza @ Sì, F: 1.2 Ohm @ 3mA, 200MHz,

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BA679S-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BA679S-GS08

partiture parte: 166161

Tipu di Diode: PIN - Single, Tensione - Peak Reverse (Max): 30V, Attuale - Max: 50mA, Capacità @ Vr, F: 0.5pF @ 0V, 100MHz, Resistenza @ Sì, F: 50 Ohm @ 1.5mA, 100MHz,

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BAP51-06W,115
NXP USA Inc.

BAP51-06W,115

partiture parte: 126194

Tipu di Diode: PIN - 1 Pair Common Anode, Tensione - Peak Reverse (Max): 50V, Attuale - Max: 50mA, Capacità @ Vr, F: 0.35pF @ 5V, 1MHz, Resistenza @ Sì, F: 2.5 Ohm @ 10mA, 100MHz, Dissipazione di Potenza (Max): 240mW,

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BAP64-05,215
NXP USA Inc.

BAP64-05,215

partiture parte: 197180

Tipu di Diode: PIN - 1 Pair Common Cathode, Tensione - Peak Reverse (Max): 175V, Attuale - Max: 100mA, Capacità @ Vr, F: 0.35pF @ 20V, 1MHz, Resistenza @ Sì, F: 1.35 Ohm @ 100mA, 100MHz, Dissipazione di Potenza (Max): 250mW,

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BAP65-02,115
NXP USA Inc.

BAP65-02,115

partiture parte: 120733

Tipu di Diode: PIN - Single, Tensione - Peak Reverse (Max): 30V, Attuale - Max: 100mA, Capacità @ Vr, F: 0.375pF @ 20V, 1MHz, Resistenza @ Sì, F: 350 mOhm @ 100mA, 100MHz, Dissipazione di Potenza (Max): 715mW,

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BAP70-03,115
NXP USA Inc.

BAP70-03,115

partiture parte: 105697

Tipu di Diode: PIN - Single, Tensione - Peak Reverse (Max): 50V, Attuale - Max: 100mA, Capacità @ Vr, F: 0.25pF @ 20V, 1MHz, Resistenza @ Sì, F: 1.9 Ohm @ 100mA, 100MHz, Dissipazione di Potenza (Max): 500mW,

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BAP51-02,115
NXP USA Inc.

BAP51-02,115

partiture parte: 136236

Tipu di Diode: PIN - Single, Tensione - Peak Reverse (Max): 60V, Attuale - Max: 50mA, Capacità @ Vr, F: 0.35pF @ 5V, 1MHz, Resistenza @ Sì, F: 2.5 Ohm @ 10mA, 100MHz, Dissipazione di Potenza (Max): 715mW,

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BAP64-06,215
NXP USA Inc.

BAP64-06,215

partiture parte: 136626

Tipu di Diode: PIN - 1 Pair Common Anode, Tensione - Peak Reverse (Max): 175V, Attuale - Max: 100mA, Capacità @ Vr, F: 0.35pF @ 20V, 1MHz, Resistenza @ Sì, F: 1.35 Ohm @ 100mA, 100MHz, Dissipazione di Potenza (Max): 250mW,

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BAP51LX,315
NXP USA Inc.

BAP51LX,315

partiture parte: 185406

Tipu di Diode: PIN - Single, Tensione - Peak Reverse (Max): 60V, Attuale - Max: 100mA, Capacità @ Vr, F: 0.3pF @ 5V, 1MHz, Resistenza @ Sì, F: 1.5 Ohm @ 100mA, 100MHz, Dissipazione di Potenza (Max): 140mW,

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BYM357X,127
NXP USA Inc.

BYM357X,127

partiture parte: 6984

Tipu di Diode: Standard - Single, Tensione - Peak Reverse (Max): 1500V, 600V, Attuale - Max: 7A,

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BYM358X,127
NXP USA Inc.

BYM358X,127

partiture parte: 6985

Tipu di Diode: Standard - Single, Tensione - Peak Reverse (Max): 1500V, 600V, Attuale - Max: 7A,

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BA277,135
NXP USA Inc.

BA277,135

partiture parte: 6983

Tipu di Diode: Standard - Single, Tensione - Peak Reverse (Max): 35V, Attuale - Max: 100mA, Capacità @ Vr, F: 1.2pF @ 6V, 1MHz, Dissipazione di Potenza (Max): 715mW,

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BA277,335
NXP USA Inc.

BA277,335

partiture parte: 6973

Tipu di Diode: Standard - Single, Tensione - Peak Reverse (Max): 35V, Attuale - Max: 100mA, Capacità @ Vr, F: 1.2pF @ 6V, 1MHz, Dissipazione di Potenza (Max): 715mW,

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BYM359X-1500,127
NXP USA Inc.

BYM359X-1500,127

partiture parte: 6943

Tipu di Diode: Standard - 1 Pair Series Connection, Tensione - Peak Reverse (Max): 1500V, Attuale - Max: 10A,

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BAR6304E6327HTSA1
Infineon Technologies

BAR6304E6327HTSA1

partiture parte: 9979

Tipu di Diode: PIN - 1 Pair Series Connection, Tensione - Peak Reverse (Max): 50V, Attuale - Max: 100mA, Capacità @ Vr, F: 0.3pF @ 5V, 1MHz, Resistenza @ Sì, F: 1 Ohm @ 10mA, 100MHz, Dissipazione di Potenza (Max): 250mW,

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BAT1706WH6327XTSA1
Infineon Technologies

BAT1706WH6327XTSA1

partiture parte: 159230

Tipu di Diode: Schottky - 1 Pair Common Anode, Tensione - Peak Reverse (Max): 4V, Attuale - Max: 130mA, Capacità @ Vr, F: 0.75pF @ 0V, 1MHz, Resistenza @ Sì, F: 15 Ohm @ 5mA, 10kHz, Dissipazione di Potenza (Max): 150mW,

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BAR6306WH6327XTSA1
Infineon Technologies

BAR6306WH6327XTSA1

partiture parte: 117665

Tipu di Diode: PIN - 1 Pair Common Anode, Tensione - Peak Reverse (Max): 50V, Attuale - Max: 100mA, Capacità @ Vr, F: 0.3pF @ 5V, 1MHz, Resistenza @ Sì, F: 1 Ohm @ 10mA, 100MHz, Dissipazione di Potenza (Max): 250mW,

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BAT6302VH6327XTSA1
Infineon Technologies

BAT6302VH6327XTSA1

partiture parte: 164113

Tipu di Diode: Schottky - Single, Tensione - Peak Reverse (Max): 3V, Attuale - Max: 100mA, Capacità @ Vr, F: 0.85pF @ 0.2V, 1MHz, Dissipazione di Potenza (Max): 100mW,

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BAT68E6327HTSA1
Infineon Technologies

BAT68E6327HTSA1

partiture parte: 9936

Tipu di Diode: Schottky - Single, Tensione - Peak Reverse (Max): 8V, Attuale - Max: 130mA, Capacità @ Vr, F: 1pF @ 0V, 1MHz, Resistenza @ Sì, F: 10 Ohm @ 5mA, 10kHz, Dissipazione di Potenza (Max): 150mW,

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BAR 63-02W H6433
Infineon Technologies

BAR 63-02W H6433

partiture parte: 6965

Tipu di Diode: PIN - Single, Tensione - Peak Reverse (Max): 50V, Attuale - Max: 100mA, Capacità @ Vr, F: 0.3pF @ 5V, 1MHz, Resistenza @ Sì, F: 1 Ohm @ 10mA, 100MHz, Dissipazione di Potenza (Max): 250mW,

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BA892H6770XTSA1
Infineon Technologies

BA892H6770XTSA1

partiture parte: 6950

Tipu di Diode: Standard - Single, Tensione - Peak Reverse (Max): 35V, Attuale - Max: 100mA, Capacità @ Vr, F: 1.1pF @ 3V, 1MHz, Resistenza @ Sì, F: 500 mOhm @ 10mA, 100MHz,

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BAT 68-08S E6327
Infineon Technologies

BAT 68-08S E6327

partiture parte: 4754

Tipu di Diode: Schottky - 3 Independent, Tensione - Peak Reverse (Max): 8V, Attuale - Max: 130mA, Capacità @ Vr, F: 1pF @ 0V, 1MHz, Resistenza @ Sì, F: 10 Ohm @ 5mA, 10kHz, Dissipazione di Potenza (Max): 150mW,

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BAT1503WE6327HTSA1
Infineon Technologies

BAT1503WE6327HTSA1

partiture parte: 123876

Tipu di Diode: Schottky - Single, Tensione - Peak Reverse (Max): 4V, Attuale - Max: 110mA, Capacità @ Vr, F: 0.35pF @ 0V, 1MHz, Dissipazione di Potenza (Max): 100mW,

To wishlist
BAR6402VH6327XTSA1
Infineon Technologies

BAR6402VH6327XTSA1

partiture parte: 16246

Tipu di Diode: PIN - Single, Tensione - Peak Reverse (Max): 150V, Attuale - Max: 100mA, Capacità @ Vr, F: 0.35pF @ 20V, 1MHz, Resistenza @ Sì, F: 1.35 Ohm @ 100mA, 100MHz, Dissipazione di Potenza (Max): 250mW,

To wishlist
BAR6503WE6327HTSA1
Infineon Technologies

BAR6503WE6327HTSA1

partiture parte: 166404

Tipu di Diode: PIN - Single, Tensione - Peak Reverse (Max): 30V, Attuale - Max: 100mA, Capacità @ Vr, F: 0.8pF @ 3V, 1MHz, Resistenza @ Sì, F: 900 mOhm @ 10mA, 100MHz, Dissipazione di Potenza (Max): 250mW,

To wishlist
BAT1504WH6327XTSA1
Infineon Technologies

BAT1504WH6327XTSA1

partiture parte: 111141

Tipu di Diode: Schottky - 1 Pair Series Connection, Tensione - Peak Reverse (Max): 4V, Attuale - Max: 110mA, Capacità @ Vr, F: 0.35pF @ 0V, 1MHz, Dissipazione di Potenza (Max): 100mW,

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BAT1704E6327HTSA1
Infineon Technologies

BAT1704E6327HTSA1

partiture parte: 16224

Tipu di Diode: Schottky - 1 Pair Series Connection, Tensione - Peak Reverse (Max): 4V, Attuale - Max: 130mA, Capacità @ Vr, F: 0.75pF @ 0V, 1MHz, Resistenza @ Sì, F: 15 Ohm @ 5mA, 10kHz, Dissipazione di Potenza (Max): 150mW,

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BAT1704WH6327XTSA1
Infineon Technologies

BAT1704WH6327XTSA1

partiture parte: 140827

Tipu di Diode: Schottky - 1 Pair Series Connection, Tensione - Peak Reverse (Max): 4V, Attuale - Max: 130mA, Capacità @ Vr, F: 0.75pF @ 0V, 1MHz, Resistenza @ Sì, F: 15 Ohm @ 5mA, 10kHz, Dissipazione di Potenza (Max): 150mW,

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BAR6405E6327HTSA1
Infineon Technologies

BAR6405E6327HTSA1

partiture parte: 16259

Tipu di Diode: PIN - 1 Pair Common Cathode, Tensione - Peak Reverse (Max): 150V, Attuale - Max: 100mA, Capacità @ Vr, F: 0.35pF @ 20V, 1MHz, Resistenza @ Sì, F: 1.35 Ohm @ 100mA, 100MHz, Dissipazione di Potenza (Max): 250mW,

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BAT6804WH6327XTSA1
Infineon Technologies

BAT6804WH6327XTSA1

partiture parte: 152518

Tipu di Diode: Schottky - 1 Pair Series Connection, Tensione - Peak Reverse (Max): 8V, Attuale - Max: 130mA, Capacità @ Vr, F: 1pF @ 0V, 1MHz, Resistenza @ Sì, F: 10 Ohm @ 5mA, 10kHz, Dissipazione di Potenza (Max): 150mW,

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BAP50-03-TP
Micro Commercial Co

BAP50-03-TP

partiture parte: 148227

Tipu di Diode: PIN - Single, Tensione - Peak Reverse (Max): 50V, Attuale - Max: 50mA, Capacità @ Vr, F: 0.35pF @ 5V, 1MHz, Resistenza @ Sì, F: 5 Ohm @ 10mA, 100MHz, Dissipazione di Potenza (Max): 200mW,

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BAP64-05-TP
Micro Commercial Co

BAP64-05-TP

partiture parte: 107735

Tipu di Diode: PIN - 1 Pair Common Cathode, Tensione - Peak Reverse (Max): 175V, Attuale - Max: 100mA, Capacità @ Vr, F: 0.35pF @ 20V, 1MHz, Resistenza @ Sì, F: 1.35 Ohm @ 100mA, 100MHz, Dissipazione di Potenza (Max): 250mW,

To wishlist
BAP64-05W-TP
Micro Commercial Co

BAP64-05W-TP

partiture parte: 155299

Tipu di Diode: PIN - 1 Pair Common Cathode, Tensione - Peak Reverse (Max): 175V, Attuale - Max: 100mA, Capacità @ Vr, F: 0.35pF @ 20V, 1MHz, Resistenza @ Sì, F: 1.35 Ohm @ 100mA, 100MHz, Dissipazione di Potenza (Max): 200mW,

To wishlist
BAT17,215
Nexperia USA Inc.

BAT17,215

partiture parte: 176315

Tipu di Diode: Schottky - Single, Tensione - Peak Reverse (Max): 4V, Attuale - Max: 30mA, Capacità @ Vr, F: 1pF @ 0V, 1MHz, Resistenza @ Sì, F: 15 Ohm @ 5mA, 1kHz,

To wishlist