Diodi - RF

BA792,115

partiture parte: 6964

Tipu di Diode: Standard - Single, Tensione - Peak Reverse (Max): 35V, Attuale - Max: 100mA, Capacità @ Vr, F: 1.1pF @ 3V, 1MHz, Resistenza @ Sì, F: 700 mOhm @ 3mA, 200MHz,

BA595E6359HTMA1

partiture parte: 4763

Tipu di Diode: PIN - Single, Tensione - Peak Reverse (Max): 50V, Attuale - Max: 50mA, Capacità @ Vr, F: 0.6pF @ 10V, 1MHz, Resistenza @ Sì, F: 7 Ohm @ 10mA, 100MHz,

BA885E7631HTMA1

partiture parte: 6996

Tipu di Diode: PIN - Single, Tensione - Peak Reverse (Max): 50V, Attuale - Max: 50mA, Capacità @ Vr, F: 0.6pF @ 10V, 1MHz, Resistenza @ Sì, F: 7 Ohm @ 10mA, 100MHz,

BA89502VH6327XTSA1

partiture parte: 162601

BAR63V-04-G3-08

partiture parte: 6895

BAR63V-03-G3-08

partiture parte: 6974

BA980-GS08

partiture parte: 6950

Tipu di Diode: PIN - Single, Tensione - Peak Reverse (Max): 30V, Attuale - Max: 50mA, Capacità @ Vr, F: 0.5pF @ 0V, 100MHz, Resistenza @ Sì, F: 60 Ohm @ 1.5mA, 100MHz,

BA982-GS08

partiture parte: 6916

Tipu di Diode: Standard - Single, Tensione - Peak Reverse (Max): 35V, Attuale - Max: 100mA, Capacità @ Vr, F: 1.25pF @ 3V, 100MHz, Resistenza @ Sì, F: 700 mOhm @ 3mA, 200MHz,

BA979-GS08

partiture parte: 6949

Tipu di Diode: PIN - Single, Tensione - Peak Reverse (Max): 30V, Attuale - Max: 50mA, Capacità @ Vr, F: 0.5pF @ 0V, 100MHz, Resistenza @ Sì, F: 50 Ohm @ 1.5mA, 100MHz,

BA979S-GS08

partiture parte: 6934

Tipu di Diode: PIN - Single, Tensione - Peak Reverse (Max): 30V, Attuale - Max: 50mA, Capacità @ Vr, F: 0.5pF @ 0V, 100MHz, Resistenza @ Sì, F: 50 Ohm @ 1.5mA, 100MHz,

BA783S-HE3-08

partiture parte: 6889

Tipu di Diode: PIN - Single, Tensione - Peak Reverse (Max): 35V, Attuale - Max: 100mA, Capacità @ Vr, F: 1.2pF @ 3V, 1MHz, Resistenza @ Sì, F: 1.2 Ohm @ 3mA, 1GHz,

BA783S-G3-08

partiture parte: 4721

Tipu di Diode: Standard - Single, Tensione - Peak Reverse (Max): 35V, Attuale - Max: 100mA, Capacità @ Vr, F: 1.2pF @ 3V, 1MHz, Resistenza @ Sì, F: 1.2 Ohm @ 3mA, 1GHz,

BA783-HG3-08

partiture parte: 6955

Tipu di Diode: PIN - Single, Tensione - Peak Reverse (Max): 35V, Attuale - Max: 100mA, Capacità @ Vr, F: 1.2pF @ 3V, 1MHz, Resistenza @ Sì, F: 1.2 Ohm @ 3mA, 1GHz,

BA783S-E3-08

partiture parte: 6934

Tipu di Diode: PIN - Single, Tensione - Peak Reverse (Max): 35V, Attuale - Max: 100mA, Capacità @ Vr, F: 1.2pF @ 3V, 1MHz, Resistenza @ Sì, F: 1.2 Ohm @ 3mA, 1GHz,

BA783-HE3-08

partiture parte: 6891

Tipu di Diode: PIN - Single, Tensione - Peak Reverse (Max): 35V, Attuale - Max: 100mA, Capacità @ Vr, F: 1.2pF @ 3V, 1MHz, Resistenza @ Sì, F: 1.2 Ohm @ 3mA, 1GHz,

BA783-G3-08

partiture parte: 6985

Tipu di Diode: PIN - Single, Tensione - Peak Reverse (Max): 35V, Attuale - Max: 100mA, Capacità @ Vr, F: 1.2pF @ 3V, 1MHz, Resistenza @ Sì, F: 1.2 Ohm @ 3mA, 1GHz,

BA782S-HE3-08

partiture parte: 6950

Tipu di Diode: PIN - Single, Tensione - Peak Reverse (Max): 35V, Attuale - Max: 100mA, Capacità @ Vr, F: 1.25pF @ 3V, 1MHz, Resistenza @ Sì, F: 700 mOhm @ 3mA, 1GHz,

BA783-E3-08

partiture parte: 6896

Tipu di Diode: PIN - Single, Tensione - Peak Reverse (Max): 35V, Attuale - Max: 100mA, Capacità @ Vr, F: 1.2pF @ 3V, 1MHz, Resistenza @ Sì, F: 1.2 Ohm @ 3mA, 1GHz,

BA782S-G3-08

partiture parte: 6936

Tipu di Diode: Standard - Single, Tensione - Peak Reverse (Max): 35V, Attuale - Max: 100mA, Capacità @ Vr, F: 1.25pF @ 3V, 1MHz, Resistenza @ Sì, F: 700 mOhm @ 3mA, 1GHz,

BA782S-E3-08

partiture parte: 4742

Tipu di Diode: PIN - Single, Tensione - Peak Reverse (Max): 35V, Attuale - Max: 100mA, Capacità @ Vr, F: 1.25pF @ 3V, 1MHz, Resistenza @ Sì, F: 700 mOhm @ 3mA, 1GHz,

BA782-HE3-08

partiture parte: 4763

Tipu di Diode: PIN - Single, Tensione - Peak Reverse (Max): 35V, Attuale - Max: 100mA, Capacità @ Vr, F: 1.25pF @ 3V, 1MHz, Resistenza @ Sì, F: 700 mOhm @ 3mA, 1GHz,

BA782-G3-08

partiture parte: 4768

Tipu di Diode: PIN - Single, Tensione - Peak Reverse (Max): 35V, Attuale - Max: 100mA, Capacità @ Vr, F: 1.25pF @ 3V, 1MHz, Resistenza @ Sì, F: 700 mOhm @ 3mA, 1GHz,

BA683-M-08

partiture parte: 6974

BA682-M-08

partiture parte: 6922

BA683-GS08

partiture parte: 6944

Tipu di Diode: PIN - Single, Tensione - Peak Reverse (Max): 35V, Attuale - Max: 100mA, Capacità @ Vr, F: 1.2pF @ 3V, 100MHz, Resistenza @ Sì, F: 900 mOhm @ 10mA, 200MHz,

BA983-GS18

partiture parte: 6957

Tipu di Diode: Standard - Single, Tensione - Peak Reverse (Max): 35V, Attuale - Max: 100mA, Capacità @ Vr, F: 1.2pF @ 3V, 100MHz, Resistenza @ Sì, F: 1.2 Ohm @ 3mA, 200MHz,

BA682-GS08

partiture parte: 6946

Tipu di Diode: PIN - Single, Tensione - Peak Reverse (Max): 35V, Attuale - Max: 100mA, Capacità @ Vr, F: 1.25pF @ 3V, 100MHz, Resistenza @ Sì, F: 500 mOhm @ 10mA, 200MHz,

BA980-GS18

partiture parte: 6937

Tipu di Diode: PIN - Single, Tensione - Peak Reverse (Max): 30V, Attuale - Max: 50mA, Capacità @ Vr, F: 0.5pF @ 0V, 100MHz, Resistenza @ Sì, F: 60 Ohm @ 1.5mA, 100MHz,

BA982-GS18

partiture parte: 6966

Tipu di Diode: Standard - Single, Tensione - Peak Reverse (Max): 35V, Attuale - Max: 100mA, Capacità @ Vr, F: 1.25pF @ 3V, 100MHz, Resistenza @ Sì, F: 700 mOhm @ 3mA, 200MHz,

BA979S-GS18

partiture parte: 4727

Tipu di Diode: PIN - Single, Tensione - Peak Reverse (Max): 30V, Attuale - Max: 50mA, Capacità @ Vr, F: 0.5pF @ 0V, 100MHz, Resistenza @ Sì, F: 50 Ohm @ 1.5mA, 100MHz,

BA979-GS18

partiture parte: 6935

Tipu di Diode: PIN - Single, Tensione - Peak Reverse (Max): 30V, Attuale - Max: 50mA, Capacità @ Vr, F: 0.5pF @ 0V, 100MHz, Resistenza @ Sì, F: 50 Ohm @ 1.5mA, 100MHz,

BA783S-HE3-18

partiture parte: 6896

Tipu di Diode: PIN - Single, Tensione - Peak Reverse (Max): 35V, Attuale - Max: 100mA, Capacità @ Vr, F: 1.2pF @ 3V, 1MHz, Resistenza @ Sì, F: 1.2 Ohm @ 3mA, 1GHz,

BA783S-G3-18

partiture parte: 6884

Tipu di Diode: Standard - Single, Tensione - Peak Reverse (Max): 35V, Attuale - Max: 100mA, Capacità @ Vr, F: 1.2pF @ 3V, 1MHz, Resistenza @ Sì, F: 1.2 Ohm @ 3mA, 1GHz,

BA783S-E3-18

partiture parte: 6894

Tipu di Diode: PIN - Single, Tensione - Peak Reverse (Max): 35V, Attuale - Max: 100mA, Capacità @ Vr, F: 1.2pF @ 3V, 1MHz, Resistenza @ Sì, F: 1.2 Ohm @ 3mA, 1GHz,

BA783-E3-18

partiture parte: 6954

Tipu di Diode: PIN - Single, Tensione - Peak Reverse (Max): 35V, Attuale - Max: 100mA, Capacità @ Vr, F: 1.2pF @ 3V, 1MHz, Resistenza @ Sì, F: 1.2 Ohm @ 3mA, 1GHz,

BA783-G3-18

partiture parte: 6930

Tipu di Diode: PIN - Single, Tensione - Peak Reverse (Max): 35V, Attuale - Max: 100mA, Capacità @ Vr, F: 1.2pF @ 3V, 1MHz, Resistenza @ Sì, F: 1.2 Ohm @ 3mA, 1GHz,