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Diodi - Zener - Single

1N4741AHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4741AHA0G

partiture parte: 156

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 11V, Tulleranza: ±5%, Potenza - Max: 1W, Impedenza (Max) (Zzt): 20 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 5µA @ 13.7V,

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1N4750A B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4750A B0G

partiture parte: 194

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 27V, Tulleranza: ±5%, Potenza - Max: 1W, Impedenza (Max) (Zzt): 35 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 5µA @ 20.6V,

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1N4740A B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4740A B0G

partiture parte: 165

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 10V, Tulleranza: ±5%, Potenza - Max: 1W, Impedenza (Max) (Zzt): 7 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 10µA @ 7.6V,

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1N4762A R1G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4762A R1G

partiture parte: 154

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 82V, Tulleranza: ±5%, Potenza - Max: 1W, Impedenza (Max) (Zzt): 200 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 5µA @ 62.2V,

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1N4761AHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4761AHA0G

partiture parte: 203

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 75V, Tulleranza: ±5%, Potenza - Max: 1W, Impedenza (Max) (Zzt): 175 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 5µA @ 56V,

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1N4740AHR1G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4740AHR1G

partiture parte: 122

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 10V, Tulleranza: ±5%, Potenza - Max: 1W, Impedenza (Max) (Zzt): 9 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 5µA @ 9.1V,

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1N4754A A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4754A A0G

partiture parte: 212

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 39V, Tulleranza: ±5%, Potenza - Max: 1W, Impedenza (Max) (Zzt): 60 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 5µA @ 29.7V,

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1M200ZHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1M200ZHB0G

partiture parte: 123

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 200V, Tulleranza: ±5%, Potenza - Max: 1W, Impedenza (Max) (Zzt): 1500 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 5µA @ 152V,

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1N4764AHR1G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4764AHR1G

partiture parte: 175

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 100V, Tulleranza: ±5%, Potenza - Max: 1W, Impedenza (Max) (Zzt): 350 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 5µA @ 76V,

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1N4743AHR1G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4743AHR1G

partiture parte: 177

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 13V, Tulleranza: ±5%, Potenza - Max: 1W, Impedenza (Max) (Zzt): 95 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 5µA @ 38.8V,

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1N4756A A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4756A A0G

partiture parte: 146

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 47V, Tulleranza: ±5%, Potenza - Max: 1W, Impedenza (Max) (Zzt): 80 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 5µA @ 35.8V,

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1N4764AHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4764AHA0G

partiture parte: 208

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 100V, Tulleranza: ±5%, Potenza - Max: 1W, Impedenza (Max) (Zzt): 350 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 5µA @ 76V,

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1N4751A A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4751A A0G

partiture parte: 150

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 30V, Tulleranza: ±5%, Potenza - Max: 1W, Impedenza (Max) (Zzt): 40 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 5µA @ 22.8V,

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1N4759AHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4759AHB0G

partiture parte: 138

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 62V, Tulleranza: ±5%, Potenza - Max: 1W, Impedenza (Max) (Zzt): 125 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 5µA @ 47.1V,

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1N4744AHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4744AHB0G

partiture parte: 204

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 15V, Tulleranza: ±5%, Potenza - Max: 1W, Impedenza (Max) (Zzt): 14 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 5µA @ 11.4V,

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1N4744AHR1G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4744AHR1G

partiture parte: 188

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 15V, Tulleranza: ±5%, Potenza - Max: 1W, Impedenza (Max) (Zzt): 14 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 5µA @ 11.4V,

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1N4741A B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4741A B0G

partiture parte: 184

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 11V, Tulleranza: ±5%, Potenza - Max: 1W, Impedenza (Max) (Zzt): 14 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 5µA @ 11.4V,

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1N4755A B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4755A B0G

partiture parte: 130

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 43V, Tulleranza: ±5%, Potenza - Max: 1W, Impedenza (Max) (Zzt): 70 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 5µA @ 32.7V,

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1N4759A R1G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4759A R1G

partiture parte: 125

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 62V, Tulleranza: ±5%, Potenza - Max: 1W, Impedenza (Max) (Zzt): 125 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 5µA @ 47.1V,

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1M130Z R1G
Taiwan Semiconductor Corporation

1M130Z R1G

partiture parte: 152

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 130V, Tulleranza: ±5%, Potenza - Max: 1W, Impedenza (Max) (Zzt): 700 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 5µA @ 98.8V,

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1N4761AHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4761AHB0G

partiture parte: 191

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 75V, Tulleranza: ±5%, Potenza - Max: 1W, Impedenza (Max) (Zzt): 175 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 5µA @ 56V,

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1N4740A R1G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4740A R1G

partiture parte: 187

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 10V, Tulleranza: ±5%, Potenza - Max: 1W, Impedenza (Max) (Zzt): 7 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 10µA @ 7.6V,

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1N4764A R1G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4764A R1G

partiture parte: 150

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 100V, Tulleranza: ±5%, Potenza - Max: 1W, Impedenza (Max) (Zzt): 350 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 5µA @ 76V,

To wishlist
1N4754A R1G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4754A R1G

partiture parte: 152

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 39V, Tulleranza: ±5%, Potenza - Max: 1W, Impedenza (Max) (Zzt): 60 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 5µA @ 29.7V,

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1M150ZHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1M150ZHA0G

partiture parte: 119

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 150V, Tulleranza: ±5%, Potenza - Max: 1W, Impedenza (Max) (Zzt): 1000 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 5µA @ 114V,

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1N4758A A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4758A A0G

partiture parte: 141

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 56V, Tulleranza: ±5%, Potenza - Max: 1W, Impedenza (Max) (Zzt): 110 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 5µA @ 42.6V,

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1N4759AHR1G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4759AHR1G

partiture parte: 200

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 62V, Tulleranza: ±5%, Potenza - Max: 1W, Impedenza (Max) (Zzt): 125 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 5µA @ 47.1V,

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1N4763A B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4763A B0G

partiture parte: 153

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 91V, Tulleranza: ±5%, Potenza - Max: 1W, Impedenza (Max) (Zzt): 250 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 5µA @ 69.2V,

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1SMA4738HR3G
Taiwan Semiconductor Corporation

1SMA4738HR3G

partiture parte: 194

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 8.2V, Tulleranza: ±5%, Potenza - Max: 1.25W, Impedenza (Max) (Zzt): 4.5 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 5µA @ 6V,

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1SMA4740HM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

1SMA4740HM2G

partiture parte: 201

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 10V, Tulleranza: ±5%, Potenza - Max: 1.25W, Impedenza (Max) (Zzt): 7 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 5µA @ 7.6V,

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1N4960
Semtech Corporation

1N4960

partiture parte: 10018

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 12V, Tulleranza: ±5%, Potenza - Max: 5W, Impedenza (Max) (Zzt): 2.5 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 10µA @ 9.1V,

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1N4474
Semtech Corporation

1N4474

partiture parte: 12165

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 24V, Tulleranza: ±5%, Potenza - Max: 1.5W, Impedenza (Max) (Zzt): 16 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 50nA @ 19.2V,

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1N4463
Semtech Corporation

1N4463

partiture parte: 8572

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 8.2V, Tulleranza: ±5%, Potenza - Max: 1.5W, Impedenza (Max) (Zzt): 3 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 500nA @ 4.92V,

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1N4984
Semtech Corporation

1N4984

partiture parte: 9889

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 120V, Tulleranza: ±5%, Potenza - Max: 5W, Impedenza (Max) (Zzt): 170 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 2µA @ 91.2V,

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1N4490US
Semtech Corporation

1N4490US

partiture parte: 9486

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 110V, Tulleranza: ±5%, Potenza - Max: 1.5W, Impedenza (Max) (Zzt): 300 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 250nA @ 88V,

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1N4957US
Semtech Corporation

1N4957US

partiture parte: 8928

Tensione - Zener (Nom) (Vz): 9.1V, Tulleranza: ±4.95%, Potenza - Max: 5W, Impedenza (Max) (Zzt): 2 Ohms, Current - Inversione di Fuga @ Vr: 25µA @ 6.9V,

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