Transistori - FET, MOSFET - Unicu

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Transistori - FET, MOSFET - Unicu

EPC2001

partiture parte: 18487

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: GaNFET (Gallium Nitride), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 100V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 25A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 25A, 5V,

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EPC2049ENGRT

partiture parte: 4397

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: GaNFET (Gallium Nitride), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 40V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 16A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 15A, 5V,

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EPC2021

partiture parte: 14286

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: GaNFET (Gallium Nitride), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 80V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 90A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 29A, 5V,

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EPC2025

partiture parte: 1945

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: GaNFET (Gallium Nitride), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 300V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 4A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 3A, 5V,

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EPC2031

partiture parte: 8638

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: GaNFET (Gallium Nitride), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 60V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 31A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6 mOhm @ 30A, 5V,

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EPC2018

partiture parte: 8926

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: GaNFET (Gallium Nitride), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 150V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 6A, 5V,

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EPC2016

partiture parte: 50068

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: GaNFET (Gallium Nitride), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 100V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 11A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 11A, 5V,

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EPC2051ENGRT

partiture parte: 10801

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: GaNFET (Gallium Nitride), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 100V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 1.7A, Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 3A, 5V,

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EPC8004

partiture parte: 28614

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: GaNFET (Gallium Nitride), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 40V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 2.7A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 500mA, 5V,

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EPC8009

partiture parte: 27880

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: GaNFET (Gallium Nitride), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 65V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 2.7A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 500mA, 5V,

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EPC2030ENGRT

partiture parte: 16295

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: GaNFET (Gallium Nitride), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 40V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 31A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 30A, 5V,

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EPC2007

partiture parte: 69589

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: GaNFET (Gallium Nitride), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 100V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 6A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 5V,

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EPC2015

partiture parte: 18703

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: GaNFET (Gallium Nitride), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 40V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 33A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 33A, 5V,

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EPC2031ENGRT

partiture parte: 17048

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: GaNFET (Gallium Nitride), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 60V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 31A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6 mOhm @ 30A, 5V,

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EPC2012

partiture parte: 54098

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: GaNFET (Gallium Nitride), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 200V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 3A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 3A, 5V,

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EPC2010

partiture parte: 9929

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: GaNFET (Gallium Nitride), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 200V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 6A, 5V,

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EPC2022

partiture parte: 14027

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: GaNFET (Gallium Nitride), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 100V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 60A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 25A, 5V,

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EPC2024

partiture parte: 14687

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: GaNFET (Gallium Nitride), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 40V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 60A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 mOhm @ 37A, 5V,

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EPC2033

partiture parte: 13722

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: GaNFET (Gallium Nitride), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 150V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 31A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 25A, 5V,

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EPC2032

partiture parte: 16483

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: GaNFET (Gallium Nitride), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 100V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 48A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 30A, 5V,

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EPC2020

partiture parte: 14515

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: GaNFET (Gallium Nitride), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 60V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 90A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2 mOhm @ 31A, 5V,

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EPC2029

partiture parte: 16856

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: GaNFET (Gallium Nitride), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 80V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 48A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 30A, 5V,

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EPC2034

partiture parte: 7981

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: GaNFET (Gallium Nitride), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 200V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 48A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 20A, 5V,

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EPC2035

partiture parte: 195456

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: GaNFET (Gallium Nitride), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 60V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 1A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 1A, 5V,

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EPC2023

partiture parte: 18953

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: GaNFET (Gallium Nitride), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 30V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 60A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3 mOhm @ 40A, 5V,

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EPC2015C

partiture parte: 30169

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: GaNFET (Gallium Nitride), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 40V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 53A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 33A, 5V,

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EPC2014

partiture parte: 74091

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: GaNFET (Gallium Nitride), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 40V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 10A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 5A, 5V,

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EPC2030

partiture parte: 22960

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: GaNFET (Gallium Nitride), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 40V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 31A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 30A, 5V,

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EPC8010

partiture parte: 46864

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: GaNFET (Gallium Nitride), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 100V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 2.7A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 500mA, 5V,

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EPC2045ENGRT

partiture parte: 26260

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: GaNFET (Gallium Nitride), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 100V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 16A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 16A, 5V,

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EPC2010C

partiture parte: 17919

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: GaNFET (Gallium Nitride), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 200V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 22A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 12A, 5V,

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EPC2012C

partiture parte: 54040

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: GaNFET (Gallium Nitride), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 200V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 5A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 3A, 5V,

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EPC2001C

partiture parte: 31126

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: GaNFET (Gallium Nitride), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 100V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 36A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 25A, 5V,

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EPC2202

partiture parte: 48425

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: GaNFET (Gallium Nitride), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 80V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 18A, Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 11A, 5V,

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EPC2019

partiture parte: 37744

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: GaNFET (Gallium Nitride), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 200V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 8.5A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 7A, 5V,

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EPC2007C

partiture parte: 74756

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: GaNFET (Gallium Nitride), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 100V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 6A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 5V,

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