Transistori - FET, MOSFET - Matrici | Prudutti Discreti à Semiconduttore | 1

EPC2105ENGRT

partiture parte: 13745

Tipu FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Funzione FET: GaNFET (Gallium Nitride), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 80V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 9.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5 mOhm @ 20A, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2.5mA,

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EPC

EPC2100

partiture parte: 18949

Tipu FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Funzione FET: GaNFET (Gallium Nitride), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 30V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 10A (Ta), 40A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2 mOhm @ 25A, 5V, 2.1 mOhm @ 25A, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA,

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EPC

EPC2104ENGRT

partiture parte: 13673

Tipu FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Funzione FET: GaNFET (Gallium Nitride), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 100V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 23A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3 mOhm @ 20A, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5.5mA,

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EPC2101ENGRT

partiture parte: 13969

Tipu FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Funzione FET: GaNFET (Gallium Nitride), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 60V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 9.5A, 38A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5 mOhm @ 20A, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA,

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EPC

EPC2103ENGRT

partiture parte: 13895

Tipu FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Funzione FET: GaNFET (Gallium Nitride), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 80V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 23A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 20A, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA,

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EPC2111ENGRT

partiture parte: 43248

Tipu FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Funzione FET: GaNFET (Gallium Nitride), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 30V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 16A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 15A, 5V, 8 mOhm @ 15A, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA,

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EPC

EPC2101ENG

partiture parte: 2948

Tipu FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Funzione FET: GaNFET (Gallium Nitride), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 60V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 9.5A, 38A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5 mOhm @ 20A, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA,

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EPC

EPC2100ENGRT

partiture parte: 14216

Tipu FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Funzione FET: GaNFET (Gallium Nitride), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 30V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 10A (Ta), 40A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2 mOhm @ 25A, 5V, 2.1 mOhm @ 25A, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA,

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EPC

EPC2106ENGRT

partiture parte: 88131

Tipu FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Funzione FET: GaNFET (Gallium Nitride), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 100V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 1.7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 2A, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA,

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EPC

EPC2102ENGRT

partiture parte: 14073

Tipu FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Funzione FET: GaNFET (Gallium Nitride), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 60V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 23A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4 mOhm @ 20A, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA,

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EPC

EPC2103

partiture parte: 23026

Tipu FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Funzione FET: GaNFET (Gallium Nitride), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 80V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 28A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 20A, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA,

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EPC

EPC2105

partiture parte: 24303

Tipu FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Funzione FET: GaNFET (Gallium Nitride), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 80V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 9.5A, 38A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5 mOhm @ 20A, 5V, 3.4 mOhm @ 20A, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2.5mA, 2.5V @ 10mA,

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EPC

EPC2100ENG

partiture parte: 2900

Tipu FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Funzione FET: GaNFET (Gallium Nitride), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 30V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 10A (Ta), 40A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2 mOhm @ 25A, 5V, 2.1 mOhm @ 25A, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA,

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EPC

EPC2105ENG

partiture parte: 2911

Tipu FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Funzione FET: GaNFET (Gallium Nitride), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 80V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 9.5A, 38A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5 mOhm @ 20A, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2.5mA,

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EPC

EPC2103ENG

partiture parte: 2868

Tipu FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Funzione FET: GaNFET (Gallium Nitride), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 80V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 23A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 20A, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA,

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EPC

EPC2104

partiture parte: 24318

Tipu FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Funzione FET: GaNFET (Gallium Nitride), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 100V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 23A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3 mOhm @ 20A, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5.5mA,

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EPC

EPC2106

partiture parte: 24307

Tipu FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Funzione FET: GaNFET (Gallium Nitride), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 100V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 1.7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 2A, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA,

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EPC

EPC2102ENG

partiture parte: 2960

Tipu FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Funzione FET: GaNFET (Gallium Nitride), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 60V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 23A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4 mOhm @ 20A, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA,

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EPC

EPC2102

partiture parte: 24374

Tipu FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Funzione FET: GaNFET (Gallium Nitride), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 60V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 23A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4 mOhm @ 20A, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA,

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EPC

EPC2104ENG

partiture parte: 2913

Tipu FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Funzione FET: GaNFET (Gallium Nitride), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 100V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 23A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3 mOhm @ 20A, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5.5mA,

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EPC

EPC2107ENGRT

partiture parte: 82626

Tipu FET: 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap), Funzione FET: GaNFET (Gallium Nitride), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 100V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 1.7A, 500mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320 mOhm @ 2A, 5V, 3.3 Ohm @ 2A, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA,

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EPC

EPC2107

partiture parte: 79571

Tipu FET: 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap), Funzione FET: GaNFET (Gallium Nitride), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 100V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 1.7A, 500mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320 mOhm @ 2A, 5V, 3.3 Ohm @ 2A, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA,

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EPC

EPC2111

partiture parte: 48430

Tipu FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Funzione FET: GaNFET (Gallium Nitride), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 30V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 16A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 15A, 5V, 8 mOhm @ 15A, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA,

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EPC

EPC2110ENGRT

partiture parte: 67578

Tipu FET: 2 N-Channel (Dual) Common Source, Funzione FET: GaNFET (Gallium Nitride), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 120V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 3.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 4A, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 700µA,

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EPC2101

partiture parte: 21570

Tipu FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Funzione FET: GaNFET (Gallium Nitride), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 60V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 9.5A, 38A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5 mOhm @ 20A, 5V, 2.7 mOhm @ 20A, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA, 2.5V @ 12mA,

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EPC

EPC2110

partiture parte: 26911

Tipu FET: 2 N-Channel (Dual) Common Source, Funzione FET: GaNFET (Gallium Nitride), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 120V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 3.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 4A, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 700µA,

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EPC

EPC2108

partiture parte: 83651

Tipu FET: 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap), Funzione FET: GaNFET (Gallium Nitride), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 60V, 100V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 1.7A, 500mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3 Ohm @ 2.5A, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA,

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