Tippu | Descrizzione |
Statutu di a Parte | Active |
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Tipu FET | 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) |
Funzione FET | GaNFET (Gallium Nitride) |
Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss) | 100V |
Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C | 1.7A, 500mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 320 mOhm @ 2A, 5V, 3.3 Ohm @ 2A, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA |
Carica di Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V |
Capacità di Ingressu (Ciss) (Max) @ Vds | 16pF @ 50V, 7pF @ 50V |
Potenza - Max | - |
Temperatura Operativa | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipu di Montaggio | Surface Mount |
Pacchettu / Case | 9-VFBGA |
Package di Dispositivi di Fornitore | 9-BGA (1.35x1.35) |
Status Rohs | ROHS cumpiacente |
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Livellu di Sensibilità Umidità (MSL) | Inapplichevule |
Statutu di vita | Obsolet / fine di a vita |
Stock Categuria | Stock dispunibule |