Transistori - Bipolari (BJT) - Singuli, Pre-Pregiu

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Transistori - Bipolari (BJT) - Singuli, Pre-Pregiu

Infineon Technologies

BCR 135F E6327

partiture parte: 2128

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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BCR158E6327HTSA1

Infineon Technologies

BCR158E6327HTSA1

partiture parte: 111325

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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BCR562E6327HTSA1

Infineon Technologies

BCR562E6327HTSA1

partiture parte: 174692

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 500mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 4.7 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V,

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BCR198E6393HTSA1

Infineon Technologies

BCR198E6393HTSA1

partiture parte: 2061

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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Infineon Technologies

BCR 519 E6327

partiture parte: 2048

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 500mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 5V,

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Infineon Technologies

BCR 198T E6327

partiture parte: 2013

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 70mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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BCR166WE6327HTSA1

Infineon Technologies

BCR166WE6327HTSA1

partiture parte: 2057

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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BCR 162L3 E6327

Infineon Technologies

BCR 162L3 E6327

partiture parte: 2049

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 4.7 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V,

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BCR141WE6327HTSA1

Infineon Technologies

BCR141WE6327HTSA1

partiture parte: 2073

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 22 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 22 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

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Infineon Technologies

BCR 119 E6433

partiture parte: 2021

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

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Infineon Technologies

BCR 129F E6327

partiture parte: 2023

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

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Infineon Technologies

BCR 133F B6327

partiture parte: 1978

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

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BCR108WE6327BTSA1

Infineon Technologies

BCR108WE6327BTSA1

partiture parte: 2069

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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Infineon Technologies

BCR 101T E6327

partiture parte: 1992

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 50mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 100 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 100 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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BCR505E6778HTSA1

Infineon Technologies

BCR505E6778HTSA1

partiture parte: 5409

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 500mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V,

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BCR503E6393HTSA1

Infineon Technologies

BCR503E6393HTSA1

partiture parte: 1955

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 500mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 2.2 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V,

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BCR183E6359HTMA1

Infineon Technologies

BCR183E6359HTMA1

partiture parte: 1981

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

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BCR192E6785HTSA1

Infineon Technologies

BCR192E6785HTSA1

partiture parte: 1986

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 22 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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BCR148E6393HTSA1

Infineon Technologies

BCR148E6393HTSA1

partiture parte: 2004

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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BCR135E6359HTMA1

Infineon Technologies

BCR135E6359HTMA1

partiture parte: 1907

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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BCR133E6393HTSA1

Infineon Technologies

BCR133E6393HTSA1

partiture parte: 3211

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 10 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 10 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

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Infineon Technologies

BCR 148W H6433

partiture parte: 1910

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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Infineon Technologies

BCR 569 E6327

partiture parte: 1861

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 500mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 5V,

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Infineon Technologies

BCR 512 B6327

partiture parte: 1858

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 500mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 4.7 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V,

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Infineon Technologies

BCR 199T E6327

partiture parte: 1876

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 70mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

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Infineon Technologies

BCR 503 B6327

partiture parte: 1882

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 500mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 2.2 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V,

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Infineon Technologies

BCR 199F E6327

partiture parte: 1910

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 70mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

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BCR 199L3 E6327

Infineon Technologies

BCR 199L3 E6327

partiture parte: 1899

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 70mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

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BCR198WE6327BTSA1

Infineon Technologies

BCR198WE6327BTSA1

partiture parte: 1924

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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Infineon Technologies

BCR 198F E6327

partiture parte: 1931

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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BCR 198L3 E6327

Infineon Technologies

BCR 198L3 E6327

partiture parte: 1885

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 70mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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BCR196WE6327HTSA1

Infineon Technologies

BCR196WE6327HTSA1

partiture parte: 1922

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 70mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 22 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

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BCR198B6327HTLA1

Infineon Technologies

BCR198B6327HTLA1

partiture parte: 1860

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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Infineon Technologies

BCR 196T E6327

partiture parte: 1855

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 70mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 22 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

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Infineon Technologies

BCR 196F E6327

partiture parte: 1930

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 70mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 22 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

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BCR 196L3 E6327

Infineon Technologies

BCR 196L3 E6327

partiture parte: 1883

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 70mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 22 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

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