Transistori - Bipolari (BJT) - Singuli, Pre-Pregiu

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Transistori - Bipolari (BJT) - Singuli, Pre-Pregiu

Infineon Technologies

BCR 162F E6327

partiture parte: 1848

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 4.7 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V,

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BCR158WE6327HTSA1

Infineon Technologies

BCR158WE6327HTSA1

partiture parte: 1840

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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Infineon Technologies

BCR 162 B6327

partiture parte: 1887

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 4.7 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V,

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Infineon Technologies

BCR 158T E6327

partiture parte: 1908

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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BCR 158L3 E6327

Infineon Technologies

BCR 158L3 E6327

partiture parte: 1838

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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Infineon Technologies

BCR 158 B6327

partiture parte: 1880

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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Infineon Technologies

BCR 158F E6327

partiture parte: 1870

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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Infineon Technologies

BCR 153T E6327

partiture parte: 1846

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 2.2 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V,

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BCR 153L3 E6327

Infineon Technologies

BCR 153L3 E6327

partiture parte: 1899

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 2.2 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V,

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Infineon Technologies

BCR 153F E6327

partiture parte: 1847

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 2.2 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V,

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BCR 151L3 E6327

Infineon Technologies

BCR 151L3 E6327

partiture parte: 1890

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 50mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 100 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 100 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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Infineon Technologies

BCR 151T E6327

partiture parte: 1855

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 50mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 100 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 100 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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Infineon Technologies

BCR 151F E6327

partiture parte: 1827

Tipu di transistore: PNP - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 50mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 100 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 100 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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Infineon Technologies

BCR 149T E6327

partiture parte: 1902

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 70mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

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BCR 149L3 E6327

Infineon Technologies

BCR 149L3 E6327

partiture parte: 1877

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 70mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

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Infineon Technologies

BCR 149F E6327

partiture parte: 3262

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 70mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

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Infineon Technologies

BCR 148T E6327

partiture parte: 1882

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 70mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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BCR148WE6327BTSA1

Infineon Technologies

BCR148WE6327BTSA1

partiture parte: 1902

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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Infineon Technologies

BCR 148F E6327

partiture parte: 3260

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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BCR 148L3 E6327

Infineon Technologies

BCR 148L3 E6327

partiture parte: 1913

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 70mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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Infineon Technologies

BCR 148F B6327

partiture parte: 1865

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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Infineon Technologies

BCR 148 B6327

partiture parte: 1911

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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Infineon Technologies

BCR 146T E6327

partiture parte: 1826

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 70mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 22 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

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BCR 146L3 E6327

Infineon Technologies

BCR 146L3 E6327

partiture parte: 3245

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 70mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 22 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

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Infineon Technologies

BCR 146F E6327

partiture parte: 1912

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 70mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 47 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 22 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

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BCR142WE6327HTSA1

Infineon Technologies

BCR142WE6327HTSA1

partiture parte: 1824

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 22 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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BCR 142L3 E6327

Infineon Technologies

BCR 142L3 E6327

partiture parte: 1858

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 22 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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Infineon Technologies

BCR 142T E6327

partiture parte: 1827

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 22 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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BCR142B6327HTLA1

Infineon Technologies

BCR142B6327HTLA1

partiture parte: 1896

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 22 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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Infineon Technologies

BCR 142F E6327

partiture parte: 1836

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 22 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 47 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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Infineon Technologies

BCR 141T E6327

partiture parte: 1866

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 22 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 22 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

Wishlist

Infineon Technologies

BCR 141F E6327

partiture parte: 1842

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 22 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 22 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

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BCR 141L3 E6327

Infineon Technologies

BCR 141L3 E6327

partiture parte: 1865

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 22 kOhms, Resistore - Base Emettitore (R2): 22 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

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Infineon Technologies

BCR 139T E6327

partiture parte: 1828

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 22 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

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BCR 139L3 E6327

Infineon Technologies

BCR 139L3 E6327

partiture parte: 1852

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 22 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

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Infineon Technologies

BCR 139F E6327

partiture parte: 1851

Tipu di transistore: NPN - Pre-Biased, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Tensione - Ripartizione Emettitore Collettore (Max): 50V, Resistenza - Base (R1): 22 kOhms, Guadagliu di corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

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