Transistori - FET, MOSFET - Unicu

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Transistori - FET, MOSFET - Unicu

IXTQ30N50L2

partiture parte: 6437

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 500V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 15A, 10V,

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IXFK48N60P

partiture parte: 5751

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 600V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 48A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135 mOhm @ 500mA, 10V,

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IXFH16N80P

partiture parte: 13072

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 800V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 16A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 500mA, 10V,

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IXTP32N65X

partiture parte: 16164

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 650V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 32A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135 mOhm @ 16A, 10V,

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IXFH18N100Q3

partiture parte: 5401

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 1000V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 18A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 660 mOhm @ 9A, 10V,

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IXTN110N20L2

partiture parte: 1932

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 200V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 55A, 10V,

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IXTQ40N50L2

partiture parte: 4914

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 500V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 40A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 20A, 10V,

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IXTA1R6N100D2

partiture parte: 34234

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 1000V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 1.6A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 800mA, 0V,

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IXTK200N10P

partiture parte: 6712

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 100V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 200A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 100A, 10V,

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IXTX17N120L

partiture parte: 2270

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 1200V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 17A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 8.5A, 20V,

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IXTT3N200P3HV

partiture parte: 1844

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 2000V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 3A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 1.5A, 10V,

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IXTH24N65X2

partiture parte: 190

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 650V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 24A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145 mOhm @ 12A, 10V,

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IXFP18N60X

partiture parte: 13068

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 600V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 18A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230 mOhm @ 9A, 10V,

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IXFH76N15T2

partiture parte: 194

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 150V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 76A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 38A, 10V,

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IXFH110N15T2

partiture parte: 12476

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 150V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 110A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 500mA, 10V,

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IXFX180N15P

partiture parte: 7243

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 150V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 180A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 90A, 10V,

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IXFX360N10T

partiture parte: 7741

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 100V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 360A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9 mOhm @ 100A, 10V,

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IXFA30N25X3

partiture parte: 211

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 250V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 15A, 10V,

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IXFT42N50P2

partiture parte: 8881

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 500V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 42A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145 mOhm @ 500mA, 10V,

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IXTX600N04T2

partiture parte: 4575

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 40V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 600A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 mOhm @ 100A, 10V,

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IXFA110N15T2

partiture parte: 26962

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 150V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 110A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 500mA, 10V,

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IXTJ4N150

partiture parte: 9012

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 1500V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 2.5A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 2A, 10V,

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IXFH22N60P

partiture parte: 12995

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 600V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 22A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 11A, 10V,

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IXTH26N60P

partiture parte: 12469

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 600V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 26A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 500mA, 10V,

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IXFP30N25X3M

partiture parte: 182

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 250V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 15A, 10V,

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IXFH15N100P

partiture parte: 9350

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 1000V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 15A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 760 mOhm @ 500mA, 10V,

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IXTP86N20T

partiture parte: 18924

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 200V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 86A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 500mA, 10V,

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IXFX40N90P

partiture parte: 3967

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 900V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 40A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230 mOhm @ 20A, 10V,

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IXTT12N150

partiture parte: 7008

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 1500V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 12A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 6A, 10V,

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IXFH10N80P

partiture parte: 20472

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 800V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 10A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 5A, 10V,

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IXFR80N60P3

partiture parte: 5798

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 600V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 48A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76 mOhm @ 40A, 10V,

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IXTX210P10T

partiture parte: 3790

Tipu FET: P-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 100V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 210A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 105A, 10V,

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IXFR90N30

partiture parte: 4215

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 300V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 45A, 10V,

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IXTT10P60

partiture parte: 8303

Tipu FET: P-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 600V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 10A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 5A, 10V,

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IXFP130N15X3

partiture parte: 163

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 150V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 130A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 65A, 10V,

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IXTH16N10D2

partiture parte: 9037

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 100V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 16A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64 mOhm @ 8A, 0V,

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