partiture parte: 224
Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 1200V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 48A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 40A, 20V,