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Transistori - FET, MOSFET - Unicu

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PMXB75UPEZ
Nexperia USA Inc.

PMXB75UPEZ

partiture parte: 146149

Tipu FET: P-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 20V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 2.9A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 2.9A, 4.5V,

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PSMN2R9-30MLC,115
Nexperia USA Inc.

PSMN2R9-30MLC,115

partiture parte: 187425

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 30V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 70A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9 mOhm @ 25A, 10V,

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PMZ290UNEYL
Nexperia USA Inc.

PMZ290UNEYL

partiture parte: 176774

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 20V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 1A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 500mA, 4.5V,

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PMPB29XPE,115
Nexperia USA Inc.

PMPB29XPE,115

partiture parte: 161790

Tipu FET: P-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 20V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 5A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.5 mOhm @ 5A, 4.5V,

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PMPB43XPE,115
Nexperia USA Inc.

PMPB43XPE,115

partiture parte: 150444

Tipu FET: P-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 20V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 5A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48 mOhm @ 5A, 4.5V,

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PSMN6R0-30YL,115
Nexperia USA Inc.

PSMN6R0-30YL,115

partiture parte: 110102

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 30V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 79A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 15A, 10V,

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PMPB20ENZ
Nexperia USA Inc.

PMPB20ENZ

partiture parte: 151810

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 30V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 7.2A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5 mOhm @ 7A, 10V,

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PSMN038-100YLX
Nexperia USA Inc.

PSMN038-100YLX

partiture parte: 176205

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 100V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.5 mOhm @ 5A, 10V,

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NX7002BKMYL
Nexperia USA Inc.

NX7002BKMYL

partiture parte: 169872

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 60V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 350mA (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 Ohm @ 200mA, 10V,

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NX138BKWF
Nexperia USA Inc.

NX138BKWF

partiture parte: 157911

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 60V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 210mA (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 200mA, 10V,

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PMV65ENEAR
Nexperia USA Inc.

PMV65ENEAR

partiture parte: 178628

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 40V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 2.7A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 2.7A, 10V,

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PMV45EN2VL
Nexperia USA Inc.

PMV45EN2VL

partiture parte: 177740

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 30V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 5.1A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 4.1A, 10V,

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PSMN015-100YLX
Nexperia USA Inc.

PSMN015-100YLX

partiture parte: 176542

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 100V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 69A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.7 mOhm @ 20A, 10V,

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PMV65XPVL
Nexperia USA Inc.

PMV65XPVL

partiture parte: 186436

Tipu FET: P-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 20V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 2.8A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74 mOhm @ 2.8A, 4.5V,

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PSMN6R1-25MLDX
Nexperia USA Inc.

PSMN6R1-25MLDX

partiture parte: 173485

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 25V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.24 mOhm @ 15A, 10V,

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PMV250EPEAR
Nexperia USA Inc.

PMV250EPEAR

partiture parte: 196012

Tipu FET: P-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 40V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 1.5A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 1.3A, 10V,

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PMPB13XNE,115
Nexperia USA Inc.

PMPB13XNE,115

partiture parte: 151250

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 30V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 8A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 8A, 4.5V,

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PMXB56ENZ
Nexperia USA Inc.

PMXB56ENZ

partiture parte: 169018

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 30V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 3.2A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 3.2A, 10V,

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PMT280ENEAX
Nexperia USA Inc.

PMT280ENEAX

partiture parte: 142017

Tipu FET: N-Channel, Tecnulugia: MOSFET (Metal Oxide), Scaricamentu à a Tensione di Sorgente (Vdss): 100V, Current - Scaricamentu Continuu (Id) @ 25 ° C: 1.5A (Ta), Tensione di Trasmissione (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385 mOhm @ 1.5A, 10V,

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