Diodi - Raddrizzatori - Unicu

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Diodi - Raddrizzatori - Unicu

Nexperia USA Inc.

PMEG3002ESFYL

partiture parte: 106766

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 30V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 200mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 535mV @ 200mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 1.42ns,

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PMEG2010BEV,115

Nexperia USA Inc.

PMEG2010BEV,115

partiture parte: 166046

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 20V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 500mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Nexperia USA Inc.

PMEG2015EV,115

partiture parte: 144696

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 20V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.5A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 660mV @ 1.5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Nexperia USA Inc.

PMEG2015EH,115

partiture parte: 172280

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 20V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.5A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 660mV @ 1.5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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PMEG3002AELD,315

Nexperia USA Inc.

PMEG3002AELD,315

partiture parte: 101025

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 30V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 200mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 480mV @ 200mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 6ns,

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Nexperia USA Inc.

PMEG3005AESFYL

partiture parte: 133424

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 30V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 500mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 630mV @ 500mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 1.37ns,

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PMEG4002ELD,315

Nexperia USA Inc.

PMEG4002ELD,315

partiture parte: 178633

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 40V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 200mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 600mV @ 200mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 4ns,

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Nexperia USA Inc.

PMEG4002EL,315

partiture parte: 172470

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 40V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 200mA (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 600mV @ 200mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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PMEG2002AESF,315

Nexperia USA Inc.

PMEG2002AESF,315

partiture parte: 148395

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 20V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 200mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 420mV @ 200mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 1.9ns,

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PMEG3005ELD,315

Nexperia USA Inc.

PMEG3005ELD,315

partiture parte: 108648

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 30V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 500mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 500mV @ 500mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 6ns,

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Nexperia USA Inc.

PMEG4010AESBZ

partiture parte: 188493

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 40V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 505mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 3.1ns,

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PMEG2015EPK,315

Nexperia USA Inc.

PMEG2015EPK,315

partiture parte: 183149

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 20V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 420mV @ 1.5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 5ns,

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Nexperia USA Inc.

PMEG4005AEAZ

partiture parte: 171937

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 40V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 500mA (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 470mV @ 500mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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PMEG4015EPK,315

Nexperia USA Inc.

PMEG4015EPK,315

partiture parte: 106847

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 40V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1.5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 610mV @ 1.5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 4ns,

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Nexperia USA Inc.

PMEG3005EGWJ

partiture parte: 195299

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 30V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 500mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 430mV @ 500mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Nexperia USA Inc.

PMEG6010CPASX

partiture parte: 178066

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 60V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 540mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 3ns,

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Nexperia USA Inc.

PMEG4005EGWJ

partiture parte: 108194

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 40V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 500mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 470mV @ 500mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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PMEG2010AEJ,115

Nexperia USA Inc.

PMEG2010AEJ,115

partiture parte: 148005

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 20V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 550mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Nexperia USA Inc.

PMEG3010EGWJ

partiture parte: 146148

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 30V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 560mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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PMEG2020AEA,115

Nexperia USA Inc.

PMEG2020AEA,115

partiture parte: 122272

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 20V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 525mV @ 2A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Nexperia USA Inc.

PMEG4010ESBZ

partiture parte: 150746

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 40V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 610mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 2.9ns,

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Nexperia USA Inc.

PMEG6020EPAF

partiture parte: 139350

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 60V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 575mV @ 2A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 78ns,

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Nexperia USA Inc.

PMEG4010ESBYL

partiture parte: 158393

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 40V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 610mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 2.9ns,

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Nexperia USA Inc.

PMEG6010CEGWJ

partiture parte: 139066

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 60V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 660mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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PMEG4010BEA,135

Nexperia USA Inc.

PMEG4010BEA,135

partiture parte: 117031

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 40V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 640mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Nexperia USA Inc.

PMEG3010ESBYL

partiture parte: 174990

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 30V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 565mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 3.2ns,

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Nexperia USA Inc.

PMEG6010CEJF

partiture parte: 133088

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 60V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 660mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Nexperia USA Inc.

PMEG3010EGWX

partiture parte: 173169

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 30V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 560mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wishlist

Nexperia USA Inc.

PMEG2005EGWJ

partiture parte: 130407

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 20V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 500mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 390mV @ 500mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Nexperia USA Inc.

PMEG4005CEAX

partiture parte: 141241

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 40V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 500mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 640mV @ 500mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 1.8ns,

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Nexperia USA Inc.

PMEG3010AESBZ

partiture parte: 124502

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 30V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 480mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 3.5ns,

Wishlist

Nexperia USA Inc.

PMEG3005EGWX

partiture parte: 146988

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 30V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 500mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 430mV @ 500mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wishlist

Nexperia USA Inc.

PMEG3020EGWJ

partiture parte: 122997

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 30V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 620mV @ 2A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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PMEG4010EPK,315

Nexperia USA Inc.

PMEG4010EPK,315

partiture parte: 160323

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 40V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 600mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 3ns,

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Nexperia USA Inc.

PMEG2010EAZ

partiture parte: 171360

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 20V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 550mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wishlist

Nexperia USA Inc.

PMEG4010EGWX

partiture parte: 192511

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 40V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 640mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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