Diodi - Raddrizzatori - Unicu | Prudutti Discreti à Semiconduttore | 13

PMEG2010AEBF

partiture parte: 154200

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 20V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 620mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Nexperia USA Inc.

PMEG6002EBF

partiture parte: 121500

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 60V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 200mA (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 600mV @ 200mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Nexperia USA Inc.

PMEG10030ELPX

partiture parte: 193077

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 770mV @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 8ns,

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Nexperia USA Inc.

RB520S30YL

partiture parte: 182417

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 30V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 200mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 600mV @ 200mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Nexperia USA Inc.

RB521S30,115

partiture parte: 174908

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 30V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 200mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 500mV @ 200mA, Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Nexperia USA Inc.

ES1DRX

partiture parte: 148792

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 930mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 25ns,

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Nexperia USA Inc.

ES1DVRX

partiture parte: 170022

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 200V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 875mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 25ns,

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Nexperia USA Inc.

PMEG1201AESFYL

partiture parte: 2281

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 12V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 100mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 200mV @ 30mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 2.2ns,

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Nexperia USA Inc.

PMEG060V030EPDZ

partiture parte: 123547

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 60V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 530mV @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 12ns,

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Nexperia USA Inc.

PMEG030V050EPDZ

partiture parte: 121458

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 30V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 550mV @ 5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 16ns,

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Nexperia USA Inc.

PMEG030V030EPDZ

partiture parte: 180038

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 30V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 450mV @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 12ns,

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Nexperia USA Inc.

PMEG040V030EPDZ

partiture parte: 114545

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 40V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 490mV @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 13ns,

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Nexperia USA Inc.

PMEG040V050EPDZ

partiture parte: 166206

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 40V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 520mV @ 5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 13ns,

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Nexperia USA Inc.

PMEG45A10EPDZ

partiture parte: 126741

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 45V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 10A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 540mV @ 10A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 13ns,

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Nexperia USA Inc.

PMEG100V080ELPDZ

partiture parte: 144131

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 8A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 850mV @ 8A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 10ns,

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Nexperia USA Inc.

PMEG4005AEA/8X

partiture parte: 1447

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 40V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 500mA (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 470mV @ 500mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Nexperia USA Inc.

PMEG2005AEA/DG,115

partiture parte: 1297

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 20V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 500mA (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 390mV @ 500mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Nexperia USA Inc.

PMEG6020ETP,115

partiture parte: 137873

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 60V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 530mV @ 2A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 8.6ns,

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Nexperia USA Inc.

PMEG4020EPASX

partiture parte: 164587

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 40V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 535mV @ 2A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 6ns,

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Nexperia USA Inc.

PMEG4010CEGWX

partiture parte: 128675

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 40V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 570mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Nexperia USA Inc.

PMEG100V060ELPDZ

partiture parte: 107376

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 6A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 840mV @ 6A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 8ns,

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Nexperia USA Inc.

PMEG3020DEP,115

partiture parte: 127640

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 30V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 520mV @ 2A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Nexperia USA Inc.

PMEG3010CEJ,115

partiture parte: 132209

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 30V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 520mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Nexperia USA Inc.

PMEG3020EPA,115

partiture parte: 121236

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 30V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 470mV @ 2A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 47ns,

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Nexperia USA Inc.

PMEG40T50EPX

partiture parte: 9971

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 40V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 5A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 470mV @ 5A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 24ns,

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Nexperia USA Inc.

PMEG10020AELPX

partiture parte: 149972

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 100V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 770mV @ 2A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 5ns,

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Nexperia USA Inc.

PMEG3020CEP,115

partiture parte: 114518

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 30V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 420mV @ 2A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Nexperia USA Inc.

PMEG3010EP,115

partiture parte: 152778

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 30V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 360mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Nexperia USA Inc.

PMEG3020BER,115

partiture parte: 160209

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 30V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 520mV @ 2A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Nexperia USA Inc.

PMEG045V150EPDAZ

partiture parte: 154993

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 45V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 15A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 490mV @ 15A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 19ns,

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Nexperia USA Inc.

PMEG050V030EPDZ

partiture parte: 173552

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 50V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 3A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 530mV @ 3A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 12ns,

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Nexperia USA Inc.

PMEG3010BEV,115

partiture parte: 174450

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 30V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A (DC), Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 560mV @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Nexperia USA Inc.

PMEG40T20ERX

partiture parte: 9949

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 40V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 450mV @ 2A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 11.5ns,

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Nexperia USA Inc.

PMEG2005EGWX

partiture parte: 121506

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 20V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 500mA, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 390mV @ 500mA, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Nexperia USA Inc.

PMEG4020EPA,115

partiture parte: 142386

Tipu di Diode: Schottky, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 40V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 2A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 535mV @ 2A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 85ns,

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Nexperia USA Inc.

ES1GRX

partiture parte: 9970

Tipu di Diode: Standard, Tensione - Reverse DC (Vr) (Max): 400V, Current - Mediu Rettificatu (Io): 1A, Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se: 1.25V @ 1A, Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempu di Recuperazione Reverse (trr): 25ns,

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